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기판; 상기 기판 상에 배치되는 활성층(active layer);상기 활성층 상에 배치되되, 크랙(crack)을 통해 침투한 물(H2O) 또는 산소(O2)와 반응하여 절연 특성이 증가된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막을 사이에 두고, 상기 활성층과 이격되어 배치되는 게이트 전극을 포함하는 자가치유 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은, 상기 크랙과 인접하는 제1 부분 및 상기 제1 부분을 제외한 제2 부분을 포함하는 자가치유 트랜지스터
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제2 항에 있어서, 상기 제1 부분은 상기 크랙을 통해 침투한 물(H2O) 또는 산소(O2)와 반응하여, 상기 제2 부분 보다 높은 절연 특성을 갖는 것을 포함하는 자가치유 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은, 알루미늄 알콕사이드(alkoxide)를 포함하는 자가치유 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 두께는, 20nm 이하인 것을 포함하는 자가치유 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은, 30V 보다 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 갖는 것을 포함하는 자가치유 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막 상에 배치되고, 산화 알루미늄을 포함하는 게이트 절연막 보호필름을 더 포함하는 자가치유 트랜지스터
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제1 항에 있어서, 상기 크랙은 물리적 또는 기계적 변형을 포함하는 외부 자극에 의해 형성되는 것을 포함하는 자가치유 트랜지스터
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활성층, 상기 활성층 상의 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 활성층과 이격된 게이트 전극을 포함하는 자가치유 트랜지스터가 준비되는 단계;상기 자가치유 트랜지스터에 크랙이 발생하는 단계; 상기 크랙을 통해 물(H2O) 또는 산소(O2)가 상기 자가치유 트랜지스터 내로 침투되는 단계; 및상기 게이트 절연막과 물(H2O) 또는 산소(O2)가 반응하여, 상기 게이트 절연막의 절연 특성이 증가하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 자가치유 방법
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제9 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은, 상기 크랙과 인접하는 제1 부분 및 상기 제1 부분을 제외한 제2 부분을 포함하되,상기 제1 부분은 상기 크랙을 통해 침투한 물(H2O) 또는 산소(O2)와 반응하여, 상기 제2 부분 보다 절연 특성이 증가되는 것을 포함하는 트랜지스터의 자가치유 방법
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제9 항에 있어서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 알루미늄을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계; 및상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 두 개 이상의 수산화기(hydroxyl group)를 갖는 알코올을 포함하는 제2 전구체를 제공하고, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 서로 반응하여 알루미늄 알콕사이드(alkoxide)를 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 자가치유 방법
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제11 항에 있어서, 상기 제2 전구체는, DEG(diethyl glycol)를 포함하는 트랜지스터의 자가치유 방법
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제11 항에 있어서, 상기 제1 전구체를 제공하는 시간은, 상기 제2 전구체를 제공하는 시간보다 짧은 것을 포함하는 트랜지스터의 자가치유 방법
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제11 항에 있어서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 80℃ 초과 100℃ 미만인 온도에서 수행되는 것을 포함하는 트랜지스터의 자가치유 방법
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