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기판;상기 기판 상에서 위아래로 이격된 액티브층과 게이트 전극;상기 액티브층과 상기 게이트 전극 사이에 구비된 제1 게이트 절연막 및 제2 게이트 절연막을 포함한 게이트 절연막; 및상기 액티브층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 제1 게이트 절연막은 상기 제2 게이트 절연막보다 상기 게이트 전극에 가깝게 구비되고, 상기 제1 게이트 절연막의 유전율은 상기 제2 게이트 절연막의 유전율보다 높고, 상기 제1 게이트 절연막의 수소 함량은 상기 제2 게이트 절연막의 수소 함량보다 낮은 박막 트랜지스터 기판
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제1항에 있어서, 상기 제2 게이트 절연막의 두께는 상기 제1 게이트 절연막의 두께의 5%이상이면서 20%이하 범위인 박막 트랜지스터 기판
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제1항에 있어서, 상기 제1 게이트 절연막은 플라즈마 강화 원자층 증착법에 의해 형성된 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제2 게이트 절연막은 플라즈마 강화 원자층 증착법에 의해 형성된 실리콘 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
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제3항에 있어서, 상기 플라즈마 강화 원자층 증착법은 디이소프로필아미노 실란 가스를 소스 가스로 이용하여 수행하는 박막 트랜지스터 기판
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제3항에 있어서, 상기 실리콘 산화물은, 진공 챔버 내에 디이소프로필아미노 실란 가스를 제1 소스 가스로 공급하는 단계, 제1 퍼지 가스를 공급하는 단계, 플라즈마를 형성하면서 산소를 포함하는 제1 반응가스를 공급하는 단계, 및 제2 퍼지 가스를 공급하는 단계의 조합에 의한 제1 사이클을 반복 수행하여 형성되고, 상기 실리콘 질화물은 상기 진공 챔버 내에 디이소프로필아미노 실란 가스를 제2 소스 가스로 공급하는 단계, 제3 퍼지 가스를 공급하는 단계, 플라즈마를 형성하면서 질소를 포함하는 제2 반응가스를 공급하는 단계, 및 제4 퍼지 가스를 공급하는 단계의 조합에 의한 제2 사이클을 반복 수행하여 형성된 박막 트랜지스터 기판
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제1항에 있어서, 상기 액티브층은 금속 유기 원자층 증착법에 의해 형성된 IGZO계 산화물 반도체를 포함하고, 상기 액티브층의 캐리어 이동도는 22 cm2/Vs 내지 27 cm2/Vs 범위인 박막 트랜지스터 기판
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제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 유전율은 6
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제1항에 있어서, 상기 제1 게이트 절연막의 수소 함량은 8원자%이하인 박막 트랜지스터 기판
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제1항에 있어서, 상기 제1 게이트 절연막의 유전율은 6
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기판;상기 기판 상에서 위아래로 이격된 액티브층과 게이트 전극;상기 액티브층과 상기 게이트 전극 사이에 구비된 게이트 절연막; 및상기 액티브층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 절연막은 디이소프로필아미노 실란 가스를 소스 가스로 이용한 플라즈마 강화 원자층 증착법에 의해 형성된 실리콘 질화물을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터 기판
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제10항에 있어서, 상기 실리콘 질화물은 진공 챔버 내에 상기 디이소프로필아미노 실란 가스를 소스 가스로 공급하는 단계, 제1 퍼지 가스를 공급하는 단계, 플라즈마를 형성하면서 질소를 포함하는 반응가스를 공급하는 단계, 및 제2 퍼지 가스를 공급하는 단계의 조합에 의한 하나의 사이클을 반복 수행하여 형성된 박막 트랜지스터 기판
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제10항에 있어서, 상기 액티브층은 금속 유기 원자층 증착법에 의해 형성된 IGZO계 산화물 반도체를 포함하고,상기 액티브층의 캐리어 이동도는 22 cm2/Vs 내지 27 cm2/Vs 범위인 박막 트랜지스터 기판
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제10항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 유전율은 6 내지 7
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제10항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 수소 함량은 8원자%이하인 박막 트랜지스터 기판
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박막 트랜지스터 기판을 포함하여 이루어지고, 상기 박막 트랜지스터 기판은 전술한 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터 기판으로 이루어진 표시 장치
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