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전하저장층을 가진 유기 메모리 소자, 구동 방법 및 그제조 방법

  • 기술번호 : KST2015159301
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전하저장층을 가진 유기 메모리 소자, 구동 방법 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 유기 메모리 소자는 금속과 절연체 또는 반도체와 절연체의 혼합층으로 구성된 전하저장층이 유기물 반도체층 내에 삽입되어 있고, 전하저장층의 금속 또는 반도체에 전하가 저장되고, 저장된 전하는 전하저장층의 절연체의 에너지 장벽에 의해 빠져나가지 못하도록 하는 것을 특징으로 한다. 단순한 박막 적층형 소자 구조를 가지고 있고, 별도의 처리 없이도 균일한 전하저장층 형성이 가능하여 제작이 용이한 특성이 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01)
출원번호/일자 1020060037594 (2006.04.26)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0746137-0000 (2007.07.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 서울 양천구
2 김재복 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0292205-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000452-11
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0237056-28
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나의 유기물 반도체층에 인접하여 형성된 전하저장층을 가지는 유기 메모리 소자에 있어서,상기 전하저장층은 절연체 모체와 상기 모체에 분산되어 있는 금속 또는 반도체 낱알 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 전하저장층은 두개의 유기물 반도체층 사이에 형성되어 있고, 상기 유기물 반도체층 외측으로는 전극이 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 전하저장층은 두개의 유기물 반도체층 사이에 형성되어 있고, 상기 전하저장층 하측에 제1 전극, 상기 유기물 반도체층 상측에 이격된 제2 및 제3 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 전하저장층은 여러개로 분리되어 있고 그 사이에 유전체층이 더 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전하저장층은 절연체인 LiF 모체와 상기 모체에 분산되어 있는 Al 낱알 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
6 6
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 낱알 구조의 각각의 낱알은 나노미터 크기인 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
7 7
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 유기 메모리 소자는 다중 상태 메모리(multiple state memory)인 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
8 8
0 V에서 VOC의 영역에서 쌍안정성(bistability)을 가지고 전압의 방향을 바꾸거나 전기적 펄스(pulse)의 극성(polarity)을 바꾸어 주는 것으로 쓰기와 지우기가 되는 유기 메모리 소자
9 9
적어도 하나의 유기물 반도체층에 인접하여 형성된 전하저장층을 가지는 유기 메모리 소자에 있어서, 상기 전하저장층은 절연체 모체와 상기 모체에 분산되어 있는 금속 또는 반도체 낱알 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자를 가지고,상기 유기 메모리 소자에 0 V와 10 V 사이의 전압을 인가하여 상기 낱알 구조에 전하를 저장하는 단계;상기 유기 메모리 소자에 0V와 VOC 사이의 전압을 인가하여 상기 저장된 전하가 상기 모체의 에너지 장벽에 의해 빠져나가지 못하게 됨으로써 형성된 빌트-인 퍼텐셜(built-in potential)에 의해 음의 전류가 흐르도록 하는 단계; 및상기 유기 메모리 소자에 인가하는 전압의 방향을 바꾸어 0 V와 -10 V 사이의 전압을 인가하거나, 전기적 펄스(pulse)의 극성(polarity)을 바꾸어 상기 빌트-인 퍼텐셜을 제거함으로써, 원래의 상태로 돌아가도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자 구동 방법
10 10
적어도 하나의 유기물 반도체층에 인접하여 형성된 전하저장층을 가지는 유기 메모리 소자 제조방법에 있어서,상기 전하저장층 형성시 Al과 LiF를 함께 증착함으로써, 상기 전하저장층이 절연체인 LiF 모체와 상기 모체에 분산되어 있는 Al 낱알 구조를 포함하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.