| 1 |
1
기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되고, 티타늄-코발트 질화물(TiCoN)을 구비하는 금속 게이트를 포함하고, 상기 금속 게이트는, 상기 티타늄-코발트 질화물 내의 코발트의 함량에 따라 일함수가 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 금속 게이트는, 상기 티타늄-코발트 질화물 내에서 티타늄 대비 코발트의 상대적 함량(CCo/(Ti+Co))이 0% 003c# CCo/(Ti+Co) ≤ 64%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 금속 게이트는, 상기 티타늄-코발트 질화물 내에서 티타늄의 함량(CTi)이 13% ≤ CTi ≤ 36%이고, 코발트의 함량(Cco)이 0% 003c# Cco ≤ 23%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 금속 게이트는, 4
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은,하프늄 산화물(HfO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), 티타늄 산화물(TiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3) 및 탄탈럼 산화물(Ta2O5) 중 적어도 하나의 고유전율 물질(high-k dielectric material)을 포함하는 반도체 소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 게이트 절연막은, 실리콘 산화물에 대응되는 제1 절연층과, 상기 적어도 하나의 고유전율 물질에 대응되는 제2 절연층의 복층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 7 |
7
기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트 절연막 상에 티타늄-코발트 질화물(TiCoN)을 구비하는 금속 게이트를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속 게이트는, 상기 티타늄-코발트 질화물 내의 코발트의 함량에 따라 일함수가 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 금속 게이트를 형성하는 단계는, 상기 티타늄-코발트 질화물 내에서 티타늄 대비 코발트의 상대적 함량(CCo/(Ti+Co))이 0% 003c# CCo/(Ti+Co) ≤ 64%가 되도록 상기 금속 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 금속 게이트를 형성하는 단계는, 상기 티타늄-코발트 질화물 내에서 티타늄의 함량(CTi)이 13% ≤ CTi ≤ 36%이 되고, 코발트의 함량(Cco)이 0% 003c# Cco ≤ 23%가 되도록 상기 금속 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서, 상기 금속 게이트를 형성하는 단계는, 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)을 통해 상기 티타늄-코발트 질화물 내의 코발트의 함량을 제어하는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 금속 게이트를 형성하는 단계는,상기 원자층 증착법을 통해 티타늄 질화물층(TiN layer)과 코발트층(Co layer)의 증착 비율을 조절하여 상기 티타늄-코발트 질화물 내의 코발트의 함량을 제어하는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 금속 게이트를 형성하는 단계는,TiCl4 전구체와 NH3 반응가스에 기초하는 상기 원자층 증착법을 통해 상기 티타늄 질화물층을 형성하고, Co(MeCp)2 전구체와 상기 NH3 반응가스에 기초하는 상기 원자층 증착법을 통해 상기 코발트층을 형성하는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 제조방법
|
