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다공질실리콘에피탁시법을이용한실리콘미세구조의형성방법
- 기술번호 : KST2015223583
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 실리콘 미세구조의 형성방법에 관한 것으로서, 기판(1)을 세척한 후 공간 형성부의에 n+확산층을 형성하고, 불산(HF)내에서 양극반응으로 다공질 실리콘(2)을 형성하며, 기판전면에 실리콘 에피탁시층(3)을 성장시킨 다음 실리콘 에피탁시층(3)상에 통상적인 방법으로 필요한 집접회로 소자를 형성하고, 금속화공정 및 표면안정화 공정으로 p+형 실리콘층(4)과 산화막(5) 및 금속전극막(6)등을 차례로 형성하며, 기계구조의 패턴에 따라 상기 실리콘 에피탁시층(3)을 건식식가하여 매몰되어 있던 다공질 실리콘(2)을 노출시키고 NaOH수용액등으로 다공질 실리콘(2)을 선택적으로 식각하여 원하는 부분에 정확한 형상의 공간(cavity)을 형성함으로써 다른 집접회로 소자제조 공정과는 완전히 독립적으로 영향을 주지않고 정확한 미세구조물을 양산할 수 있는 다공질 실리콘 에피탁시법을 이용한 실리콘 미세구조의 형성방법이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/20 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1019930029497 (1993.12.24) |
| 출원인 | 대한민국경북대학교센서기술연구소, 만도기계 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-0118637-0000 (1997.07.22) |
| 공개번호/일자 | 10-1995-0020988 (1995.07.26) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 1019970005677 (19970418) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1993.12.24) |
| 심사청구항수 | 1 |