맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

실리콘 반도체를 기반으로 하는 광 빔 포밍 네트워크 칩(PHOTONIC BEAM FORMING NETWORK CHIP BASED ON SILICON SEMICONDUCTOR)

  • 기술번호 : KST2018004615
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일실시예에 따르면, 실리콘 반도체를 기반으로 실리콘 단일 반도체 공정(monolithic integration)에 의해 제작되어, 위상배열안테나의 신호 처리를 위한 실제 시간지연을 이용하는 광 빔 포밍 네트워크(Photonic Beam Forming Network; PBFN) 칩은 광원으로부터 발생되는 광 파워를 균등한 파워로 분기하는 적어도 하나의 파워 스플리터(Power splitter); 상기 적어도 하나의 파워 스플리터를 이용하여, 복수의 안테나들로부터 송수신되는 복수의 RF 신호들을 복수 채널의 광 신호들로 변경하는 복수의 MZM(Mach-Zehnder Modulator) 광 변조기들; 상기 복수 채널의 광 신호들에 대해 상기 복수의 안테나들 별로 시간 지연을 보상 또는 조절하는 복수의 TTD(True Time Delay) 소자들; 상기 복수 채널의 광 신호들이 결합된 단일 광 신호 또는 상기 복수 채널의 광 신호들을 RF 신호로 변경하는 광 검출기(Photodetector); 및 상기 적어도 하나의 파워 스플리터, 상기 복수의 MZM 광 변조기들, 상기 복수의 TTD 소자들 및 상기 광 검출기 각각을 연결하는 광 도파로를 포함한다.
Int. CL H04B 10/548 (2013.01.01) H01Q 3/26 (2006.01.01) H04B 10/61 (2013.01.01)
CPC H04B 10/548(2013.01) H04B 10/548(2013.01) H04B 10/548(2013.01)
출원번호/일자 1020160131381 (2016.10.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0039948 (2018.04.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.11)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 김영수 대한민국 대전광역시 유성구
3 유동은 대한민국 대전광역시 유성구
4 이동욱 대한민국 대전광역시 유성구
5 김기남 대한민국 대전광역시 유성구
6 황해철 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0983779-26
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0073744-11
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0325300-06
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0425101-39
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0536699-89
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0536700-48
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0421716-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 반도체를 기반으로 실리콘 단일 반도체 공정(monolithic integration)에 의해 제작되어, 위상배열안테나의 신호 처리를 위한 실제 시간지연을 이용하는 광 빔 포밍 네트워크(Photonic Beam Forming Network; PBFN) 칩에 있어서,광원으로부터 발생되는 광 파워를 균등한 파워로 분기하는 적어도 하나의 파워 스플리터(Power splitter); 상기 적어도 하나의 파워 스플리터를 이용하여, 복수의 안테나들로부터 송수신되는 복수의 RF 신호들을 복수 채널의 광 신호들로 변경하는 복수의 MZM(Mach-Zehnder Modulator) 광 변조기들; 상기 복수 채널의 광 신호들에 대해 상기 복수의 안테나들 별로 시간 지연을 보상 또는 조절하는 복수의 TTD(True Time Delay) 소자들; 상기 복수의 TTD 소자들에서 출력되는 상기 복수 채널의 광 신호들에 대한 상기 복수의 TTD 소자들에서의 광 손실을 미리 설정된 범위 내로 일치화하는 복수의 광 감쇠기(Optical attenuator)들; 상기 복수 채널의 광 신호들이 결합된 단일 광 신호 또는 상기 복수 채널의 광 신호들을 RF 신호로 변경하는 광 검출기(Photodetector); 및 상기 적어도 하나의 파워 스플리터, 상기 복수의 MZM 광 변조기들, 상기 복수의 TTD 소자들 및 상기 광 검출기 각각을 연결하는 광 도파로를 포함하고, 상기 광 도파로는 상기 복수 채널의 광 신호들 사이의 광 손실 차이가 최소화되도록 미리 설정된 기준값 이하의 광 도파 손실값을 갖는 광 빔 포밍 네트워크 칩
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 MZM 광 변조기들의 개수는 상기 복수의 안테나들의 개수에 기초하여 설정되는, 광 빔 포밍 네트워크 칩
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 TTD 소자들 각각은 상기 광 도파로에 링(Ring) 공진기가 구비되어 구성되고, 상기 링 공진기의 동작에 따라 상기 복수의 안테나들 별로 시간 지연을 보상 또는 조절하는, 광 빔 포밍 네트워크 칩
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 복수의 광 감쇠기들 각각은 상기 광 도파로에 p-i-n 다이오드가 접합되어 구성되는, 광 빔 포밍 네트워크 칩
7 7
제1항에 있어서,상기 복수의 광 감쇠기들에서의 자유 운반자 주입(Free carrier injection)에 의한 위상 변화를 동기화하는 복수의 위상 튜너(Phase tuner)들을 더 포함하는 광 빔 포밍 네트워크 칩
8 8
제7항에 있어서,상기 복수의 위상 튜너들 각각은 상기 광 도파로에 메탈 히터(Metal heater)가 접합되어 구성되는, 광 빔 포밍 네트워크 칩
9 9
제1항에 있어서,상기 복수의 MZM 광 변조기들 및 상기 복수의 TTD 소자들 각각에 포함되는 상기 광 도파로는 열-광학(Thermo-optic) 효과에 의해 중심 동작 파장을 조절하기 위한 메탈 히터를 포함하는, 광 빔 포밍 네트워크 칩
10 10
제1항에 있어서,상기 복수 채널의 광 신호들을 증폭하는 복수의 하이브리드 광 증폭기들을 더 포함하는 광 빔 포밍 네트워크 칩
11 11
제1항에 있어서,상기 복수 채널의 광 신호들을 결합하는 적어도 하나의 파워 컴바이너(Power combiner)를 더 포함하는 광 빔 포밍 네트워크 칩
12 12
실리콘 반도체를 기반으로 실리콘 단일 반도체 공정(monolithic integration)에 의해 제작되어, 위상배열안테나의 신호 처리를 위한 실제 시간지연을 이용하는 광 빔 포밍 네트워크(Photonic Beam Forming Network; PBFN) 패키지에 있어서,광 빔 포밍 네트워크 칩; 및 상기 광 빔 포밍 네트워크 칩을 제어하는 Tx 모듈 및 Rx 모듈을 포함하고, 상기 광 빔 포밍 네트워크 칩은 광원으로부터 발생되는 광 파워를 균등한 파워로 분기하는 적어도 하나의 파워 스플리터(Power splitter); 상기 적어도 하나의 파워 스플리터를 이용하여, 복수의 안테나들로부터 송수신되는 복수의 RF 신호들을 복수 채널의 광 신호들로 변경하는 복수의 MZM(Mach-Zehnder Modulator) 광 변조기들; 상기 복수 채널의 광 신호들에 대해 상기 복수의 안테나들 별로 시간 지연을 보상 또는 조절하는 복수의 TTD(True Time Delay) 소자들; 상기 복수의 TTD 소자들에서 출력되는 상기 복수 채널의 광 신호들에 대한 상기 복수의 TTD 소자들에서의 광 손실을 미리 설정된 범위 내로 일치화하는 복수의 광 감쇠기(Optical attenuator)들; 상기 복수 채널의 광 신호들이 결합된 단일 광 신호 또는 상기 복수 채널의 광 신호들을 RF 신호로 변경하는 광 검출기(Photodetector); 및 상기 적어도 하나의 파워 스플리터, 상기 복수의 MZM 광 변조기들, 상기 복수의 TTD 소자들 및 상기 광 검출기 각각을 연결하는 광 도파로를 포함하고, 상기 광 도파로는 상기 복수 채널의 광 신호들 사이의 광 손실 차이가 최소화되도록 미리 설정된 기준값 이하의 광 도파 손실값을 갖는 광 빔 포밍 네트워크 패키지
13 13
실리콘 반도체를 기반으로 실리콘 단일 반도체 공정(monolithic integration)에 의해 제작되어, 위상배열안테나의 신호 처리를 위한 실제 시간지연을 이용하는 광 빔 포밍 네트워크(Photonic Beam Forming Network; PBFN) 시스템에 있어서,광 빔 포밍 네트워크 패키지; 및 상기 광 빔 포밍 네트워크 패키지를 제어하는 FPGA(Field-Programmable Gate Array)를 포함하고, 상기 광 빔 포밍 네트워크 패키지는 광원으로부터 발생되는 광 파워를 균등한 파워로 분기하는 적어도 하나의 파워 스플리터(Power splitter); 상기 적어도 하나의 파워 스플리터를 이용하여, 복수의 안테나들로부터 송수신되는 복수의 RF 신호들을 복수 채널의 광 신호들로 변경하는 복수의 MZM(Mach-Zehnder Modulator) 광 변조기들; 상기 복수 채널의 광 신호들에 대해 상기 복수의 안테나들 별로 시간 지연을 보상 또는 조절하는 복수의 TTD(True Time Delay) 소자들; 상기 복수의 TTD 소자들에서 출력되는 상기 복수 채널의 광 신호들에 대한 상기 복수의 TTD 소자들에서의 광 손실을 미리 설정된 범위 내로 일치화하는 복수의 광 감쇠기(Optical attenuator)들; 상기 복수 채널의 광 신호들이 결합된 단일 광 신호 또는 상기 복수 채널의 광 신호들을 RF 신호로 변경하는 광 검출기(Photodetector); 상기 적어도 하나의 파워 스플리터, 상기 복수의 MZM 광 변조기들, 상기 복수의 TTD 소자들 및 상기 광 검출기 각각을 연결하는 광 도파로; 및 상기 복수의 MZM 광 변조기들을 제어하는 Tx 모듈과 상기 광 검출기를 제어하는 Rx 모듈을 포함하고, 상기 광 도파로는 상기 복수 채널의 광 신호들 사이의 광 손실 차이가 최소화되도록 미리 설정된 기준값 이하의 광 도파 손실값을 갖는 광 빔 포밍 네트워크 시스템
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20180102847 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2018102847 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부/산업통상자원부/방위사업청 한국과학기술원 민·군겸용기술개발사업 라이다용 2-D Nano-photonic phased array 기반 전기식 위상제어 빔포밍 광소자 연구