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하나의트랜지스터를사용한메모리소자및그제조방법

  • 기술번호 : KST2014011454
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판에 불순물 확산에 의해 형성된 p형(또는 n형) 우물구조의 영역안에 형성된 소오스, 드레인, 강유전체게이트로 구성된 하나의 트랜지스터만으로 데이터를 읽고 쓰는 메모리소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 저장된 데이터를 파괴하지 않고 판독해낼 수 있는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 하나의 트랜지스터를 사용하여 정보를 읽고 쓸수 있도록 단위소자(MEMORY CELL)의 게이트(Gate)와 p형 우물구조를 정보를 입력(쓰기)시키기 위한 회로로 구성하고, 소오스(Source)와 드레인(Drain)은 데이터를 출력(읽기)하기 위한 회로로 구성하여, 각각 2개씩의 읽기 및 쓰기 단자를 통해 정보를 입출력하는 회로를 포함하는 메모리소자와, 상기 제조방법은 Si기판에 p형(또는 n형) 우물구조를 형성시키고, p형(또는 n형) 우물구조 내에 소오스(Source)와 드레인(Drain)을 제조한 후 게이트(Gate)를 구성하는 제조방법이 제시된다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980032022 (1998.08.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0325643-0000 (2002.02.08)
공개번호/일자 10-2000-0013261 (2000.03.06) 문서열기
공고번호/일자 (20020417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.08.06)
심사청구항수 46

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영균 서울시서초구
2 김용태 서울시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.08.06 수리 (Accepted) 1-1-1998-0098042-46
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.08.06 수리 (Accepted) 1-1-1998-0098044-37
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.08.06 수리 (Accepted) 1-1-1998-0098043-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.02.24 수리 (Accepted) 1-1-1999-5086080-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0270679-18
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5392884-92
13 의견서
Written Opinion		 2000.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-5392883-46
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0125683-79
15 의견서
Written Opinion		 2001.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-5204231-24
16 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.07.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5204232-70
17 등록결정서
Decision to grant		 2002.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0013431-77
18 FD제출서
FD Submission		 2002.02.14 수리 (Accepted) 2-1-2002-5027685-00
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판에 불순물 확산에 의해 p형(또는 n형)의 우물 구조로 형성되는 쓰기용 워드라인(3)으로 하는 제 1단자와,

상기 제 1단자의 영역내에 소오스영역으로 형성되는 읽기용 워드라인(5)으로 하는 제 2단자와,

상기 제 1단자의 영역내에 드레인영역으로 형성되는 읽기용 비트라인(5)으로 하는 제 3단자와,

상기 제 1단자의 영역내에 강유전체 게이트영역으로 형성되는 쓰기용 비트라인(4)으로 하는 제 4단자를 갖는 하나의 트랜지스터를 구성하여 데이터를 읽고 쓸수 있도록 하는 정보입출력회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리소자

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 메모리소자는 기록되는 데이터를 지속적으로 저장하고, 상기 저장된 데이터를 파괴하지 않고 판독해낼 수 있는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자인 것을 특징으로 하는 메모리소자

3 3

청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 정보입출력회로를 수직 및 수평방향으로 연속적으로 배열하여 초고집적 기억소자의 배열을 구성하는 것을 특징으로 하는 메모리소자,
4 4

청구항 3에 있어서,

상기 정보입출력회로는 데이터 입력이 상기 제 1단자를 통해 단위소자배열에서 어드레스가 지정되고,

상기 지정된 어드레스의 게이트(G)의 워드라인을 통하여 입력된 데이터가 지속적으로 저장되는 것을 특징으로 하는 메모리소자

5 5

청구항 3에 있어서,

상기 초고집적기억소자에서 데이터의 출력은,

트랜지스터(T)의 드레인(D)을 통해 읽기 위한 어드레스를 지정하게 하고,

트랜지스터(T)의 소오스(S)를 통해 데이터를 읽게 하도록 하는 것을 특징으로 하는 메모리소자

6 6

청구항 1에 있어서,

상기 정보입출력회로는,

워드라인1(10) 신호 및 쓰기 인에이블(7) 신호가 입력되는 NOND게이트(N) 2개와 인버터(I) 2개로 구성된 논리회로1(60)과,

워드라인2(20) 신호 및 쓰기 인에이블(7) 바 신호가 입력되는 NOND게이트(N) 2개와 인버터(I) 3개로 구성된 논리회로2(70)와,

상기의 논리회로1(60)의 출력단과 쓰기용 워드라인(3)의 사이에 연결된 트랜지스터1(T1)과,

상기의 논리회로2(70)의 출력단과 읽기용 워드라인(6)의 사이에 연결된 트랜지스터2(T2)와,

상기의 논리회로2(70)의 출력단과 쓰기용 비트라인(4)의 사이에 연결된 트랜지스터3(T3)가 더 포함되어, 트랜지스터(T)에 연결된 것을 특징으로 하는 메모리소자

7 7

청구항 6에 있어서,

상기 워드라인1(10) 신호 및 쓰기 인에이블(7) 신호가 논리회로1(60)의 NOND게이트(N)로 입력되면, 인버터(I)를 거쳐 트랜지스터1(T1)의 게이트(G)로 입력되고, 다시 트랜지스터1(T1)에서 쓰기용 워드라인(3)으로 출력되는 것을 특징으로 하는 메모리소자

8 8

청구항 6에 있어서,

상기 워드라인2(20) 신호 및 쓰기 인에이블(7) 바 신호가 논리회로2(70)의 NOND게이트(N)로 입력되면, 인버터(I)를 거쳐 트랜지스터2(T2)의 게이트(G)로 입력되고, 다시 트랜지스터2(T2)에서 쓰기용 비트라인(4)으로 출력되는 것을 특징으로 하는 메모리소자

9 9

청구항 6에 있어서,

상기 워드라인1(10) 신호와, 논리회로1(60)의 인버터(I)를 거쳐 반전된 쓰기 인에이블(7) 신호가 NOND게이트(N)로 입력되면, 인버터(I)를 거쳐 읽기용 비트라인(5)으로 출력되어 트랜지스터(T)의 드레인(D)에 인가되는 것을 특징으로 하는 메모리소자

10 10

청구항 6에 있어서,

상기 워드라인2(20) 신호와, 논리회로2(70)의 인버터(I)를 거쳐 반전된 쓰기 인에이블(7) 신호가 NOND게이트(N)로 입력되면, 인버터(I)를 거쳐 트랜지스터2(T2)의 게이트(G)로 입력되고, 다시 트랜지스터2(T2)에서 읽기용 워드라인(6)으로 출력되는 것을 특징으로 하는 메모리소자

11 11

청구항 6 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 쓰기용 워드라인(3), 쓰기용 비트라인(4), 읽기용 워드라인(5), 읽기용 비트라인(6)은 씨줄과 날줄로 연속적으로 배열하는 것을 특징으로 하는 메모리소자

12 12

실리콘 기판에 불순물 확산에 의해 p형(또는 n형)의 우물 구조로 형성되는 쓰기용 워드라인(3)으로 하는 제 1단자와,

상기 제 1단자의 영역내에 소오스영역으로 형성되는 읽기용 워드라인(5)으로 하는 제 2단자와:

상기 제 1단자의 영역내에 드레인영역으로 형성되는 읽기용 비트라인(6)으로 하는 제 3단자와:

상기 제 1단자의 영역내에 강유전체 게이트영역으로 형성되는 쓰기용 비트라인(4)으로 하는 제 4단자을 갖는 하나의 트랜지스터를 구성하여 데이터를 읽고 쓸 수 있도록 하는 정보입출력회로를 포함하는 메모리소자를 기초단위(MEMORY CELL)로 하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

13 13

청구항 12에 있어서,

상기 메모리소자는 기록되는 데이터를 지속적으로 저장하고, 상기 저장된 데이터를 파괴하지 않고 판독해낼 수 있는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자인 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

14 14

청구항 12에 있어서,

상기 정보입출력회로는,

워드라인1(10) 신호 및 쓰기 인에이블(7) 신호가 입력되는 NOND게이트(N) 2개와 인버터(I) 2개로 구성된 논리회로1(60)과,

워드라인2(20) 신호 및 쓰기 인에이블(7) 바 신호가 입력되는 NOND게이트(N) 2개와 인버터(I) 3개로 구성된 논리회로2(70)와,

상기의 논리회로1(60)의 출력단과 쓰기용 워드라인(3)의 사이에 연결된 트랜지스터1(T1)과,

상기의 논리회로2(70)의 출력단과 읽기용 워드라인(6)의 사이에 연결된 트랜지스터2(T2)와,

상기의 논리회로2(70)의 출력단과 쓰기용 비트라인(4)의 사이에 연결된 트랜지스터3(T3)가 더 포함되어, 트랜지스터(T)에 연결된 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

15 15

청구항 14에 있어서,

상기 워드라인1(10) 신호 및 쓰기 인에이블(7) 신호가 논리회로1(60)의 NOND게이트(N)로 입력되면, 인버터(I)를 거쳐 트랜지스터1(T1)의 게이트(G)로 입력되고, 다시 트랜지스터1(T1)에서 쓰기용 워드라인(3)으로 출력되는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템
16 16

청구항 14에 있어서,

상기 워드라인2(20) 신호 및 쓰기 인에이블(7) 바 신호가 논리회로2(70)의 NOND게이트(N)로 입력되면, 인버터(I)를 거쳐 트랜지스터2(T2)의 게이트(G)로 입력되고, 다시 트랜지스터2(T2)에서 쓰기용 비트라인(4)으로 출력되는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

17 17

청구항 14에 있어서,

상기 워드라인1(10) 신호와, 논리회로1(60)의 인버터(I)를 거쳐 반전된 쓰기 인에이블(7) 신호가 NOND게이트(N)로 입력되면, 인버터(I)를 거쳐 읽기용 비트라인(5)으로 출력되어 트랜지스터(T)의 드레인(D)에 인가되는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

18 18

청구항 14에 있어서,

상기 워드라인2(20) 신호와, 논리회로2(70)의 인버터(I)를 거쳐 반전된 쓰기 인에이블(7) 신호가 NOND게이트(N)로 입력되면, 인버터(I)를 거쳐 트랜지스터2(T2)의 게이트(G)로 입력되고, 다시 트랜지스터2(T2)에서 읽기용 워드라인(6)으로 출력되는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

19 19

청구항 14 내지 청구항 18 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 쓰기용 워드라인(3), 쓰기용 비트라인(4), 읽기용 워드라인(5), 읽기용 비트라인(6)은 씨줄과 날줄로 연속적으로 배열하는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

20 20

청구항 19에 있어서,

상기에 의해 구성된 정보입출력회로를 연속적으로 배열하여 초고집적 기억소자의 배열을 구성하는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

21 21

청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,

상기 정보입출력회로를 수직 및 수평방향으로 연속적으로 배열하여 초고집적 기억소자의 배열을 구성하는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

22 22

청구항 21에 있어서,

상기 초고집적기억소자에서 데이터의 출력은,

트랜지스터(T)의 드레인(D)을 통해 읽기 위한 어드레스를 지정하게 하고,

트랜지스터(T)의 소오스(S)를 통해 데이터를 읽게 하도록 하는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

23 23

청구항 12에 있어서,

데이터의 입력은,

p형(또는 n형) 우물구조를 통해 단위소자배열에서 어드레스가 지정되고, 상기 지정된 어드레스의 게이트(G)의 워드라인을 통하여 입력된 데이터가 지속적으로 저장되는 것을 특징으로 하는 기억소자시스템

24 24

실리콘 기판에 불순물 확산에 의해 형성된 p형(또는 n형) 우물구조인 제 1단자와, 상기 제 1단자의 영역안에 형성된 소오스인 제 2단자와, 드레인인 제 3단자와, 그리고 강유전체게이트를 제 4단자로 하여 구성된 하나의 트랜지스터만으로 데이터를 읽고 쓰는 메모리소자의 제조방법에 있어서,

n-type(p-type)의 실리콘기판(Si-wafer)을 사용하여 p형(n형) 우물구조(8)를 형성하는 p형(n형)우물구조형성과정과,

상기 p(n형)형우물구조형성과정에서 p형(또는 n형) 우물구조(8)가 형성되면, 상기 p형(또는 n형) 우물구조(8)내에 소오스(S)와 드레인(D)의 구역을 설정하는 소오스드레인구역설정과정과,

상기 소오스드레인구역설정과정에서 소오스(S)와 드레인(D)의 구역이 설정되면, 상기 소오스(S)와 드레인(D) 사이에 게이트(G)를 형성하도록 게이트(G)영역을 구분하여 게이트(G) 창을 여는 게이트창열림과정과,

상기 게이트창열림과정에서 게이트(G)의 창이 열리면, 상기 게이트(G)에 게이트 유전층을 형성하는 게이트유전층형성과정과,

상기 게이트유전층형성과정에서 게이트유전체가 형성되면, 상기 게이트유전체에 백금을 도포하는 게이트전극도포과정과,

상기 게이트전극도포과정에서 백금이 도포되면, 상기 게이트 유전체에 산화막을 형성하는 게이트산화막형성과정과,

상기 게이트산화막형성과정에 의해 산화막이 형성되면, 상기 소오스(S), 드레인(D), p형(또는 n형) 우물구조(8)의 각 접촉창(30, 40, 50)을 여는 접촉창열림과정과,

상기 접촉창열림과정에서 각 접촉창(30, 40, 50)이 열리면, 상기 각 접촉창(30, 40, 50)에 금속을 도포하는 접촉창금속도포과정과,

상기 접촉창금속도포과정에서 금속이 도포되면, 상기 소오스(S)는 읽기용 비트라인(6)(도면에 굵은점선 테두리로 표시)과, 드레인(D)은 읽기용 워드라인(5)(도면에 2점쇄선 테두리로 표시)과, p형(또는 n형) 우물구조(8)는 쓰기용 워드라인(3)과, 게이트(G)는 쓰기용 비트라인(4)으로 연결하는 연결과정을 포함하는 메모리소자의 제조방법

25 25

청구항 24에 있어서,

상기 메모리소자의 제조방법은 기록된(쓰여진) 데이터를 지속적으로 저장하고, 상기 저장된 데이터를 파괴하지 않고 판독해낼 수 있는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자의 제조방법인 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

26 26

청구항 24 또는 청구항 25에 있어서,

상기 p형(또는 n형) 우물구조는,

n-type(p-type)의 실리콘기판(Si-wafer)을 사용하는 경우에 p형(n형) 우물구조가 상기 p형(n형) 우물구조단자로 사용되는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

27 27

청구항 25에 있어서,

상기 p형(또는 n형) 우물구조는 기억소자의 기초단위(MEMORY CELL)에서 분리되어 사용되는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

28 28

청구항 26에 있어서,

상기 게이트전극도포과정에서 사용되는 전극은,

Pt를 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

29 29

청구항 26에 있어서,

상기 전극도포과정에서 사용되는 전극은,

Al을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

30 30

청구항 26에 있어서,

상기 전극도포과정에서 사용되는 전극은,

W를 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

31 31

청구항 26에 있어서,

상기 전극도포과정에서 사용되는 전극은,

Pt/W-B-N을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

32 32

청구항 26에 있어서,

상기 전극도포과정에서 사용되는 전극은,

Pt/W-N을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

33 33

청구항 26에 있어서,

상기 전극도포과정에서 사용되는 전극은,

Al/Pt를 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

34 34

청구항 26에 있어서,

상기 전극도포과정에서 사용되는 전극은,

Al/Pt/W-N을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

35 35

청구항 26에 있어서,

상기 전극도포과정에서 사용되는 전극은,

Al/Pt/W-B-N을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

36 36

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 강유전체는,

SBT(SrBi2Ta2O9)의 강유전체박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

37 37

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 강유전체는,

PZT(PbZrTiO3)의 강유전체박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

38 38

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 강유전체는,

PLZT(PbLnZrTiO3)의 강유전체박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

39 39

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 강유전체는,

BST(BaSrTiO3)의 강유전체박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

40 40

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 강유전체는,

SBTN(SrBi2TaNb209)의 강유전체박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자의 제조방법

41 41

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 절연막은,

CeO2의 절연막을 사용하여 실리콘기판위에 게이트를 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 메모리소자 제조방법

42 42

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 절연막은,

Y2O3의 절연막을 사용하여 Si 기판위에 게이트를 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 메모리소자 제조방법

43 43

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 절연막은,

YMNO3의 절연막을 사용하여 Si 기판위에 게이트를 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 메모리소자 제조방법

44 44

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 절연막은,

SiO2의 절연막을 사용하여 Si 기판위에 게이트를 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 메모리소자 제조방법

45 45

청구항 26에 있어서,

상기 게이트유전층형성과정에서 사용되는 절연막은,

SiON의 절연막을 사용하여 Si 기판위에 게이트를 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 메모리소자 제조방법

46 46

청구항 24 내지 청구항 45 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 하부 실리콘기판은,

절연층위에 형성된 실리콘기판인 SOI(silicon on insulator)를 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리소자 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01050051 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 US06532166 US 미국 FAMILY
3 WO2000008649 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU2642799 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU2642799 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 EP1050051 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 US6532166 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO0008649 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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