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도전성 다층 나노박막의 제조방법, 및 이를 이용한미세전기기계시스템 센서와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160928
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 도전성 다층 나노박막의 제조방법 및 이를 이용한 미세전기기계시스템 센서 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 도전성 다층 나노박막의 제조방법은 친수성 기판을 준비하고 기판 상에 분자 간의 정전기적 인력을 이용하여 다층의 하부 고분자 전해질막을 형성한다. 하부 고분자 전해질막 상에 도전성 탄소나노튜브 네트워크를 형성한다. 도전성 다층 나노박막을 구비하는 미세전기기계시스템 센서를 제조하여, 센서의 검출 분해능 및 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.미세전기기계시스템, 나노박막, 탄소나노튜브, 센서
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020060129728 (2006.12.19)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0828477-0000 (2008.05.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080513) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강태준 대한민국 서울 동작구
2 김용협 대한민국 경기도 용인시
3 이정훈 대한민국 서울 관악구
4 장의윤 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김진원 대한민국 경기도 군포시 고산로 ***, ***호 진성국제특허법률사무소 (당정동, 맥시움빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0937840-56
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0980884-52
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0587049-73
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0937212-38
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0937291-24
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0232668-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
친수성의 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 분자 간의 정전기적 인력을 이용하여 다층의 하부 고분자 전해질막을 형성하는 단계; 및상기 하부 고분자 전해질막 상에 도전성 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 단계를 포함하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 상에 다층의 상부 고분자 전해질막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 하부 전해질막은 PAH(poly(allylaminehydrochloride))와 PSS(poly(sodium, styrene sulfonate))가 연속하여 적층된 것을 특징으로 하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크를 형성하기 전에 탄소나노튜브를 전처리 과정에서 카르복실기 및 히드록시기로 기능화시키고, 수용액 속에서 수소 이온을 탈착시켜 음전하를 갖게하여, 최상층이 양전하인 고분자 전해질막과 정전기적으로 결합시키는 것을 특징으로 하는 도전성 다층 나노박막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
기판 상에 절연막을 적층하는 단계;기판 하부를 절연막이 노출될 때까지 선택적으로 식각하여 개구부를 형성하는 단계;상기 절연막 상에 분자간의 정전기력을 이용하여 하부 고분자 전해질막 및 도전성 탄소나노튜브 네트워크로 이루어진 도전성 나노박막을 형성하는 단계;상기 노출된 절연막을 제거하여 도전성 나노박막 멤브레인을 형성하는 단계; 및상기 도전성 나노박막 상에 일정 간격을 두고 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 미세전기기계시스템 센서의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전기기계시스템 센서의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 상에 상부 고분자 전해질막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전기기계시스템 센서의 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 고분자 전해질막은 정전기력을 이용하여 PAH(poly(allylaminehydrochloride))와 PSS(poly(sodium, styrene sulfonate))를 연속하여 적층하는 것을 특징으로 하는 미세전기기계시스템 센서의 제조방법
11 11
개구부가 형성된 기판;상기 기판 상에 하부 고분자 전해질막 및 탄소나노튜브 네트워크로 구성되는 다층 나노박막; 및상기 다층 나노박막 상에 일정 간격을 두고 형성된 상부전극을 포함하는 미세전기기계시스템 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.