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도전성 탄소 나노물질의 제조를 위한 열플라즈마 반응기 및그 방법

  • 기술번호 : KST2015159142
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도전성 탄소나노 물질의 제조를 위한 열플라즈마 반응기 관한 것으로서, 상세하게는 열플라즈마 토치에 의해 발생된 고온(3000 K -15000 K), 고속(100 m/s -1500 m/s)의 플라즈마 제트에 탄소소스를 주입하여 분해시킴으로써 비표면적은 크면서 전기 전도성이 우수한 나노크기의 탄소 물질을 제조하기 위한 반응기에 관한 것이다. 본 발명에서 고안된 열플라즈마 반응기에 의해 생성된 나노크기의 탄소 물질은 기존의 전도성 카본블랙에 비해 비표면적이 클 뿐만 아니라 전기 전도성이 우수하여, 이차 전지의 도전제, 촉매 담지체, 대전 방지용 전도성 고분자 복합 재료의 전도성 첨가물 등에 사용되기에 적합하다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01) C01B 32/15(2013.01)
출원번호/일자 1020050038304 (2005.05.09)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0684933-0000 (2007.02.13)
공개번호/일자 10-2006-0116285 (2006.11.15) 문서열기
공고번호/일자 (20070220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍상희 대한민국 경기 용인시
2 최신일 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김병주 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)
2 김성헌 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** 비봉빌딩 *층(장백국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)플라즈닉스 인천광역시 남동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2005-0240950-87
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2005.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-5058122-68
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0038768-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0382529-45
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0631863-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0672259-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고온(3000 K -15000 K), 고속(100 m/s - 1500 m/s)의 열유체 플라즈마를 발생시키는 열플라즈마 토치와;상기 열플라즈마토치에서 발생되는 플라즈마의 유동 방향으로 확장되는 반응관과;상기 발생된 고온 고속의 플라즈마에 탄소성분의 탄소소스를 주입하는 원료 주입구;를 포함하는,도전성 탄소 나노물질을 제조하기 위한 열플라즈마 반응기
2 2
제1항에 있어서, 상기 열플라즈마 토치의 내부 단면적은 전기 에너지 1 kW당 0
3 3
제1항에 있어서,상기 원료주입구를 통해 주입되는 탄소소스는 25 m/s 이상의 속도로 주입되는 것을 특징으로 하는, 도전용 탄소 나노물질을 제조하기 위한 열플라즈마 반응기
4 4
제1항에 있어서,상기 반응관의 직경은 상기 플라즈마 토치 내경의 5배 이하인 것을 특징으로 하는,도전용 탄소 나노물질을 제조하기 위한 열플라즈마 반응기
5 5
제1항에 있어서, 상기 플라즈마의 고온영역을 확장시키기 위해 상기 플라즈마의 유동 방향으로 확장되는 확장반응관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 도전성 탄소 나노물질을 제조하기 위한 열플라즈마 반응기
6 6
탄소나노물질을 제조하는 방법에 있어서, 플라즈마 토치내에 3000K이상, 100m/s 이상의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마를 제공하는 단계와;상기 플라즈마 토치의 내경보다 큰 내경을 갖는 반응관을 제공하는 단계와;상기 발생된 플라즈마에 25m/s 이상의 분사속도로 탄소소스를 제공하는 단계와상기 발생된 플라즈마와 상기 제공된 탄소소스를 반응시키는 단계를 포함하는, 탄소나노물질을 제조하는 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.