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수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159958
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직채널에 더블 스플릿 게이트 구조를 갖는 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 선택 게이트를 수직채널을 갖도록 형성된 트렌치의 하부 양측에 두고 컨트롤 게이트를 공유하도록 함으로써, 종래 스플릿 게이트 메모리 소자의 장점(높은 프로그램 효율)은 그대로 살리며, 소요되는 면적을 대폭 줄일 수 있게 되었고, 본 발명에 의한 메모리 소자를 플래시 메모리 어레이에 응용할 경우 워드 라인, 비트 라인 및 선택 게이트 라인 각각에 하나의 컨택만 하면 되므로, 종래보다 컨택에 필요한 면적을 감소시켜 단위 셀 당 면적을 획기적으로 줄일 수 있는 효과가 있다. 수직채널, 스플릿 게이트, 선택 게이트, 플래시, 메모리 소자
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020080026239 (2008.03.21)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1037638-0000 (2011.05.23)
공개번호/일자 10-2009-0100799 (2009.09.24) 문서열기
공고번호/일자 (20110527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 윤장근 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0205560-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.05.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0035028-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0065826-26
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0242988-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0242983-92
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0355287-96
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0530086-85
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0530083-48
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0105641-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 트렌치를 사이에 두고 형성된 두 개의 실리콘 핀과; 상기 각 실리콘 핀 상단에 형성된 제 1 및 제 2 소스/드레인 영역과; 상기 제 1 및 제 2 소스/드레인 영역으로부터 수직으로 일정 거리 떨어지고 상기 트렌치의 바닥 양측에 서로 이격되며 실리콘 기판 상부에 제 1 절연막을 사이에 두고 형성된 제 1 및 제 2 선택게이트와; 상기 제 1 및 제 2 선택게이트 사이를 채우며 상기 제 1 및 제 2 선택게이트 상부 및 상기 각 실리콘 핀 상에 형성된 소정의 전하 저장층을 포함하는 제 2 절연막과; 상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 트렌치를 메우며 형성된 컨트롤 게이트와; 상기 제 1 및 제 2 선택게이트 사이를 중심으로 상기 트렌치의 바닥 밑에 형성된 제 3 소스/드레인 영역을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장층은 상기 각 실리콘 핀의 수직 측면 상에 전하 트랩 성질을 갖는 절연성 물질로 형성되고, 상기 제 2 절연막은 상기 전하 트랩 성질을 갖는 절연성 물질을 둘러싸며 형성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 전하 트랩 성질을 갖는 절연성 물질은 질화물(nitride)인 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장층은 상기 각 실리콘 핀의 수직 측면 상에 도전성 물질로 형성되고, 상기 제 2 절연막은 상기 도전성 물질을 둘러싸며 형성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자
5 5
삭제
6 6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 절연막은 상기 제 1 절연막과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자
7 7
제 1 항에 의한 메모리 소자를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 기판을 식각하여 소정의 높이를 가지며 일정거리 이격되도록 두 개의 실리콘 핀을 형성함으로써, 상기 실리콘 핀 사이에 소정의 트렌치를 형성하는 단계와; 상기 트렌치 상부에 제 1 절연막 형성을 위한 게이트 산화막을 성장시키고, 폴리실리콘을 증착한 후 평탄화시킨 다음, 리세스(recess) 공정을 통해 상기 트렌치의 하부에만 상기 폴리실리콘을 남기는 단계와; 상기 실리콘 기판 전면에 산화막을 증착하고 식각하여 상기 트렌치 양측에 산화막 스페이서를 형성하고, 상기 산화막 스페이서를 식각 마스크로 하여 상기 폴리실리콘을 식각하여 제 1 및 제 2 선택게이트를 형성하는 단계와; 상기 실리콘 기판 전면에 이온 주입을 실시하여 제 1 내지 제 3 소스/드레인 영역을 형성하는 단계와; 상기 산화막 스페이서를 제거하고, 전하 저장층을 포함한 제 2 절연막을 형성하기 위한 Oxide/Nitride/Oxide층을 순차 형성하는 단계와; 상기 실리콘 기판 전면에 폴리실리콘을 증착하고 사진 식각 공정을 통하여 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자를 제조하는 방법
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