| 1 |
1
제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 제공층; 상기 정공 제공층과 대향하는 전자 제공층; 상기 전자 제공층 상에 배치되는 제2 전극; 상기 정공 제공층과 상기 전자 제공층 사이에 배치되고, 발광 분자들을 포함하는 발광층; 및상기 제1 전극 하측 또는 상기 제2 전극 상측에 배치되는 편광층을 포함하되, 상기 발광 분자는, 상전이 온도 이상으로 가열 후 냉각되어 상기 정공 제공층과의 계면에서 상기 전자 제공층과의 계면 방향으로 나선형 적층 구조를 가지고,상기 편광층의 편광 방향은, 상기 발광 분자에서 생성된 광이 상기 나선형 적층 구조에 의하여 편광되는 방향과 동일한 방향인, 발광 소자
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 발광 분자들은, 상기 정공 제공층과 인접한 계면에서 제1 방위로 정렬되고, 상기 전자 제공층과 인접한 계면에서 제2 방위로 정렬되어, 상기 나선형 적층 구조를 가지는 것을 포함하는 발광 소자
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 발광층은, 상기 정공 제공층과 인접한 계면이 상기 제1 방위로 배향되고, 상기 전자 제공층과 인접한 계면이 상기 제2 방위로 배향되되,상기 배향의 깊이는 1nm 이상 20nm 이하이고, 상기 배향의 간격은 100nm 내지 3μm 이하인 것을 포함하는 발광 소자
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 발광층은, 상기 제1 전극을 향하여, 상기 편광층의 편광 방향과 반대 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고, 상기 제2 전극을 향하여, 상기 편광층의 편광 방향과 같은 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사하는, 발광 소자
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서,상기 편광층은, 상기 제2 광을 투과시키는 발광 소자
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서,상기 발광층은, 상기 제1 전극을 향하여, 상기 편광층의 편광 방향과 같은 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제1 광을 출사하고, 상기 제2 전극을 향하여, 상기 편광층의 편광 방향과 다른 방향으로 회전하는 편광 상태를 가지는 제2 광을 출사하는, 발광 소자
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 편광층은, 상기 제1 광을 투과시키는 발광 소자
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서,상기 정공 제공층은, 정공 수송층이고, 상기 전자 제공층은, 전자 수송층이고,상기 제1 전극 및 상기 정공 수송층 사이에 배치되는 정공 주입층; 및상기 제2 전극 및 상기 전자 수송층 사이에 배치되는 전자 주입층을 더 포함하는 발광 소자
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 정공 제공층은, 상기 정공 제공층의 상면에 상기 발광 분자가 상기 나선형 적층 구조를 가지도록 배향 구조를 가지고,상기 전자 제공층은, 상기 전자 제공층의 두께 방향 전체적으로 상기 발광 분자가 상기 나선형 적층 구조를 가지도록 배향 구조를 가지는 발광 소자
|
| 10 |
10
제1 전극을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 정공 제공층을 형성하는 단계;상기 정공 제공층의 상면을 제1 방위로 배향하는 단계;상기 제1 방위로 배향된 정공 제공층 상에 발광 분자를 포함하는 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층의 상면을 제2 방위로 배향하는 단계;상기 발광층 상에 전자 제공층을 형성하는 단계; 및상기 전자 제공층을 형성하는 단계 이후에, 상기 발광 분자를 상전이 온도 이상으로 가열 후 냉각시켜, 상기 발광 분자를 상기 제1 방위에서 상기 제2 방위로 상기 발광 분자에 나선형 적층 구조를 제공하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서, 상기 제1 전극 하측 또는 상기 제2 전극 상측에, 상기 나선형 적층 구조의 나선 방향과 동일한 방향을 가지는 편광층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제1 전극을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 정공 제공층을 형성하는 단계;상기 정공 제공층의 상면을 제1 방위로 배향하는 단계;상기 제1 방위로 배향된 정공 제공층 상에 발광 분자를 포함하는 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 전자 제공층을 형성하는 단계; 상기 전자 제공층 상면을 제2 방위로 배향하는 단계; 및상기 전자 제공층 상면을 제2 방위로 배향하는 단계 이후에, 상기 발광 분자를 상전이 온도 이상으로 가열 후 냉각시켜, 상기 발광 분자를 상기 제1 방위에서 상기 제2 방위로 상기 발광 분자에 나선형 적층 구조를 제공하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
|
| 13 |
13
제12 항에 있어서, 상기 전자 제공층 상면을 상기 제2 방위로 배향하는 단계는, 상기 전자 제공층의 배향에 의하여 상기 발광층의 상면이 상기 제2 방위로 배향되는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
|
| 14 |
14
제12 항에 있어서, 상기 제1 전극 하측 또는 상기 제2 전극 상측에, 상기 나선형 적층 구조의 나선 방향과 동일한 방향을 가지는 편광층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
|
| 15 |
15
제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 정공 제공층; 상기 정공 제공층과 대향하는 전자 제공층; 상기 전자 제공층 상에 배치되는 제2 전극; 상기 정공 제공층과 상기 전자 제공층 사이에 배치되고, 발광 분자들을 포함하는 발광층; 및상기 제1 전극 하측 또는 상기 제2 전극 상측에 배치되는 편광층을 포함하되, 상기 발광 분자는, 상기 정공 제공층과의 계면에서 상기 전자 제공층과의 계면 방향으로 나선형 적층 구조를 가지고,상기 편광층의 편광 방향은, 상기 발광 분자에서 생성된 광이 상기 나선형 적층 구조에 의하여 편광되는 방향과 동일한 방향이되, 상기 정공 제공층은, 상기 정공 제공층의 상면에 상기 발광 분자가 상기 나선형 적층 구조를 가지도록 배향 구조를 가지고,상기 전자 제공층은, 상기 전자 제공층의 두께 방향 전체적으로 상기 발광 분자가 상기 나선형 적층 구조를 가지도록 배향 구조를 가지는 발광 소자
|
