요약 | 그래핀과 상변화 물질을 포함하는 불휘발성 메모리 소자와 그 제조 및 동작방법이 개시되어 있다. 일 실시예에 의한 불휘발성 메모리 소자는 기판과, 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 기판 상에 구비된 게이트 필터와, 상기 게이트 필터를 통과한 광이 조사되는 그래핀층을 포함하고, 상기 게이트 필터는 적층된 투명전극 및 상변화 물질층을 포함한다. 상기 게이트 필터는 상기 그래핀층의 위 또는 아래에 구비될 수 있다. 상기 게이트 필터는 상기 상변화 물질층과 함께 적어도 하나의 투명전극을 포함할 수 있다. |
---|---|
Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) |
CPC | H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110061804 (2011.06.24) |
출원인 | 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1532313-0000 (2015.06.23) |
공개번호/일자 | 10-2013-0006873 (2013.01.18) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20150629) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2014.12.30) |
심사청구항수 | 32 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
2 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 장강 | 중국 | 경기도 수원시 장안구 |
2 | 유원종 | 미국 | 경기도 하남시 감 |
3 | 라창호 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
2 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0483876-80 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1278245-75 |
7 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2015.01.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0007583-14 |
8 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2015.01.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
9 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2015.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0006706-29 |
10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0070964-19 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.03.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0308449-31 |
12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.03.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0308448-96 |
13 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.04.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0247669-51 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판;상기 기판 상에 형성된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 기판 상에 구비된 게이트 필터; 및상기 게이트 필터를 통과한 광이 조사되고, 상기 소스 및 드레인 전극과 접촉된 그래핀층;을 포함하고,상기 게이트 필터는,적층된 투명전극 및 상변화 물질층을 포함하는 불휘발성 메모리 소자 |
2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 게이트 필터는 상기 그래핀층의 위 또는 아래에 구비된 불휘발성 메모리 소자 |
3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 게이트 필터는 순차적으로 적층된 하부 투명전극, 상기 상변화 물질층 및 상부 투명전극을 포함하는 불휘발성 메모리 소자 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 게이트 필터는 순차적으로 적층된 상기 상변화 물질층 및 투명전극 또는 순차적으로 적층된 투명전극 및 상기 상변화 물질층을 포함하는 불휘발성 메모리 소자 |
5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 기판은 유연성 기판인 불휘발성 메모리 소자 |
6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은 단일층 또는 복층인 불휘발성 메모리 소자 |
7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 기판은 순차적으로 적층된 실리콘 기판 및 절연층을 포함하는 불휘발성 메모리 소자 |
8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 필터는 상기 그래핀층 상에 구비된 불휘발성 메모리 소자 |
9 |
9 기판 상에 그래핀층과 게이트 필터를 적층하는 단계; 및상기 그래핀층과 접촉되는 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 그래핀층과 게이트 필터를 적층하는 단계는,상기 기판 상에 상기 그래핀층을 형성하는 단계; 및상기 그래핀층 상에 상기 게이트 필터를 형성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
11 |
11 제 9 항에 있어서,상기 그래핀층과 상기 게이트 필터를 적층하는 단계는,상기 기판 상에 상기 게이트 필터를 형성하는 단계; 및상기 게이트 필터 상에 상기 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
12 |
12 제 10 항에 있어서,상기 그래핀층 상에 상기 게이트 필터를 형성하는 단계는,상기 그래핀층 상에 하부 투명전극, 상변화 물질층 및 상부 투명전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
13 |
13 제 10 항에 있어서,상기 그래핀층 상에 상기 게이트 필터를 형성하는 단계는,상기 그래핀층 상에 상변화 물질층 및 투명전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
14 |
14 제 11 항에 있어서,상기 기판 상에 상기 게이트 필터를 형성하는 단계는,상기 기판 상에 하부 투명전극, 상변화 물질층 및 상부 투명전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
15 |
15 제 11 항에 있어서,상기 기판 상에 상기 게이트 필터를 형성하는 단계는,상기 기판 상에 투명전극 및 상변화 물질층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
16 |
16 제 9 항에 있어서,상기 소스 및 드레인을 형성하는 단계는,상기 기판에 도전성 불순물을 주입하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
17 |
17 제 9 항에 있어서,상기 소스 및 드레인을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
18 |
18 제 9 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판과 절연층을 순차적으로 적층하여 형성하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
19 |
19 제 9 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 필터는 상기 그래핀층 상에 형성하는 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
20 |
20 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법에 있어서,상기 메모리 소자는,적층된 게이트 필터 및 그래핀층을 포함하고, 상기 그래핀층과 접촉되는 소스 및 드레인을 포함하며,상기 게이트 필터에 쓰기 전압을 인가하는 메모리 소자의 동작방법 |
21 |
21 제 20 항에 있어서,상기 게이트 필터와 그래핀층이 또는 상기 그래핀층과 상기 게이트 필터가 기판 상에 순차적으로 적층된 메모리 소자의 동작방법 |
22 |
22 제 20 항에 있어서,상기 게이트 필터는 적어도 하나의 투명전극을 포함하고 데이터 저장층으로 사용되는 상변화 물질층을 포함하는 메모리 소자의 동작방법 |
23 |
23 제 20 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 필터는 상기 그래핀층 상에 형성하는 메모리 소자의 동작방법 |
24 |
24 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법에 있어서,상기 메모리 소자는,적층된 게이트 필터 및 그래핀층을 포함하고, 상기 그래핀층과 접촉되는 소스 및 드레인을 포함하며,상기 소스 및 드레인 사이에 전압을 인가하는 단계; 및상기 게이트 필터를 통해 상기 그래핀층에 광을 조사하는 단계;를 포함하는 메모리 소자의 동작방법 |
25 |
25 제 24 항에 있어서,상기 광 조사에 의해 상기 그래핀층에 발생되는 광 전류를 측정하는 단계; 및상기 측정된 광 전류를 기준전류와 비교하는 단계;를 더 포함하는 메모리 소자의 동작방법 |
26 |
26 제 24 항에 있어서,상기 게이트 필터와 상기 그래핀층이 또는 상기 그래핀층과 상기 게이트 필터가 기판 상에 순차적으로 적층된 메모리 소자의 동작방법 |
27 |
27 제 24 항에 있어서,상기 게이트 필터는 적어도 하나의 투명전극을 포함하고 데이터 저장층으로 사용되는 상변화 물질층을 포함하는 메모리 소자의 동작방법 |
28 |
28 제 24 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 필터는 상기 그래핀층 상에 형성하는 메모리 소자의 동작방법 |
29 |
29 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법에 있어서,상기 메모리 소자는,적층된 게이트 필터 및 그래핀층을 포함하고, 상기 그래핀층과 접촉되는 소스 및 드레인을 포함하며,상기 게이트 필터에 소거 전압을 인가하는 메모리 소자의 동작방법 |
30 |
30 제 29 항에 있어서,상기 게이트 필터와 그래핀층이 또는 상기 그래핀층과 상기 게이트 필터가 기판 상에 순차적으로 적층된 메모리 소자의 동작방법 |
31 |
31 제 29 항에 있어서,상기 게이트 필터는 적어도 하나의 투명전극을 포함하고 데이터 저장층으로 사용되는 상변화 물질층을 포함하는 메모리 소자의 동작방법 |
32 |
32 제 29 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 필터는 상기 그래핀층 상에 형성하는 메모리 소자의 동작방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1532313-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110624 출원 번호 : 1020110061804 공고 연월일 : 20150629 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150414 청구범위의 항수 : 32 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 그래핀과 상변화 물질을 포함하는 불휘발성 메모리 소자와 그 제조 및 동작방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,293,000 원 | 2015년 06월 24일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 744,000 원 | 2018년 05월 17일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 744,000 원 | 2019년 05월 20일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 744,000 원 | 2020년 05월 18일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0483876-80 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1278245-75 |
7 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2015.01.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0007583-14 |
8 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2015.01.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
9 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2015.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0006706-29 |
10 | 의견제출통지서 | 2015.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0070964-19 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.03.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0308449-31 |
12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.03.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0308448-96 |
13 | 등록결정서 | 2015.04.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0247669-51 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345152405 |
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세부과제번호 | 2011-0010274 |
연구과제명 | 플라즈마 공정을 이용한 그래핀 물성 및 전계효과 소자의 전기적 특성 제어 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201105~201404 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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