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기판 표면에 그루부를 형성하는 단계;상기 기판의 그루부의 바닥에 전극층을 형성하는 단계;상기 그루부의 바닥에 전극층이 형성된 기판 상에 캡을 위치시키는 단계;상기 그루부 내의 전극층 상에 화학기상증착법을 사용하여 탄소나노 구조물을 형성하는 단계; 및상기 캡을 제거하는 단계를 포함하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판 표면에 그루부를 형성하는 단계는,기판 표면에 감광막을 도포하는 단계;상기 감광막이 도포된 기판을 일정간격으로 다이싱하여 그루부를 형성하는 단계; 및상기 감광막을 리프트오프하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판 표면에 그루부를 형성하는 단계는,상기 기판 표면에 감광막을 형성하는 단계;상기 감광막을 이용하여 사진식각공정을 진행하여 기판 내에 그루부를 형성하는 단계; 및상기 감광막을 리프트오프하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 그루부 내에 전극층을 형성하기 전에 접착층을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 그루부 내에 전극층을 형성한 후에 촉매층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소나노 구조물은 열화학기상증착법으로 C2H2를 소스 가스를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 캡은 글라스 기판, 실리콘 기판 또는 금속 기판 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 전자방출 팁은 전계방출(field emission) 방식의 백라이트의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성 방법
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캡 기판 하부에 그루브를 형성하는 단계;상기 그루브가 형성된 캡을 표면에 전극층이 형성된 기판 상에 정렬하는 단계;상기 그루부 내의 전극층 상에 화학기상증착법을 사용하여 탄소나노 구조물을 형성하는 단계; 및상기 캡을 제거하는 단계를 포함하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 탄소나노 구조물은 열화학기상증착법으로 C2H2를 소스 가스를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 캡을 사용하여 균일하게 탄소나노 구조물로 성장된 전자방출 팁의 형성방법
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