| 1 |
1
자가 파괴가 가능한 플래시 메모리 칩에 있어서, 데이터를 저장하는 플래시 메모리 셀; 상기 플래시 메모리 셀에 저장된 데이터를 영구 삭제하도록 상기 플래시 메모리 셀로 열을 공급하는 히터 모듈; 및 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링하고 상기 히터 모듈을 제어하는 센서 모듈을 포함하고, 상기 히터 모듈은, 전자기파, 레이저 또는 자외선 중 적어도 어느 하나를 흡수하여 에너지로 변환함으로써 열을 방출하는 플래시 메모리 칩
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 히터 모듈은, 상기 플래시 메모리 셀에 대한 열 전달 효율이 증가되도록 모놀리식 인테그레이션 방식으로 상기 플래시 메모리 칩 내에 삽입되는, 플래시 메모리 칩
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 히터 모듈은, 상기 플래시 메모리 칩에 포함되는 상단 패키지의 하부 또는 상기 플래시 메모리 셀에 포함되는 기판의 내부에 삽입되는, 플래시 메모리 칩
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 히터 모듈은, PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 공정을 통하여 증착되고, 노광 공정(Photo lithography) 및 식각 공정(Etching)을 통해 형성되는, 플래시 메모리 칩
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 센서 모듈은, 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링하기 위하여, 상기 플래시 메모리 칩의 개봉, 위치 변화, 가속도 변화, 기울기 변화, 온도 변화, 습도 변화, 상기 플래시 메모리 칩에 대한 충격 발생, X선 노출, 화학 물질 노출 또는 가스 노출 중 적어도 어느 하나를 포함하는 이상 신호를 감지하는, 플래시 메모리 칩
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 센서 모듈은, 상기 이상 신호를 감지하여 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링한 결과를 자가 판단하고, 자가 판단 결과에 따라 상기 히터 모듈에 명령 신호를 인가하는, 플래시 메모리 칩
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 센서 모듈은, 상기 이상 신호를 감지하여 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링한 결과를 상기 플래시 메모리 칩과 연결된 통제소로 전달하며, 상기 통제소로부터 수신되는 마이크로파, 초음파, 전파, 전자기파로부터 제공된 무선 판단 신호에 응답하여 상기 히터 모듈에 명령 신호를 인가하는, 플래시 메모리 칩
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 히터 모듈은, 상기 플래시 메모리 셀로 150 내지 300℃의 열을 공급하는, 플래시 메모리 칩
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 히터 모듈은, 상기 플래시 메모리 칩의 면적 이하의 면적을 갖도록 형성되는, 플래시 메모리 칩
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 히터 모듈은, 고농도로 도핑된 n 형 폴리실리콘, 고농도로 도핑된p 형 폴리실리콘 또는 전도성을 갖는 무기물, 유기물, 세라믹, 고분자 물질 중 적어도 어느 하나로 구성되어 발열 특성을 갖는, 플래시 메모리 칩
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 플래시 메모리 셀은, 플로팅 게이트(Floating gate) 메모리 셀, 차지 트랩 레이어(Charge trap layer) 메모리 셀, 상 변화 메모리 셀(Phase Change Memory; PcRAM), 저항 변화 메모리 셀 (Resistive switching Random Access Memory; RRAM), 자기 저항 메모리 셀 (Magnetic Random Access Memory; MRAM), 폴리머 메모리 셀 (Polymer Random Access Memory; PoRAM) 또는 멤리스터(Memristor) 셀 중 어느 하나를 포함하는, 플래시 메모리 칩
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 플래시 메모리 칩은, SSD(Solid-State Drive), USB(Universal Serial Bus), SD(Secure Digital) Card 형태의 전자기기에 탑재되거나, 메모리 프로토콜로 전자기기에 탑재되어 외장 메모리로 사용되는, 플래시 메모리 칩
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 플래시 메모리 칩은, NOR 구조, NAND 구조 또는 수직형 구조(Vertical-NAND) 중 적어도 어느 하나의 셀 설계를 기반으로 하는, 플래시 메모리 칩
|
| 15 |
15
데이터를 저장하는 플래시 메모리 셀을 포함하는 플래시 메모리 칩에 조립되는 플래시 메모리 자가 파괴 장치에 있어서, 상기 플래시 메모리 셀에 저장된 데이터를 영구 삭제하도록 상기 플래시 메모리 셀로 열을 공급하는 히터 모듈; 및 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링하고 상기 히터 모듈을 제어하는 센서 모듈을 포함하고, 상기 히터 모듈은, 전자기파, 레이저 또는 자외선 중 적어도 어느 하나를 흡수하여 에너지로 변환함으로써 열을 방출하는 플래시 메모리 자가 파괴 장치
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 히터 모듈은, 상기 플래시 메모리 칩 내에 삽입되는 별도의 반도체 공정이 요구되지 않도록 상기 플래시 메모리 칩의 외부에 형성되는, 플래시 메모리 자가 파괴 장치
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 히터 모듈은, 상기 플래시 메모리 칩에 포함되는 상단 패키지의 외부 표면에 위치하거나, 상기 플래시 메모리 셀에 포함되는 기판과 상기 플래시 메모리 칩의 하부에 조립되는 하단 패키지 사이 또는 상기 하단 패키지의 하부에 위치하는, 플래시 메모리 자가 파괴 장치
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
제15항에 있어서,상기 센서 모듈은, 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링하기 위하여, 상기 플래시 메모리 칩의 개봉, 위치 변화, 가속도 변화, 기울기 변화, 온도 변화, 습도 변화, 상기 플래시 메모리 칩에 대한 충격 발생, X선 노출, 화학 물질 노출 또는 가스 노출 중 적어도 어느 하나를 포함하는 이상 신호를 감지하는, 플래시 메모리 자가 파괴 장치
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 센서 모듈은, 상기 이상 신호를 감지하여 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링한 결과를 자가 판단하고, 자가 판단 결과에 따라 상기 히터 모듈에 명령 신호를 인가하는, 플래시 메모리 자가 파괴 장치
|
| 21 |
21
제19항에 있어서,상기 센서 모듈은, 상기 이상 신호를 감지하여 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링한 결과를 자가 판단하고, 자가 판단 결과를 상기 플래시 메모리 칩과 연결된 통제소로 전달하며, 상기 통제소로부터 수신되는 마이크로파, 초음파, 전파, 전자기파로부터 제공된 무선 신호에 응답하여 상기 히터 모듈에 명령 신호를 인가하는, 플래시 메모리 자가 파괴 장치
|
| 22 |
22
플래시 메모리 칩의 자가 파괴를 지원하는 보안 동작 방법에 있어서, 센서 모듈에서, 상기 플래시 메모리 칩에 대한 이상 신호를 감지하여 상기 플래시 메모리 칩에 포함되는 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링하는 단계; 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 판단한 결과에 따라 히터 모듈에 명령 신호를 인가하는 단계; 및 상기 센서 모듈에 의해 제어되는 히터 모듈에서 전자기파, 레이저 또는 자외선 중 적어도 어느 하나를 흡수하여 에너지로 변환함으로써, 상기 플래시 메모리 셀에 저장된 데이터를 영구 삭제하도록 상기 플래시 메모리 셀로 열을 공급하는 단계를 포함하는 보안 동작 방법
|
| 23 |
23
컴퓨터와 결합하여 플래시 메모리 칩의 자가 파괴를 지원하는 보안 동작 방법을 실행시키기 위해 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램에 있어서, 상기 보안 동작 방법은, 상기 플래시 메모리 칩에 대한 이상 신호를 감지하여 상기 플래시 메모리 칩에 포함되는 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 모니터링하는 단계; 상기 플래시 메모리 셀의 위험 여부를 판단한 결과에 따라 히터 모듈에 명령 신호를 인가하는 단계; 및 상기 히터 모듈이 전자기파, 레이저 또는 자외선 중 적어도 어느 하나를 흡수하여 에너지로 변환함으로써, 상기 플래시 메모리 셀로 상기 플래시 메모리 셀에 저장된 데이터를 영구 삭제하기 위한 열을 공급하도록 제어하는 단계를 포함하는 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
|
