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저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드 및 이를이용한 저항변화기록소자와 저항변화 랜덤 액세스 메모리

  • 기술번호 : KST2015159989
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드 및 이를 이용한 저항변화기록소자와 저항변화 랜덤 액세스 메모리가 개시된다. 본 발명에 따른 저항변화기록소자는 저항변화특성을 나타내는 메모리 소자와 스위칭 다이오드가 직렬로 연결된다. 그리고 메모리 소자는 전기적 신호에 의해 전기저항이 변하는 물질로 이루어진 저항변화층과 저항변화층의 일측면에 접촉되게 형성되며 전도성 물질로 이루어진 제1전도층과 저항변화층의 타측면에 접촉되게 형성되며 전도성 물질로 이루어진 제2전도층을 구비한다. 그리고 스위칭 다이오드는 반도체 물질로 이루어진 반도체층과 반도체층의 일면과 접촉되게 형성되어 반도체층과 쇼트키 접합을 이루며 전도성 물질로 이루어진 쇼트키 접합층과 반도체층의 타면과 접촉되게 형성되어 반도체층과 오믹 접합을 이루며 전도성 물질로 이루어진 오믹 접합층을 구비한다. 본 발명에 따른 저항변화기록소자는 쇼트키 타입의 스위칭 다이오드를 이용하므로 순방향 전류와 역방향 전류의 비가 크게 된다. 또한 낮은 판독전압에서도 온/오프(on/off) 전류비가 크게 되어 저항변화기록소자에 기록된 정보를 작은 전력으로도 명확하게 판독할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 27/2409(2013.01) H01L 27/2409(2013.01) H01L 27/2409(2013.01) H01L 27/2409(2013.01)
출원번호/일자 1020080023843 (2008.03.14)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0976424-0000 (2010.08.11)
공개번호/일자 10-2009-0098443 (2009.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.14)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0187049-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.04.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0030481-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0504387-91
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0078896-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0078900-65
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0137430-72
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0266966-77
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0266981-52
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0201018-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-TiO2로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층의 일면과 접촉되게 형성되어 상기 반도체층과 쇼트키 접합을 이루며, 전도성 물질로 이루어진 쇼트키 접합층; 상기 반도체층의 타면과 접촉되게 형성되어 상기 반도체층과 오믹 접합을 이루며, (In, Sn)2O3(ITO)로 이루어진 오믹 접합층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 쇼트키 접합층은 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루쎄늄(Ru), 금(Au), 오스뮴(Os) 및 레니움(Re) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 오믹 접합층의 두께는 5 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드
7 7
제1항에 있어서, 상기 반도체층과의 사이에 상기 오믹 접합층이 배치되도록 상기 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드
8 8
제7항에 있어서, 상기 보호층은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드
9 9
저항변화특성을 나타내는 메모리 소자와 스위칭 다이오드가 직렬로 연결되며, 상기 메모리 소자는, 전기적 신호에 의해 전기저항이 변하는 물질로 이루어진 저항변화층; 상기 저항변화층의 일측면에 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 제1전도층; 및 상기 저항변화층의 타측면에 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 제2전도층;을 구비하고, 상기 스위칭 다이오드는, n-TiO2로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층의 일면과 접촉되게 형성되어 상기 반도체층과 쇼트키 접합을 이루며, 전도성 물질로 이루어진 쇼트키 접합층; 및 상기 반도체층의 타면과 접촉되게 형성되어 상기 반도체층과 오믹 접합을 이루며, (In, Sn)2O3(ITO)로 이루어진 오믹 접합층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제9항에 있어서, 상기 오믹 접합층의 두께는 5 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자
14 14
제9항에 있어서, 상기 메모리 소자에 구비된 저항변화층은 페로브스카이트(perovskite), 전이금속 산화물 및 칼코제나이드계 물질 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자
15 15
제9항에 있어서, 상기 메모리 소자에 구비된 제1전도층과 제2전도층 및 상기 스위칭 다이오드에 구비된 쇼트키 접합층은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자
16 16
제9항에 있어서, 상기 메모리 소자에 구비된 제1전도층 및 제2전도층 중 어느 하나와 상기 스위칭 다이오드에 구비된 쇼트키 접합층이 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자
17 17
제16항에 있어서, 상기 메모리 소자에 구비된 제1전도층 및 제2전도층 중 상기 쇼트키 접합층과 직렬로 연결된 어느 하나와 상기 쇼트키 접합층은 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자
18 18
제16항에 있어서, 상기 스위칭 다이오드는, 상기 스위칭 다이오드에 구비된 반도체층과의 사이에 상기 스위칭 다이오드에 구비된 오믹 접합층이 배치되도록 상기 스위칭 다이오드에 구비된 오믹 접합층의 일면과 접촉되게 형성되며, 전도성 물질로 이루어진 보호층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자
19 19
제18항에 있어서, 상기 보호층은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자
20 20
행 및 열로 정렬되는 저항변화기록소자의 어레이로서, 상기 저항변화기록소자는, 어느 한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 전기적 신호에 의해 전기저항이 변하는 물질로 이루어진 저항변화층; 상기 저항변화층 상에 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 쇼트키 접합층; 상기 쇼트키 접합층 상에 상기 쇼트키 접합층과 쇼트키 접합되도록 형성되고, n-TiO2로 이루어진 반도체층; 상기 반도체층 상에 상기 반도체층과 오믹 접합되도록 형성되고, (In, Sn)2O3(ITO)로 이루어진 오믹 접합층; 및 상기 오믹 접합층 상에 상기 하부 전극의 형성방향과 서로 다른 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 상부 전극;을 포함하고, 상기 각각의 저항변화기록소자는 인접한 저항변화기록소자와 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극을 공유하여 어레이를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리
21 21
행 및 열로 정렬되는 저항변화기록소자의 어레이로서, 상기 저항변화기록소자는, 어느 한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 전기적 신호에 의해 전기저항이 변하는 물질로 이루어진 저항변화층; 상기 저항변화층 상에 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 전도층; 상기 전도층 상에 형성되고, (In, Sn)2O3(ITO)로 이루어진 오믹 접합층; 상기 오믹 접합층 상에 상기 오믹 접합층과 오믹 접합되도록 형성되고, n-TiO2로 이루어진 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 상기 하부 전극의 형성방향과 서로 다른 방향으로 길게 뻗은 형상으로 상기 반도체층과 쇼트키 접합되도록 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 상부 전극;을 포함하고, 상기 각각의 저항변화기록소자는 인접한 저항변화기록소자와 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극을 공유하여 어레이를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리
22 22
제20항 또는 제21항에 있어서, 상기 하부 전극의 형성방향과 상기 상부 전극의 형성방향이 직교하는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리
23 23
삭제
24 24
삭제
25 25
삭제
26 26
제20항 또는 제21항에 있어서, 상기 오믹 접합층의 두께는 5 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리
27 27
제20항에 있어서, 상기 하부 전극, 상기 쇼트키 접합층 및 상기 상부 전극은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리
28 28
제21항에 있어서, 상기 하부 전극, 상기 전도층 및 상기 상부 전극은 백금, 이리듐, 루쎄늄, 금, 오스뮴 및 레니움 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.