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복수의 제1 원자들로 이루어진 폴리머; 및상기 폴리머와 공존(coexistence)하며, 복수의 제2 원자들로 이루어진 무기물;을 포함하되,상기 제1 원자들 및 상기 제2 원자들의, cm2 면적당 원자수로 정의되는 원자 면밀도가 1
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제1 항에 있어서,상기 원자 면밀도는, 2
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제1 항에 있어서,상기 원자 면밀도는, 2
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제1 항에 있어서,상기 제1 원자들 및 상기 제2 원자들은 10-6(gm-2day-1) 이하의 WVTR(water vapor transmission rate)을 제공하는, 배리어
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제1 항에 있어서,상기 폴리머와 상기 무기물은 화학적으로 결합된, 배리어
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제1 항에 있어서,상기 제1 원자들은 체인(chain)을 형성하며,상기 제2 원자들은 상기 제1 원자들이 형성하는 체인 외 공간인 프리 볼륨(free volume)에 위치하는, 배리어
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7
제1 항에 있어서,상기 제1 원자는 탄소 원자를 포함하고,상기 제2 원자는 금속 원자를 포함하는, 배리어
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8
제1 항에 있어서,상기 제2 원자들은 상기 폴리머의 표면으로부터 상기 폴리머의 내부(subsurface)로 침투된, 배리어
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9
제1 항에 있어서,상기 무기물은, 금속 산화물이고,상기 제2 원자들은 금속 원자와 산소 원자를 포함하는 배리어
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10
복수의 원자들로 이루어지며, 상기 복수의 원자들의 cm2 면적당 원자수로 정의되는 원자 면밀도가 1
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11
챔버 내부에, 결합 체인 및 프리 볼륨을 가지는 베이스 기판을 준비하는 단계;상기 프리 볼륨 내부로 전구체 가스를 제공하는 단계;상기 전구체 가스를 제공하는 단계 후에, 상기 챔버를 밀폐시킨 상태에서, 소정의 제1 압력에 소정 시간 노출시키는 단계;상기 전구체 가스를 퍼지하는 단계;상기 프리 볼륨 내부로 반응 가스를 제공하는 단계;상기 반응 가스를 제공하는 단계 후에, 상기 챔버를 밀폐시킨 상태에서, 소정의 제2 압력에 소정 시간 노출시키는 단계; 및상기 반응 가스를 퍼징하는 단계를 포함하고,상기 제1 압력에 소정 시간 노출시키는 단계에 의하여,상기 전구체 가스가 상기 베이스 기판의 프리 볼륨으로 침투하는, 배리어 제조방법
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삭제
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제11 항에 있어서,상기 베이스 기판은 폴리머 기판이고,상기 폴리머는 탄소 원자 및 산소 원자의 탄소-산소 결합을 가지고,상기 전구체 가스는 금속 원자를 포함하는 기상의 금속 전구체 가스를 포함하고,상기 전구체 가스는 상기 베이스 기판의 프리 볼륨으로 침투하여, 탄소-산소-금속 결합을 형성하는, 배리어 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 제2 압력에 소정 시간 노출시키는 단계에 의하여,상기 반응 가스가 상기 베이스 기판의 프리 볼륨으로 침투하는, 배리어 제조방법
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제14 항에 있어서,상기 베이스 기판은 폴리머 기판이고,상기 폴리머는 탄소 원자 및 산소 원자의 탄소-산소 결합을 가지고, 상기 금속 전구체 가스는, 금속 원자를 포함하고,상기 제1 압력에 소정 시간 노출시키는 단계에 의하여, 상기 전구체 가스가 상기 베이스 기판의 프리 볼륨으로 침투하여, 탄소-산소-금속 결합을 형성하고,상기 제2 압력에 소정 시간 노출시키는 단계에 의하여, 상기 반응 가스가 상기 베이스 기판의 프리 볼륨으로 침투하여, 금속 산화물을 형성하는, 배리어 제조방법
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기판;상기 기판 상에 마련되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층의 발광을 제어하는 구동층을 포함하는 발광 소자층; 및상기 기판의 적어도 일 면에 마련되는 배리어를 포함하되,상기 배리어는, cm2 면적당 원자수로 정의되는 원자 면밀도가 1
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제16 항에 있어서,상기 배리어는, 제1 원자들로 이루어진 제1 물질 및 상기 제1 물질과 공존하며, 제2 원자들로 이루어진 제2 물질을 포함하며, 상기 제1 원자 및 상기 제2 원자들의 cm2 면적당 원자수로 정의되는 원자 면밀도가 1
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제17 항에 있어서,상기 제1 물질은 제1 물질층을 형성하고,상기 제2 물질은 상기 제1 물질층의 표면 내부(subsurface)에 형성되는, 디스플레이
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유리 기판을 준비하는 단계;상기 유리 기판의 적어도 일 면에 배리어를 형성하는 단계; 및상기 유리 기판 상에 유기 발광층 및 상기 유기 발광층의 발광을 제어하는 구동층을 포함하는 발광 소자층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 배리어를 형성하는 단계는, 금속 전구체 가스를 제공하는 단계, 금속 전구체 가스를 소정 압력에서 노출시키는 단계, 퍼지하는 단계, 반응 가스를 제공하는 단계, 반응 가스를 소정 압력에서 노출시키는 단계 및 퍼지하는 단계를 포함하며,상기 금속 전구체 가스를 소정 압력에서 노출시키는 단계 및 상기 반응 가스를 소정 압력에서 노출시키는 단계 중 적어도 하나의 단계는, 공정 압력 1Torr 초과 9Torr 미만, 공정 온도 80도 초과 120도 미만, 챔버 밀폐 시간 200초 초과 800초 미만으로 공정 조건이 제어되는, 디스플레이 제조방법
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제19 항에 있어서,상기 배리어는 cm2 면적당 원자수로 정의되는 원자 면밀도가 1
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