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상변화 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159156
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020050086454 (2005.09.15)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0713943-0000 (2007.04.25)
공개번호/일자 10-2007-0031714 (2007.03.20) 문서열기
공고번호/일자 (20070507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.15)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울 관악구
2 이태연 대한민국 서울 동작구
3 안동호 대한민국 서울 관악구
4 이동복 대한민국 경남 밀양시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0517725-39
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2005.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-5114523-66
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0054097-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0573194-78
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0818533-31
7 의견서
Written Opinion		 2006.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0818534-87
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0060060-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부전극;상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층; 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층; 및상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하되, 상기 다공성 부도체 박막은 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질, 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질 및 Silica 계열의 물질 중 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 상변화 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질로는 (H-SiO3/2)n, (alkyl-SiO3/2)n, (alkenyl-SiO3/2)n, (alkoxy-SiO3/2)n 및 (aryl-SiO3/2)n 중 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질로는 SiLKTM(Dow chemial), ZirconTM(Shipley) 및 NanoglassTM(Honeywell) 중 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 Silica 계열의 물질로는 CoralTM(Novellus), Black DiamondTM(Applied Materials) 및 AuroraTM(ASM) 및 OrionTM(Trikon) 중 선택된 어느 하나를 사용하는 상변화 메모리 소자
4 4
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 기공의 크기는 1×1nm2~5×5nm2 인 상변화 메모리 소자
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 다공성 부도체 박막은 1~10nm 정도의 두께로 형성된 상변화 메모리 소자
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 발열체는 상기 하부전극과 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 발열체는 TiN, TaN, WN, MoN, NbN, TiSiN, TiAlN, TiBN, WBN, ZrAlN, MoSiN, MoAlN, TaSiN, TaAlN, Ti, W, Mo, Ta, TiSi, TaSi, TiON, TiAlON, WON, TaON 및 도전성 탄소 계열 물질 중에서 선택된 어느 하나 혹은 그 조합으로 이루어진 상변화 메모리 소자
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 상변화 물질은 상기 상변화층과 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 상변화 물질은 Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O으로 구성된 칼코제나이드(chalcogenide) 물질로 이루어지거나, GeaSbbTec(a, b, c는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0<a,b,c<1), IndAgeSbfTeg(d, e, f는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0<d,e,f,g<1)과 같은 일군의 화합물 중 선택된 화합물로 이루어진 상변화 메모리 소자
10 10
하부전극이 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 하부전극 상에 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질, 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질 및 Silica 계열의 물질 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지며 복수의 기공을 갖는 다공성 부도체 박막을 형성하는 단계;상기 다공성 부도체 박막에 형성된 상기 기공을 발열체로 채워 오믹 컨택층을 형성하는 단계;상기 오믹 컨택층 상에 상변화층을 형성하는 단계; 및상기 상변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
11 11
하부전극이 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 하부전극 상에 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질, 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질 및 Silica 계열의 물질 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지며 복수의 기공을 갖는 다공성 부도체 박막을 형성하는 단계;상기 다공성 부도체 박막의 상기 기공이 채워지도록 상기 다공성 부도체 박막 상에 상변화층을 형성하는 단계; 및상기 상변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
12 12
삭제
13 13
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질로는 (H-SiO3/2)n, (alkyl-SiO3/2)n, (alkenyl-SiO3/2)n, (alkoxy-SiO3/2)n 및 (aryl-SiO3/2)n 중 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질로는 SiLKTM(Dow chemial), ZirconTM(Shipley) 및 NanoglassTM(Honeywell) 중 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 Silica 계열의 물질로는 CoralTM(Novellus), Black DiamondTM(Applied Materials) 및 AuroraTM(ASM) 및 OrionTM(Trikon) 중 선택된 어느 하나를 사용하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 기공의 크기는 1×1nm2~5×5nm2 인 상변화 메모리 소자의 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 다공성 부도체 박막은 1~10nm 정도의 두께로 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
16 16
제 10 항에 있어서, 상기 발열체는 상기 하부전극과 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 발열체는 TiN, TaN, WN, MoN, NbN, TiSiN, TiAlN, TiBN, WBN, ZrAlN, MoSiN, MoAlN, TaSiN, TaAlN, Ti, W, Mo, Ta, TiSi, TaSi, TiON, TiAlON, WON, TaON 및 도전성 탄소 계열 물질 중에서 선택된 어느 하나 혹은 그 조합으로 이루어진 상변화 메모리 소자의 제조방법
18 18
제 11 항에 있어서, 상기 상변화층은 상변화 물질로 이루어지되, 상기 상변화 물질은 Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O으로 구성된 칼코제나이드(chalcogenide) 물질로 이루어지거나, GeaSbbTec(a, b, c는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0<a,b,c<1), IndAgeSbfTeg(d, e, f는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0<d,e,f,g<1)과 같은 일군의 화합물 중 선택된 화합물로 이루어진 상변화 메모리 소자의 제조방법
19 19
제 10 항에 있어서, 상기 발열체는 화학기상증착법, 물리기상증착법, 원자층증착법 또는 스핀 코팅법으로 상기 기공에 채워지는 상변화 메모리 소자의 제조방법
20 20
제 11 항에 있어서, 상기 상변화층은 화학기상증착법, 물리기상증착법, 원자층증착법 또는 스핀 코팅법으로 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.