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수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015159845
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 수직 채널 양단에 형성된 사이드 게이트(측벽 게이트)에 의하여 전기적으로 터널링 장벽을 유도하여 수직 채널 가운데 양자점을 형성할 수 있게 됨으로써, 수직 채널 구조를 갖는 MOSFET과 공정의 호환성을 높여 동시 집적이 가능하게 되었고, 제 1 게이트 절연막을 산화공정이나 측벽공정에 의하여 두껍게 형성하고, 컨트롤 게이트의 단면적을 산화공정으로 얼마든지 줄일 수 있게 됨에 따라, 상온에서도 단전자 트랜지스터의 동작 특성이 나올 수 있게 한 효과가 있다. 수직 채널, 양자점, 단전자 트랜지스터, SET |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/06 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080005253 (2008.01.17) |
| 출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0966264-0000 (2010.06.18) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0079348 (2009.07.22) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20100628) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.01.17) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박병국 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 이정업 | 대한민국 | 충북 청주시 흥덕구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 권오준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0039615-40 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.06.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0039663-19 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.12.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0504487-58 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.02.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0079794-89 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.02.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0079775-11 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.05.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0220924-40 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 SOI 기판의 매몰산화막 상부에 일정 폭과 높이를 갖고 길이 방향으로 패턴된 실리콘층과; 상기 실리콘층의 수직 측면에 형성된 제 1 게이트 절연막과; 상기 실리콘층과 이웃하여 상기 제 1 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 매몰산화막 상부에 형성된 컨트롤 게이트와; 상기 컨트롤 게이트를 3면으로 감싸며 형성된 제 2 게이트 절연막과; 상기 실리콘층과 이웃하여 상기 제 1 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제 2 게이트 절연막에 접하며 상기 컨트롤 게이트 양측의 상기 매몰산화막 상부에 형성된 제 1 및 제 2 측벽 게이트를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 게이트 절연막과 상기 컨트롤 게이트 사이 그리고 상기 제 1 게이트 절연막과 상기 제 1, 2 측벽 게이트 사이에는 절연막 측벽 스페이서가 더 형성된 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 게이트 절연막은 상기 실리콘층의 수직 측면에 형성된 절연막 측벽 스페이서인 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘층의 상부에는 하나 이상의 절연막층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 절연막층은 상기 실리콘층 상부로부터 산화막층 및 질화막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서, 상기 컨트롤 게이트 및 상기 제 1, 2 측벽 게이트는 상기 실리콘층을 중심으로 양측에 대칭적으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 7 |
7 SOI 기판의 매몰산화막 상부에 있는 실리콘층을 일정 폭과 높이를 갖고 길이 방향으로 패턴하여 액티브를 형성하는 제 1 단계와; 상기 패턴된 액티브 실리콘층의 수직 측면에 제 1 게이트 절연막을 형성하는 제 2 단계와; 상기 기판 전면에 게이트 물질을 증착하는 제 3 단계와; 상기 기판 전면에 절연성 물질을 증착하여 평탄화하는 제 4 단계와; 상기 절연성 물질을 미세 패턴하고 이를 마스크로 하여 상기 게이트 물질을 식각하여 컨트롤 게이트를 형성하는 제 5 단계와; 상기 절연성 물질 마스크를 제거하고 상기 컨트롤 게이트의 3면에 제 2 게이트 절연막을 형성하는 제 6 단계와; 상기 기판 전면에 상기 게이트 물질을 증착하고 식각하여 상기 컨트롤 게이트 양측에 제 1 및 제 2 측벽 게이트를 형성하는 제 7 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 상기 실리콘층이 일정 두께(높이)를 갖도록 SOI 기판에 산화공정을 수행하는 단계와; 상기 산화공정으로 형성된 산화막 상부에 질화막, 실리콘계 물질 및 마스크 물질을 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 마스크 물질로 마스크를 형성하여 이를 기초로 상기 실리콘계 물질을 식각하고, 상기 실리콘계 물질 식각으로 형성된 패턴을 마스크로 상기 질화막 및 상기 산화막을 순차적으로 식각하고, 상기 질화막 식각으로 형성된 패턴을 마스크로 상기 실리콘층을 식각하여 액티브를 형성하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 제 1 게이트 절연막 형성은 산화공정 또는 측벽공정에 의한 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 10 |
10 제 7 항에 있어서, 상기 제 5 단계는, 상기 절연성 물질을 미세 패턴으로 식각하는 단계와; 상기 절연성 물질의 미세 패턴을 마스크로 하여 상기 게이트 물질을 식각하는 단계와; 상기 절연성 물질 마스크를 일부 식각하여 상기 게이트 물질이 드러나게 하는 단계와; 상기 드러난 게이트 물질을 식각하여 상기 액티브 실리콘층을 중심으로 양측에 대칭적으로 상기 컨트롤 게이트를 형성하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 제 3 단계 및 상기 제 7 단계의 게이트 물질은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 및 도전성 물질 중에서 선택된 어느 하나이고, 상기 제 4 단계의 절연성 물질은 HSQ인 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 12 |
12 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는 상기 기판 전면에 절연막을 증착하고 비등방성으로 식각하여 상기 제 1 게이트 절연막과 상기 게이트 물질 사이에 절연막 측벽 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 제 7 단계 이후에, 상기 기판 전면에 상기 절연막을 다시 증착하고 비등방성으로 식각하여 상기 절연막 측벽 스페이서와 상기 제 1 및 제 2 측벽 게이트에 각각 접하며 제 2의 절연막 측벽 스페이서를 형성하는 단계와; 상기 기판에 일정 각도로 불순물 이온주입 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 불순물 이온주입 각도는 기판으로부터 5 내지 45 도인 것을 특징으로 하는 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0966264-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080117 출원 번호 : 1020080005253 공고 연월일 : 20100628 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100526 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 29/06 발명의 명칭 : 수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2010년 06월 18일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2013년 06월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2014년 06월 13일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2015년 06월 01일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 632,000 원 | 2016년 02월 04일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 442,400 원 | 2017년 05월 24일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 316,000 원 | 2018년 05월 21일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 505,000 원 | 2019년 05월 20일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 505,000 원 | 2020년 06월 19일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0039615-40 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.06.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2009.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0039663-19 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2009.12.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0504487-58 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.02.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0079794-89 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.02.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0079775-11 |
| 8 | 등록결정서 | 2010.05.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0220924-40 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415079066 |
|---|---|
| 세부과제번호 | B0000058 |
| 연구과제명 | 마이크로나노반도체연구기반혁신사업 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200306~200805 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345071023 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1501 |
| 연구과제명 | 화학분자공학사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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