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나노 크기의 유-무기 복합체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160255
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 크기의 유-무기 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고분자 수지에 점토질 성분(clay), 특히 몬모릴로나이트(montmorillonite) 성분을 함유한 유-무기 나노 복합체를 높은 전압 인가에 의해 점토질 층간을 벌어지게 함으로써 성능을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하여 제조된 나노 복합체는 기계적 물성, 내열성, 난연성, 차단특성 등이 우수하며, 제조 공정 상 부가적인 비용이 거의 발생하지 않아 상업적으로 유용하게 활용될 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B32B 27/32 (2011.01) C08K 9/04 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020010049793 (2001.08.18)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0820930-0000 (2008.04.02)
공개번호/일자 10-2003-0015942 (2003.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20080411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안경현 대한민국 서울특별시 강남구
2 이승종 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위정호 대한민국 경기도 성남시 중원구 양현로 ***, ***호 (여수동, 시티오피스타워)(J특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2001-0206539-99
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2001.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-5231265-09
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2004.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-5160033-84
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.10.08 수리 (Accepted) 4-1-2004-0040444-63
5 출원심사청구서
Request for Examination
2006.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0580824-52
6 보정요구서
Request for Amendment
2006.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0117897-29
7 제3자출원심사청구안내서
Notification of Request for Application Examination of Third Party
2006.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0117898-75
8 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.09.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2006-0684085-23
9 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2006.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0124805-15
10 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0726349-56
11 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0136255-28
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0021132-53
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0409444-75
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0684231-38
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0684256-79
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
18 등록결정서
Decision to grant
2008.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0052443-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5159264-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 수지와 점토질 성분 입자를 포함하는 유-무기 나노복합체의 제조 방법에 있어서, 고분자 수지와 유기물로 치환된 점토질 입자의 혼련물에 전기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 고분자 수지가 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌계 수지 또는 엔지니어링 플라스틱류 인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 점토질 성분이 헥토라이트 (Hectorite), 사포나이트 (Saponite), 몬모릴로나이트 (Montmorillonite) 및 합성마이카 (Synthetic mica)로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 점토질 성분이 몬모릴로나이트인 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 점토질 성분이 입자 표면에 알킬암모니움 (Alkylammonium)기를 갖는 것임을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 점토질 성분을 고분자 수지 100 중량부에 대하여 0
7 7
제 1 항에 있어서, 전기장을 고분자 수지의 유리전이온도 이상의 온도에서 인가함을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 전기장을 10 V/mm 내지 1000 kV/mm 범위의 세기로 인가하는 것을 특징으로 하는 방법
9 8
제 1 항에 있어서, 전기장을 10 V/mm 내지 1000 kV/mm 범위의 세기로 인가하는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07211331 US 미국 FAMILY
2 US20040191549 US 미국 FAMILY
3 WO2003016208 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100500549 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1543433 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2004191549 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7211331 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO03016208 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO03016208 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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