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전하 선택 전송층을 이용한 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020004433
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전하 선택 전송층을 이용한 태양전지 및 이의 제조 방법이 제시된다. 본 발명에서 제안하는 전하 선택 전송층을 이용한 태양전지는 결정질 실리콘 웨이퍼의 전면에 실리콘의 일함수 보다 작은 이종 물질을 박막 형태로 증착하여 형성되는 전자 선택 전송층, 상기 전자 선택 전송층 상에 형성되는 전면 반사 방지막, 결정질 실리콘 웨이퍼의 후면에 실리콘의 일함수 보다 큰 이종 물질을 박막 형태로 증착하여 형성되는 정공 선택 전송층 및 상기 정공 선택 전송층 상에 형성되는 후면 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/072 (2006.01.01) H01L 31/042 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/036 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020180125759 (2018.10.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-2171475-0000 (2020.10.23)
공개번호/일자 10-2020-0045129 (2020.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20201029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오지훈 대전광역시 유성구
2 이용환 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1037545-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0104656-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0695350-82
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-1170241-77
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1308834-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1308833-33
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2020.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0165170-42
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-0450656-91
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.05.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0450657-36
12 [지정기간단축]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0457691-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
15 등록결정서
Decision to grant
2020.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0502007-80
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정질 실리콘 웨이퍼의 전면에 실리콘의 일함수 보다 작은 이종 물질을 박막 형태로 증착하여 형성되는 전자 선택 전송층 -또는, 상기 전자 선택 전송층은 결정질 실리콘 웨이퍼의 양면에 동일한 이종 물질을 박막 형태로 증착한 후, 한 쪽 면에만 표면 처리 방법을 사용하여 일함수를 감소 시켜, 일함수가 감소된 한 쪽 면은 전자 선택 전송층이 형성되고, 표면 처리 방법을 사용하지 않은 또 다른 한 쪽 면은 정공 선택 전송층이 형성됨-; 상기 전자 선택 전송층 상에 형성되는 전면 반사 방지막; 결정질 실리콘 웨이퍼의 후면에 실리콘의 일함수 보다 큰 이종 물질을 박막 형태로 증착하여 형성되는 정공 선택 전송층 -또는, 상기 정공 선택 전송층은 결정질 실리콘 웨이퍼의 양면에 동일한 이종 물질을 박막 형태로 증착한 후, 한 쪽 면에만 표면 처리 방법을 사용하여 일함수를 증가 시켜, 일함수가 증가된 한 쪽 면은 전공 선택 전송층이 형성되고, 표면 처리 방법을 사용하지 않은 또 다른 한 쪽 면은 전자 선택 전송층이 형성됨-; 및 상기 정공 선택 전송층 상에 형성되는 후면 전극을 포함하고, 도핑 공정을 통한 pn 접합 형성 방법을 실시하지 않고, 실리콘의 일함수와 다른 이종 물질 박막층을 실리콘 기판의 한쪽 면 또는 양면에 형성하는태양 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 전자 선택 전송층에 박막 형태로 증착되고 실리콘의 일함수 보다 작은 이종 물질은 플루오린화 리튬(LiF, Lithium fluoride), 플루오린화 칼륨 (KF, Potassium fluoride), 플루오린화 세슘 (CsF, Caesium fluoride), 이산화 티타늄 산화물 (TiOx, Titanium oxide), 아연 산화물 (ZnO, Zinc oxide) 중 적어도 하나 이상이 선택 되거나 도핑된 형태를 증착 하는 태양 전지
3 3
제1항에 있어서,상기 정공 선택 전송층에 박막 형태로 증착되고 실리콘의 일함수 보다 큰 이종 물질은 몰리브덴 산화물 (MoOx, Molybdenum oxide), 니켈 산화물 (NiOx, Nickel oxide), 텅스텐 산화물 (WOx, Tungsten oxide), 바나듐 산화물 (VOx) 중 적어도 하나 이상이 선택 되거나 도핑된 형태를 증착 하여 사용하는 태양 전지
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 이종 박막 물질은 비정질 실리콘 물질이고, 패시베이션층과 적층되어 패시베이션층/전하 선택 전송층 형 태의 다중층 구조를 형성하는태양 전지
7 7
결정질 실리콘 웨이퍼의 전면에 실리콘의 일함수 보다 작은 이종 물질을 박막 형태로 증착하여 전자 선택 전송층을 형성하는 단계 -또는, 상기 전자 선택 전송층은 결정질 실리콘 웨이퍼의 양면에 동일한 이종 물질을 박막 형태로 증착한 후, 한 쪽 면에만 표면 처리 방법을 사용하여 일함수를 감소 시켜, 일함수가 감소된 한 쪽 면은 전자 선택 전송층이 형성되고, 표면 처리 방법을 사용하지 않은 또 다른 한 쪽 면은 정공 선택 전송층이 형성됨-; 상기 전자 선택 전송층 상에 전면 반사 방지막을 형성하는 단계; 전면 반사 방지막 상에 전면 전극 형성하는 단계;결정질 실리콘 웨이퍼의 후면에 실리콘의 일함수 보다 큰 이종 물질을 박막 형태로 증착하여 정공 선택 전송층을 형성하는 단계 -또는, 상기 정공 선택 전송층은 결정질 실리콘 웨이퍼의 양면에 동일한 이종 물질을 박막 형태로 증착한 후, 한 쪽 면에만 표면 처리 방법을 사용하여 일함수를 증가 시켜, 일함수가 증가된 한 쪽 면은 전공 선택 전송층이 형성되고, 표면 처리 방법을 사용하지 않은 또 다른 한 쪽 면은 전자 선택 전송층이 형성됨-; 및 상기 정공 선택 전송층 상에 후면 전극을 형성하는 단계 를 포함하고,도핑 공정을 통한 pn 접합 형성 방법을 실시하지 않고, 실리콘의 일함수와 다른 이종 물질 박막층을 실리콘 기판의 한쪽 면 또는 양면에 형성하는태양 전지 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서, 상기 이종 물질의 일함수 제어 방법은 박막에 열 공정 표면 처리 방법을 이용하는 태양 전지 제조 방법
11 11
제7항에 있어서, 전면 전극 및 후면 전극 형성 시 전하 선택 태양전지의 효율을 높이기 위해, 정공 선택층 및 전자 선택층에 따라 일함수가 다른 금속 물질을 형성하는 태양 전지 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 일함수가 정공 선택층보다 큰 금속 물질을 사용하여 전면 전극 및 후면 전극 형성하는 태양 전지 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 일함수가 전자 선택층보다 작은 금속 물질을 사용하는 전면 전극 및 후면 전극 형성하는 태양 전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 주식회사 원익아이피에스 신재생에너지핵심기술개발 저가형 다결정 실리콘 웨이퍼용 건식 텍스쳐링 공정·장비 기술개발