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나노 전해도금법을 이용한 수지상 구조의 구리 팁의형성방법 및 이를 이용한 탄소나노화이버 및탄소나노코일의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015160983
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 전해도금법을 이용한 수지상 구조의 구리 팁 및 이를 이용한 탄소나노화이버와 탄소나노코일의 형성방법이 개시된다. 본 발명의 구리 팁의 형성방법은 표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담근다. 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성한다. 구리 전해액은 황산구리, 황산, 염산으로 구성되는 것이 바람직하며, 구리 팁의 소오스는 구리 전해액에 있는 구리 이온인 것을 특징으로 한다. 나노 전해도금법을 사용하여 마이크로 구리 팁을 형성하여, 이를 이용하여 탄소나노화이버 및 탄소나노코일을 형성하여 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁 또는 전계방출 방식의 백라이트 광원으로 사용할 수 있으며, 그 밖에 표면적의 증가로 인한 방열소재, 복합재, 전자파 차폐 등 다양한 분야에서 적용될 수 있다.전해도금법, 구리 팁, 탄소나노화이버, 탄소나노코일, 수지상 구조
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C25D 5/18(2013.01) C25D 5/18(2013.01) C25D 5/18(2013.01) C25D 5/18(2013.01) C25D 5/18(2013.01)
출원번호/일자 1020060033169 (2006.04.12)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0804496-0000 (2008.02.12)
공개번호/일자 10-2007-0101882 (2007.10.18) 문서열기
공고번호/일자 (20080220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.12)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성우용 대한민국 서울특별시 관악구
2 김용협 대한민국 경기도 용인시
3 이호영 대한민국 서울특별시 관악구
4 김왈준 대한민국 서울 관악구
5 이승민 대한민국 서울 구로구
6 옥종걸 대한민국 서울 송파구
7 연순창 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김진원 대한민국 경기도 군포시 고산로 ***, ***호 진성국제특허법률사무소 (당정동, 맥시움빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0253320-72
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0087499-11
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0285712-95
4 의견서
Written Opinion		 2007.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0285709-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0443776-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0658102-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0658145-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0060503-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 제공하는 단계;상기 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담그는 단계; 및상기 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 상기 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 펄스 전압은 전류 밀도는 100mA/cm2 내지 200mA/cm2, 주파수는 10Hz 내지 5,000Hz의 범위에서 진행하는 것을 특징으로 하는 구리 팁의 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 구리 팁의 소오스는 구리 전해액에 있는 구리 이온인 것을 특징으로 하는 구리 팁의 형성 방법
4 4
삭제
5 5
표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 제공하는 단계;상기 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담그는 단계; 및상기 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 상기 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성하는 단계; 및상기 수지상 구조의 구리 팁 상에 플라즈마 화학기상증착법을 사용하여 탄소나노화이버를 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노화이버의 형성방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 탄소나노화이버는 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 탄소나노화이버의 형성방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 탄소나노화이버는 전계방출(field emission) 방식의 백라이트의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 탄소나노화이버의 형성방법
8 8
표면에 구리 씨드층이 형성된 음극 기판을 제공하는 단계;상기 음극 기판을 금속 양극 기판와 함께 구리 전해액을 포함하는 도금액이 채워진 도금조에 담그는 단계; 및상기 음극 기판 및 양극 기판에 펄스 전압을 인가하여 상기 음극 기판 상에 수지상 구조를 갖는 구리 팁을 형성하는 단계; 및상기 수지상 구조의 구리 팁 상에 열화학증착법을 사용하여 탄소나노코일을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노코일의 형성방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 탄소나노코일은 전계방출 디스플레이의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 탄소나노코일의 형성방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 탄소나노코일은 전계방출(field emission) 방식의 백라이트의 전자방출 팁인 것을 특징으로 하는 탄소나노코일의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.