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비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015137540
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 전도체 층 사이에 형성된 부도체 층으로 이루어지는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극에 인접하여 형성된 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 금속 나노입자 층; 상기 금속 나노입자 층에 인접하여 형성된 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 및 상기 제2 금속산화물 층에 인접하여 형성된 제2 전극을 포함하는, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) H01L 29/792 (2006.01)
CPC H01L 27/11563(2013.01)
출원번호/일자 1020140023701 (2014.02.27)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0101866 (2015.09.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.25)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대형 대한민국 서울특별시 강남구
2 현택환 대한민국 서울특별시 강남구
3 손동희 대한민국 인천광역시 남동구
4 이종하 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0197891-93
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0044588-13
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0350263-31
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0487058-56
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0523357-37
6 보정요구서
Request for Amendment		 2014.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0090553-38
7 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2014.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0093356-65
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-5008847-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0346712-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2015.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0650673-30
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0985489-03
14 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.10.13 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0985470-36
15 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.10.13 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0987503-02
16 보정요구서
Request for Amendment		 2015.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0161321-31
17 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0165962-70
18 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0173511-35
19 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-1148640-71
20 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0189589-04
21 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0257408-11
22 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0557864-18
23 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0557898-60
24 등록결정서
Decision to grant		 2017.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0755897-50
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도체 층 사이에 형성된 부도체 층으로 이루어지는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자에 있어서,제1 전극;상기 제1 전극에 인접하여 형성된 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층;상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 금속 나노입자 층;상기 금속 나노입자 층에 인접하여 형성된 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 및상기 제2 금속산화물 층에 인접하여 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 금속 나노입자 층의 개수가 1층 내지 10층인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 Au, Pt 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 나노입자인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자의 크기는 2 nm 내지 40 nm인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자 층이, 나노입자들의 랭뮤어-블로젯 조립, 레이어-바이-레이어 조립 및 스핀코팅 조립으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서, 상기 제2 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
11 11
제1항에 있어서, 상기 제2 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
12 12
제1항에 있어서, 상기 제2 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자
13 13
(i) 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;(ii) 상기 제1 전극에 인접하여 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층을 형성하는 단계;(iii) 상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 금속 나노입자 층을 형성하는 단계;(iv) 상기 금속 나노입자 층에 인접하여 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층을 형성하는 단계; 및(v) 상기 제2 금속산화물 부도체 층에 인접하여 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 나노입자 층의 개수가 1층 내지 10층인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 (i)단계가 열증착, 전자빔증착 및 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 제1 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 (ii)단계가 마그네트론 스퍼터링 또는 원자층증착에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 제1 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
18 18
제13항에 있어서, 상기 제1 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
19 19
제13항에 있어서, 상기 (iii)단계가 랭뮤어-블로젯 조립, 레이어-바이-레이어 조립 및 스핀코팅 조립으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
20 20
제13항에 있어서, 상기 금속 나노입자가 Au, Pt 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 나노입자인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
21 21
삭제
22 22
삭제
23 23
제13항에 있어서, 상기 (iv)단계가 마그네트론 스퍼터링 또는 원자층증착에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
24 24
제13항에 있어서, 상기 제2 금속산화물이 이산화티타늄, 산화탄탈륨, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화알루미늄, 산화코발트, 산화아연, 산화마그네슘, 산화지르코늄 및 산화하프늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
25 25
제13항에 있어서, 상기 제2 금속산화물 부도체 층의 두께가 5 nm 내지 200 nm인 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
26 26
제13항에 있어서, 상기 (v)단계가 열증착, 전자빔증착 및 마그네트론 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택되는 공정에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
27 27
제13항에 있어서, 상기 제2 전극이 Al, Cu, Ag, Au, Pt, TiN, ITO, TaN, W, Mg, Zn 및 Fe로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 제조 방법
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1 WO2015130114 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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