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부유된 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물을 포함하는 제1 기판을 준비하는 단계;일면에 실리콘 절연막이 형성된 제2 기판을 준비하는 단계;상기 제2 기판의 실리콘 절연막이 상기 제1 기판에 부유된 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물과 결합되도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합하는 단계; 및상기 제2 기판의 타면에 제1 함몰 영역을 형성하는 단계를 포함하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 기판을 준비하는 단계는, 상기 제1 기판의 일면 상에 형성된 실리콘 산화막에 상기 실리콘 나노와이어 패턴 및 상기 센서 구조물 패턴을 형상화하는 제a 단계; 상기 제1 기판에서 상기 실리콘 산화막과 오버랩되지 않은 영역을 실리콘 건식 식각 공정을 통해 식각하여 제2 함몰 영역을 형성하고 상기 실리콘 나노와이어 및 상기 센서 구조물의 두께를 결정하는 제b 단계;상기 제1 기판에 열산화 공정을 수행하여 상기 실리콘 나노와이어 및 상기 센서 구조물의 폭을 결정하는 제c 단계; 상기 열산화 공정에 의해 상기 제2 함몰 영역의 바닥면에 형성된 산화막을 제거하는 제d 단계; 실리콘 건식 식각 공정을 더 수행하여, 상기 제2 함몰 영역의 수직 영역을 확장하는 제e 단계; 및 습식 식각 공정을 통해 상기 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물을 부유시키는 제f 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 제a 단계는, 노광(Photolithography) 공정을 통해 상기 실리콘 산화막 상에 감광제를 패터닝하고, 상기 패터닝된 감광제에 따라 이산화 규소 건식 식각 공정을 통해 상기 실리콘 나노와이어 패턴 및 상기 센서 구조물 패턴을 형상화하는 것을 포함하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 제b 단계 및 상기 제c 단계를 개별적으로 수행함에 따라, 목적하는 실리콘 나노와이어 두께와 폭을 결정하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 제d 단계 및 상기 제e 단계를 통해, 상기 제f 단계에서 부유시키고자 하는 상기 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물의 하단 실리콘 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 제f 단계의 습식 식각 공정에는, 비등방성 식각 특성을 가지는 알칼리계 수용액으로서 수산화칼륨(KOH), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(Tetra-methyl-ammonium-hydroxide; TMAH) 또는 에틸렌다이민피로카테콜(ethylene diamine pyrocatechol, EDP)이 활용되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 실리콘 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 실리콘 절연막은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 통해 상기 제2 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합하는 단계는,상기 제1 기판의 일면과 상기 제2 기판의 일면을 결합하는 것을 특징으로 하며, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 결합으로, 상기 제2 함몰 영역을 공동으로 기능하게 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합하는 단계는,열압착 본딩(thermal compression bonding), 퓨전 본딩(fusion bonding), 유테틱 본딩(eutectic bonding) 또는 아노딕 본딩(anodic bonding)을 통해 결합되는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 제1 함몰 영역은 상기 공동에 대응되도록 상기 제2 기판의 타면에 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 제1 함몰 영역은 상기 제2 기판의 일면에 형성된 실리콘 절연막이 부유된 다이어프램으로 동작할 수 있도록 실리콘 건식 식각을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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