맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140778
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 게이트 전극; 게이트 전극 상에 위치하고, 내부에 금속 나노 입자가 분포된 활성층; 활성층의 일측 상에 위치하는 소스 전극; 및 활성층의 타측 상에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 유기 박막 트랜지스터가 제공된다. 본 발명에 의하면, 내부에 금속 나노 입자가 형성되어 있는 고분자 박막을 활성층으로 사용함으로써, 외부 환경에 의한 영향을 최소화하여 고성능 및 장수명을 가지는 유기 박막 트랜지스터를 제작할 수 있다.유기 박막 트랜지스터, 활성층, 폴리이미드, 금속 나노 입자.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 51/0083(2013.01) H01L 51/0083(2013.01) H01L 51/0083(2013.01) H01L 51/0083(2013.01)
출원번호/일자 1020060100873 (2006.10.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0792036-0000 (2007.12.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.17)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 김재호 대한민국 서울특별시 동대문구
3 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구
4 김수연 대한민국 경기도 양주시
5 김영호 대한민국 서울특별시 송파구
6 윤종승 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0748426-89
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0360079-20
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0515587-57
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0515613-57
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0691336-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하고, 금속 나노 입자가 폴리이미드 박막 내부에 분포된 활성층;상기 활성층의 일측 상에 위치하는 소스 전극; 및상기 활성층의 타측 상에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 도핑된 실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Ni1-XFeX, 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나의 나노 입자인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간에 인가되는 외부 전압에 따라 상기 활성층에 분포된 상기 금속 나노 입자 사이를 홉핑함에 의해 전자의 이동이 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
6 6
게이트 전극 상에 폴리이미드로 이루어진 제1 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 제1 고분자 박막 상에 금속 나노 입자를 형성할 금속 재료를 증착하는 단계;상기 증착된 금속 재료 상에 폴리이미드로 이루어진 제2 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 제1 고분자 박막, 상기 금속 재료, 상기 제2 고분자 박막을 경화시켜 상기 제1 고분자 박막과 상기 제2 고분자 박막이 합쳐진 하나의 고분자 박막의 내부에 상기 금속 나노 입자가 분포된 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층의 일측 상에 소스 전극을 형성하고, 타측 상에 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제6항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Ni1-XFeX, 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나의 나노 입자인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.