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전도성 기판;
싱기 전도성 기판 상에 형성된 금속나노구조체; 및
상기 금속나노구조체 상에 코팅된 금속산화물;을 포함하는 수퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 금속나노구조체가 다공성인 수퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 금속나노구조체가 기판 상에 수직 방향으로 배열된 수퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 금속나노구조체가 금속나노막대 또는 금속나노튜브인 수퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 금속나노구조체가 Au, Ag, Ni, Cu, Pt, Mn, Ru 및 Li 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 수퍼커패시터용 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 금속산화물이 RuO2, MnO2, IrO2, NiOx(0003c#x003c#2), 및CoOx(0003c#x003c#2)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 수퍼커패시터용 전극
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7
제 1 항에 있어서, 상기 금속산화물 상에 코팅된 다공성고분자를 추가적으로 포함하는 수퍼커패시터용 전극
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8
제 7 항에 있어서, 상기 다공성고분자가 나피온(Nafion), 아시플렉스(Aciplex), 플레미온(Flemion) 및 다우(Dow)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 수퍼커패시터용 전극
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9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 전극을 채용한 수퍼커패시터
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주기적으로 배열된 일정한 크기의 나노기공이 형성된 다공성 주형(template)을 제공하는 단계;
상기 주형의 일 표면에 제1금속을 코팅하는 단계;
상기 코팅된 제1금속 표면 상에 상기 주형의 나노기공을 따라 성장하는 전도성고분자막대를 형성하는 단계;
상기 주형을 부분적으로 식각하여 상기 전도성고분자막대와 나노기공 사이에 공간을 형성하는 단계;
상기 전도성 고분자막대와 나노기공 사이에 형성된 공간에 제1금속과 제2금속으로 이루어진 금속나노튜브를 형성하는 단계;
상기 전도성 고분자 막대, 제2금속 및 다공성 주형을 선택적으로 식각하여 제1금속으로 이루어진 다공성 금속나노튜브를 형성하는 단계;
상기 다공성 금속나노튜브 상에 금속산화물을 코팅하는 단계;를 포함하는 수퍼커패시터용 전극의 제조방법
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11
주기적으로 배열된 일정한 크기의 나노기공이 형성된 다공성 주형(template)을 제공하는 단계;
상기 주형의 일 표면에 제1금속을 코팅하는 단계;
상기 코팅된 제1금속 표면 상에 상기 주형의 나노기공을 따라 성장하는 제1금속으로 이루어진 금속나노막대를 형성하는 단계;
상기 다공성 주형을 식각하는 단계; 및
상기 제1금속나노막대 상에 금속산화물을 코팅하는 단계;를 포함하는 수퍼커패시터용 전극의 제조방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 다공성 주형이 음극산화된 알루미늄산화물(Anodic Aluminum Oxide)인 제조방법
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13
제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 나노기공의 양말단이 열려있는 제조방법
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제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 제1금속이 Au, Ag, Ni, Cu, Pt, Mn, Ru및 Li로 이루어진 군에서 선택된 하나인 제조방법
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15
제 10 항에 있어서, 상기 제2금속이 제1금속과 다른 금속으로서, Au, Ag, Ni, Cu, Pt, Mn, Ru 및 Li 로 이루어진 군에서 선택된 하나인 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 전도성고분자가 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 폴리피롤로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 제조방법
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17
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 금속산화물이 RuO2, MnO2, IrO2, NiOx(0003c#x003c#2), 및 CoOx(0003c#x003c#2)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 제조방법
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18
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 금속산화물 상에 다공성고분자를 코팅하는 단계를 추가적으로 포함하는 제조방법
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19
제 18 항에 있어서, 상기 다공성고분자가 나피온(Nafion), 아시플렉스(Aciplex), 플레미온(Flemion) 및 다우(Dow)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 수퍼커패시터용 전극
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