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나노입자의 분산방법 및 이를 이용한 나노입자 박막의제조방법
- 기술번호 : KST2015159494
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 나노입자 표면을 개질하여 전하를 띄는 나노입자와 기판간의 정전기적 인력과, 나노입자와 나노입자간의 반발력을 pH를 이용하여 조절하여 나노입자의 배열 밀도를 제어하고, 나노입자가 단일막으로 배열되는 과정에서 정전기적 힘 이외에 모세관력을 부가함으로써 고밀도의 균일한 단일막을 대면적으로 얻는 나노입자 박막의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 나노입자의 낮은 배열밀도, 대면적 균일성 및 응집의 문제를 해결하여 대면적으로 균일하게 도포된 고밀도의 나노입자 단일막을 형성할 수 있기 때문에 플래쉬 메모리(flash memory), D램(DRAM), 하드 디스크(hard disk), 발광소자(Light Emitting Device) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등 다양한 분야에 효과적으로 적용할 수 있다. 나노입자, PH, 모세관력, 균일, 단일층 |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020060105648 (2006.10.30) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0768632-0000 (2007.10.12) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20071018) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.10.30) |
| 심사청구항수 | 33 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최성재 | 대한민국 | 서울시 양천구 |
| 2 | 최재영 | 대한민국 | 경기 수원시 팔달구 |
| 3 | 장은주 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 4 | 불리아드 자비에 | 스위스 | 서울시 관악구 |
| 5 | 강유진 | 대한민국 | 대전광역시 중구 |
| 6 | 배완기 | 대한민국 | 부산광역시 북구 |
| 7 | 차국헌 | 대한민국 | 서울시 서초구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김학제 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 매헌로 ** 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소) |
| 2 | 문혜정 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 매헌로 **, 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.10.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0789419-64 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2006.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0141151-07 |
| 3 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2006.11.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0838688-67 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.09.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0495088-63 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 (a) 나노입자의 표면이 전하를 띄도록 나노입자의 표면을 개질하는 단계; 및(b) 상기 표면개질된 나노입자를 용매에 분산시키고 나노입자가 분산된 용액의 pH를 조절하는 단계;를 포함하는 나노입자의 분산방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 표면개질이 전하를 띈 물질과 나노입자의 분산액을 반응시키는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 표면개질이 25~200℃의 온도 범위에서 0 |
| 4 |
4 제 2항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전하를 띈 물질이 머르캅토 작용기와 산 또는 염기로 이루어진 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 개질된 나노입자를 진공건조를 통해 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서, 상기 용매가 제거된 나노입자를 용매에 분산 시킨 후, 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 불순물을 제거하는 단계는 원심분리법을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노입자가 II-VI족, III-V족, IV-VI족 또는 IV족 화합물 반도체; 금속 및 마그네틱 입자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노입자가 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InP, InAs, InSb, SiC, Pd, Fe, Pt, Ni, Co, Al, Ag, Au, Cu, Fe, Pt, Fe2O3 , Fe3O4, Si 및 Ge으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노입자가 코어-쉘 구조인 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 11 |
11 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 pH는 7~9 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 (b) 단계의 pH는 7~8 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 13 |
13 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 용매는 물 또는 극성용매 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법 |
| 14 |
14 제 1항의 방법에 의해 pH가 조절된 나노입자 분산용액을 기판에 코팅하는 단계를 포함하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 기판에 세척 및 작용기가 표면에 흡착되도록 전처리 하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 작용기는 산 또는 염기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 17 |
17 제 14항에 있어서, 상기 코팅이 드롭캐스팅(drop casting), 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 분무코팅(spray coating), 흐름코팅(flow coating) 및 스크린 인쇄(screen printing)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 18 |
18 (a) 나노입자의 표면이 전하를 띄도록 나노입자의 표면을 개질하는 단계;(b) 상기 표면개질된 나노입자를 용매에 분산시키고 나노입자가 분산된 용액의 pH를 조절하는 단계; 및(c) 상기 pH가 조절된 나노입자 분산용액을 모세관력에 의하여 기판에 나노입자 단일막으로 제조하는 단계;를 포함하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 19 |
19 제 18항에 있어서, 상기 (a) 단계의 표면개질이 전하를 띈 물질과 나노입자의 분산액을 반응시키는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 20 |
20 제 19항에 있어서, 상기 (a) 단계의 표면개질이 25~200℃의 온도 범위에서 0 |
| 21 |
21 제 19항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전하를 띈 물질이 머르캅토 작용기와 산 또는 염기로 이루어진 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 22 |
22 제 18항에 있어서, 상기 (a)단계에서 개질된 나노입자를 진공건조를 통해 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 23 |
23 제 22항에 있어서, 상기 용매가 제거된 나노입자를 용매에 분산시킨 후, 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 24 |
24 제 23항에 있어서, 상기 불순물을 제거하는 단계는 원심분리법을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 25 |
25 제 18항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노입자가 II-VI족, III-V족, IV-VI족 또는 IV족 화합물 반도체; 금속 및 마그네틱 입자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 26 |
26 제 18항에 있어서, 상기 (b) 단계의 pH 는7~9범위인 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 27 |
27 제 26항에 있어서, 상기 (b) 단계의 pH는 7~8범위인 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 28 |
28 제 18항에 있어서, 상기 (b) 단계의 용매는 물 또는 극성용매로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 29 |
29 제 18항에 있어서, 상기 기판에 세척 및 작용기가 표면에 흡착되도록 전처리 하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 30 |
30 제 18항에 있어서, 상기 (c) 단계의 모세관력에 의하여 기판에 나노입자 단일막을 제조하는 단계는 딥코팅(dip coating)을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법 |
| 31 |
31 제 18항에 따른 방법에 의해 형성된 나노입자 단일막을 포함하는 나노입자 박막 |
| 32 |
32 제 31항에 따른 나노입자 막막을 포함하는 전자소자 |
| 33 |
33 제 32항에 있어서, 상기 전자소자가 플래쉬 메모리(flash memory), D램(DRAM), 하드 디스크(hard disk), 발광소자(Light Emitting Device) 또는 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)인 것을 특징으로 하는 전자소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP20111187 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | US09079244 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | US20080102201 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2008111187 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US2008102201 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US9079244 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0768632-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20061030 출원 번호 : 1020060105648 공고 연월일 : 20071018 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070913 청구범위의 항수 : 33 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 나노입자의 분산방법 및 이를 이용한 나노입자 박막의제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20141013 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,863,000 원 | 2007년 10월 12일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 766,000 원 | 2010년 10월 11일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 766,000 원 | 2011년 10월 10일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 766,000 원 | 2012년 09월 14일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,354,000 원 | 2013년 09월 24일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.10.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0789419-64 |
| 2 | 보정요구서 | 2006.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0141151-07 |
| 3 | 서지사항보정서 | 2006.11.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0838688-67 |
| 4 | 등록결정서 | 2007.09.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0495088-63 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1350021707 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R15-2003-032-02002-0 |
| 연구과제명 | 나노광자학용소재개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200312~201011 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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