맞춤기술찾기

이전대상기술

탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로흡착되는 방법 및 그 탐침이 장착된 탐침 현미경

  • 기술번호 : KST2015160444
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노구조를 탐침의 끝 부분에 선택적으로 흡착시키는 기술에 관한 것으로, 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 직접 선택적으로 흡착되거나, 링커분자를 거쳐 선택적으로 흡착되는 방법 및 그 탐침이 장착되어 해상도가 향상된 탐침 현미경에 관한 것이다.탐침 현미경, 탐침, 나노입자, 나노구조, 선택적 흡착
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G01Q 70/12 (2011.01) B82Y 35/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC G01Q 70/12(2013.01) G01Q 70/12(2013.01) G01Q 70/12(2013.01) G01Q 70/12(2013.01)
출원번호/일자 1020050106976 (2005.11.09)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0736358-0000 (2007.06.29)
공개번호/일자 10-2006-0052558 (2006.05.19) 문서열기
공고번호/일자 (20070706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020040092598   |   2004.11.12
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.09)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울 송파구
2 김대식 대한민국 서울 동작구
3 명성 대한민국 대전 서구
4 조나래 대한민국 서울 서초구
5 김진은 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2005-0644561-94
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2005.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-5135451-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0052826-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0664106-83
6 의견서
Written Opinion
2007.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0022443-62
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0022441-71
8 등록결정서
Decision to grant
2007.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0177929-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탐침 현미경의 탐침 표면에 흡착방지용 코팅막이 형성되는 단계;탐침의 끝 부분에 형성된 상기 흡착방지용 코팅막이 제거되는 단계;나노구조가 함유된 용액 또는 가스 내에서 상기 흡착방지용 코팅막이 제거된 탐침 끝 부분에 나노구조가 흡착되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 흡착방지용 코팅막 제거 단계의 다음에, 상기 흡착방지용 코팅막이 제거된 탐침 끝 부분에 링커 분자의 일 단이 흡착되는 단계; 나노구조가 함유된 용액 또는 가스 내에서 상기 링커 분자의 타 단에 나노구조가 흡착되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 흡착방지용 코팅막 형성 단계는, 탐침 표면에 하나 이상의 중간막이 형성되는 단계를 거친 후, 상기 중간막 위에 상기 흡착방지용 코팅막이 형성되는 것을 특징으로 하고,상기 흡착방지용 코팅막 제거 단계는, 탐침 끝부분에 형성된 상기 중간막 및 상기 흡착방지용 코팅막이 제거되는 것을 특징으로 하는,탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 중간막 및 상기 흡착방지용 코팅막의 제거는, 폴리싱에 의하는 것을 특징으로 하는,탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
5 5
제4항에 있어서,탐침 끝 부분 또는 상기 링커분자의 타 단에 선택적으로 흡착되는 상기 나노구조는, 도체 나노입자, 형광성 나노입자, 자성 나노입자, 탄소나노튜브, SAM, DNA, RNA, 프로테인, 항원, 항체 및 Cell 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 도체 나노입자는, Au, Ag, Ti, Cr, Pt, ZnO, Tin Oxide, Pb, CeO2, SiO2 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는,탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 형광성 나노입자는, CdSe, CdS, ZnS, GaN, GaAs, PbSe, InAs, CdTe 및 PbS 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 자성 나노입자는, Fe3O4, CoPt, Ni/NiO, FeAl, FePt, Co 및 CoO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
9 9
제5항에 있어서, 탐침 표면에 중간막으로서, Ti막과 Au막이 순차적으로 형성되며, 중간막의 두께가 10 ~ 30 nm인, 중간막 형성단계; 1-옥타데칸싸이올을 아세토니트릴을 녹인 용액에, 상기 탐침을 30초간 넣어두어 상기 Au막 위에 옥타데칸싸이올 분자막을 형성시키는, 흡착방지용 코팅막 형성 단계; 상기 탐침으로 실리콘 웨이퍼 표면을 4nN의 힘으로 스캔하는, 흡착방지용 코팅막 제거 단계; 아미노프로필트리에톡시실란을 에탄올에 녹인 용액에, 상기 탐침을 10분간 넣어두어 탐침 끝 부분에 아미노프로필트리에톡시실란의 일 단이 탐침 끝 부분에 흡착되는, 링커분자 흡착 단계; 상기 탐침을 Au 나노용액에 1시간 동안 넣어두어, 아미노프로필트리에톡시실란의 타 단에 지름 50nm의 Au 나노입자가 흡착되는, 나노구조 흡착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로 흡착되는 방법
10 10
탐침이 장착되는 탐침 현미경으로서, 탐침 끝 부분을 제외한 탐침 표면에 형성된 흡착방지용 코팅막과; 탐침 끝부분에 선택적으로 흡착되는 나노구조를 구비한 탐침을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 탐침 현미경
11 11
제10항에 있어서, 탐침 끝 부분에 일 단이 흡착되고, 나노구조에 타 단이 흡착되는 링커분자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탐침 현미경
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서, 탐침 표면과 상기 흡착방지용 코팅막 사이에 하나 이상의 중간막이 형성되는 것을 특징으로 하는 탐침 현미경
13 13
제11항에 있어서,탐침 끝 부분 또는 상기 링커분자의 타 단에 선택적으로 흡착되는 상기 나노구조는, 도체 나노입자, 형광성 나노입자, 자성 나노입자, 탄소나노튜브, SAM, DNA, RNA, 프로테인, 항원, 항체 및 Cell 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탐침 현미경
14 14
제13항에 있어서,상기 도체 나노입자는, Au, Ag, Ti, Cr, Pt, ZnO, Tin Oxide, Pb, CeO2 및 SiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탐침 현미경
15 15
제13항에 있어서,상기 형광성 나노입자는, CdSe, CdS, ZnS, GaN, GaAs, PbSe, InAs, CdTe 및 PbS 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탐침 현미경
16 16
제13항에 있어서,상기 자성 나노입자는, Fe3O4, CoPt, Ni/NiO, FeAl, FePt, Co 및 CoO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탐침 현미경
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100709223 KR 대한민국 FAMILY
2 US20080093550 US 미국 FAMILY
3 WO2006052105 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008093550 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.