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기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 유기 박막층 및상기 유기 박막층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 한 전극은 애노드 전극이고, 타 전극은 캐소드 전극이며, 상기 캐소드 전극은 금(Au)을 포함한 10nm 초과 내지 100nm 미만의 박막으로 형성되어, 듀얼 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 애노드 전극이며, 상기 제2 전극은 캐소드 전극인 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자
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제2항에 있어서, 상기 유기 박막층 및 상기 제2 전극은 진공 열 증착에 의해 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자
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제2항에 있어서,상기 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)을 포함한 소정 두께의 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자
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제2항에 있어서,상기 유기 EL 소자를 보호하기 위한 투명 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자
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제2항에 있어서, 상기 유기 박막층은 유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자
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제7항에 있어서, 상기 유기 박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 어느 한 층 또는 그 조합으로 구성된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자
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9
제2항에 있어서, 상기 유기 박막층은 전자 주입층으로 Al막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 제1 전극을 증착한 후, 패터닝하는 단계;상기 제1 전극 상에 유기 박막층을 증착하는 단계;상기 유기 박막층 상에 제2 전극을 증착하는 단계 및상기 제2 전극을 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 제2 전극을 증착하는 단계는 금(Au)을 10nm 초과 내지 100nm 미만의 박막으로 증착하는 단계를 포함하여, 듀얼 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 유기 박막층 및 제2 전극을 증착하는 단계는 진공 열 증착에 의해 상기 유기 박막층과 제2 전극을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 유기 EL 소자 제조 방법
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삭제
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제10항 또는 제11항에 있어서,상기 유기 박막층은 유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 유기 박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 어느 한 층 또는 그 조합으로 구성된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법
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제10항 또는 제11항에 있어서,유기 EL 소자를 보호하기 위한 투명 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법
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