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계면 제어층을 포함하는 비휘발성 전기적 상변화 메모리소자 및 이의 제조방법
- 기술번호 : KST2014061294
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 신뢰성이 향상된 비휘발성 전기적 상변화 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상변화 물질층과 하부 전극층 사이의 접촉 구멍에 상변화 물질과의 화학적 결합력이 높고 하부 전극 물질에 비해 전기적 비저항 및 열전도도가 낮은 계면 제어층이 형성된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 본 발명의 비휘발성 전기적 상변화 메모리 소자는, 계면에서 상변화 물질과 전극 물질 사이의 접촉저항이 작고 상기 계면의 발열 및 열 구속 효과로 인해 상변화 물질층 내 온도 및 상분포가 균일하여, 셋/리셋 상태간의 신호비가 크고 동작전압 (또는 전류) 및 셋/리셋 저항의 요동의 크기와 산포가 작아 안정적인 소자 동작과 함께 사용 수명이 향상된 메모리 특성을 갖는다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060046409 (2006.05.24) |
| 출원인 | 한국과학기술연구원, 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0767333-0000 (2007.10.09) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20071017) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.05.24) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 강대환 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 2 | 김인호 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 3 | 정병기 | 대한민국 | 서울 성동구 |
| 4 | 정증현 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 5 | 이택성 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 6 | 김원목 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 7 | 김기범 | 대한민국 | 서울 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장성구 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 경기도 이천시 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.05.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0362450-22 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2006.06.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0082304-78 |
| 3 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2006.06.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0448479-39 |
| 4 | 대리인사임신고서 Notification of resignation of agent |
2006.10.11 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2006-0733903-16 |
| 5 | 대리인사임신고서 Notification of resignation of agent |
2006.10.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0747406-08 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0240092-33 |
| 7 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2007.06.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0413900-97 |
| 8 | 의견서 Written Opinion |
2007.06.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0413878-79 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.09.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0513929-79 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 실리콘 기판 상에 제 1 층간 절연층, 하부 전극층, 제 2 층간 절연층, 상변화 물질층 및 상부 전극층이 차례로 형성되어 있고, 상기 제 2 층간 절연층을 수직 방향으로 관통하여 상기 상변화 물질층 및 하부 전극층을 연결하는 접촉 구멍 (contact hole)이 구비되어 그 내부에 상기 상변화 물질 또는 하부 전극 물질이 채워져 있으며, 이때 상변화 물질과 하부 전극 물질이 만나는 접촉면에, 상변화 물질과의 화학적 결합력이 크고 하부 전극 물질에 비해 전기적 비저항 및 열전도도가 낮은 계면 제어층이 형성되어 있는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 비휘발성 전기적 상변화 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,계면 제어층이, 접촉 구멍의 상단부 또는 하단부에서 상변화 물질층과 접촉하는 하부 전극 물질의 산화물 또는 상변화 물질층과는 다른 Ge-Sb-Te 계열 물질인 것을 특징으로 하는 메모리 소자 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,전극 물질의 산화물이 Ti, TiN, TiAlN, W 및 WN으로 이루어진 군에서 선택된 물질의 산화물인 것을 특징으로 하는 메모리 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,계면 제어층은 두께가 20 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 메모리 소자 |
| 5 |
5 1) 실리콘 기판 위에 제 1 층간 절연층 및 하부 전극층을 차례로 증착하고 그 위에 다시 제 2 층간 절연층을 증착한 후, 포토 및 식각 공정을 통해서 상기 제 2 층간 절연층에 접촉 구멍을 형성하여 하부 전극을 노출시키거나 또는 형성된 접촉 구멍 안에 하부 전극 물질을 충진하여, 접촉 구멍의 하단부 또는 상단부에 접촉면을 형성하는 단계;2) 상기 접촉 구멍 내의 접촉면에, 상변화 물질과의 화학적 결합력이 크고 하부 전극 물질에 비해 전기적 비저항 및 열전도도가 낮은 계면 제어층을 형성하는 단계; 및3) 상기 계면 제어층을 포함하는 제 2 층간 절연층 위에 상변화 물질층과 상부 전극층을 차례로 증착하고 각각 포토 및 식각 공정을 통해 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 비휘발성 전기적 상변화 메모리 소자의 제조방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,계면 제어층이, 접촉면의 노출된 전극을 산소 분위기 하에서 열처리하거나 산소 플라즈마에 의해 산화시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법 |
| 7 |
7 제 5 항에 있어서,계면 제어층이, 접촉면의 노출된 전극에 이온을 주입하여 전극 산화물을 증착시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법 |
| 8 |
8 제 5 항에 있어서,계면 제어층이, 접촉면의 노출된 전극 상에 별도의 전극 산화물을 증착시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법 |
| 9 |
9 제 5 항에 있어서,계면 제어층이, 접촉면의 노출된 전극 상에 Ge-Sb-Te 계열의 상변화 물질을 증착시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 제조방법 |
| 10 |
10 제 6 내지 8 항 중 어느 한 항에 있어서,전극 산화물이, Ti, TiN, TiAlN, W 및 WN으로 이루어진 군에서 선택된 물질의 산화물인 것을 특징으로 하는 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07851778 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20070272987 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2007272987 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US7851778 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0767333-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060524 출원 번호 : 1020060046409 공고 연월일 : 20071017 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070921 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 계면 제어층을 포함하는 비휘발성 전기적 상변화 메모리소자 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
| 2 |
(의무자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 2 |
(권리자) 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시... |
| 2 |
(의무자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 310,500 원 | 2007년 10월 10일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2010년 10월 01일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2011년 09월 30일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2012년 09월 28일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2013년 09월 30일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2014년 09월 30일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2015년 10월 02일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 790,000 원 | 2016년 09월 23일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 790,000 원 | 2017년 09월 25일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 790,000 원 | 2018년 09월 20일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 910,000 원 | 2019년 09월 25일 | 납입 |
| 제 14 년분 | 금 액 | 910,000 원 | 2020년 09월 24일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.05.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0362450-22 |
| 2 | 보정요구서 | 2006.06.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0082304-78 |
| 3 | 서지사항보정서 | 2006.06.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0448479-39 |
| 4 | 대리인사임신고서 | 2006.10.11 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2006-0733903-16 |
| 5 | 대리인사임신고서 | 2006.10.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0747406-08 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2007.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0240092-33 |
| 7 | 명세서등보정서 | 2007.06.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0413900-97 |
| 8 | 의견서 | 2007.06.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0413878-79 |
| 9 | 등록결정서 | 2007.09.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0513929-79 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술번호 | KST2014061294 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술연구원 |
| 기술명 | 계면 제어층을 포함하는 비휘발성 전기적 상변화 메모리소자 및 이의 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 신뢰성이 향상된 비휘발성 전기적 상변화 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상변화 물질층과 하부 전극층 사이의 접촉 구멍에 상변화 물질과의 화학적 결합력이 높고 하부 전극 물질에 비해 전기적 비저항 및 열전도도가 낮은 계면 제어층이 형성된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 본 발명의 비휘발성 전기적 상변화 메모리 소자는, 계면에서 상변화 물질과 전극 물질 사이의 접촉저항이 작고 상기 계면의 발열 및 열 구속 효과로 인해 상변화 물질층 내 온도 및 상분포가 균일하여, 셋/리셋 상태간의 신호비가 크고 동작전압 (또는 전류) 및 셋/리셋 저항의 요동의 크기와 산포가 작아 안정적인 소자 동작과 함께 사용 수명이 향상된 메모리 특성을 갖는다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 비휘발성 차세대 메모리 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1340011599 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2003 |
| 연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
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