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상변화 메모리 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160911
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상변화 메모리 소자 및 그의 제조방법에 관해 개시되어 있다. 본 발명의 상변화 메모리 소자는 스토리지 노드 및 이에 연결된 스위칭 소자를 포함하며, 상기 스토리지 노드는 전극과 상변화층 사이에 실리사이드 화합물을 포함하는 확산방지층을 구비할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080002636 (2008.01.09)
출원인 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0076597 (2009.07.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김철규 대한민국 서울특별시 서초구
2 권민호 대한민국 서울특별시 중랑구
3 강윤호 대한민국 경기 용인시 수지구
4 강윤선 대한민국 서울특별시 강남구
5 이태연 대한민국 서울 성북구
6 허성 대한민국 부산광역시 영도구
7 김기범 대한민국 서울 관악구
8 남성욱 대한민국 서울특별시 관악구
9 이동복 대한민국 경상남도 밀양시 멍

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0018704-79
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0007306-46
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0109837-44
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극과 상변화층을 구비한 스토리지 노드 및 이에 연결된 스위칭 소자를 포함하며, 상기 전극과 상기 상변화층 사이에 실리사이드 화합물을 포함하는 확산방지층을 구비하는 상변화 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 실리사이드 화합물은 실리사이드, 상기 실리사이드의 산화물 및 상기 실리사이드의 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 상변화 메모리 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 실리사이드는 티타늄 실리사이드, 탄탈륨 실리사이드, 코발트 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드 및 텅스텐 실리사이드 중 적어도 어도 하나인 상변화 메모리 소자
4 4
제 1 내지 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극은 실리콘을 포함하는 상변화 메모리 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전극은 하부전극인 상변화 메모리 소자
6 6
스토리지 노드 및 이에 연결된 스위칭 소자를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법에 있어서, 전극을 형성하는 단계; 상기 전극 상에 실리사이드 화합물을 포함하는 확산방지층을 형성하는 단계; 및 상기 확산방지층 상에 상변화층을 형성하는 단계;를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 실리사이드 화합물은 실리사이드, 상기 실리사이드의 산화물 및 상기 실리사이드의 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 실리사이드는 티타늄 실리사이드, 탄탈륨 실리사이드, 코발트 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드 및 텅스텐 실리사이드 중 적어도 어느 하나인 상변화 메모리 소자의 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 전극은 실리콘을 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
10 10
제 6 내지 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 확산방지층을 형성하는 단계는, 상기 전극 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 전극과 상기 금속층을 열처리하는 단계;를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 전극은 층간절연층의 콘택홀 내에 형성하고, 상기 금속층은 상기 전극 및 상기 층간절연층 상에 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 전극과 상기 금속층을 열처리하는 단계 후, 상기 열처리시 상기 전극과 반응하지 않고 상기 층간절연층 상에 잔류된 금속층을 제거하는 단계를 더 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 잔류된 금속층을 제거하는 단계 후, 상기 확산방지층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090173927 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009173927 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.