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버퍼층, 채널층, 베리어층, 제2식각정지층, 더미 게이트층, 제1식각정지층, 캡층 및 패시베이션층이 형성된 반도체 기판의 상부에 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계(S1);상기 전자빔 레지스트 패턴의 하부에 형성되어 있는 패시베이션층을 식각하는 단계(S2);상기 패시베이션층의 식각된 영역의 하부에 형성되어 있는 캡층 및 제1식각 정지층을 식각하는 단계(S3);식각된 상기 캡층 및 제1식각정지층의 내부에 게이트 마스크를 형성하는 단계(S4);상기 게이트 마스크의 하부와 제2식각정지층의 상부에 형성되어 있는 상기 더미 게이트 층을 리세스 식각하는 단계(S5); 및상기 게이트 마스크의 상부에 게이트 전극의 형성을 위한 금속층을 증착하는 단계(S6)를 포함하는 T형 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S6) 이후, 열처리하여 리세스 식각된 상기 더미 게이트층을 금속화하는 단계를 더 포함하는 T형 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 패시베이션층은 Si3N4인 T형 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 단계(S1)은,상기 캡층의 상부에 순차적으로 제1전자빔 레지스트, PMGI층, 제2전자빔 레지스트를 형성하는 단계;상기 제2전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 PMGI층을 사이드 식각하는 단계; 및상기 제1전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 T형 게이트 전극 형성방법
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제4항에 있어서,상기 제1전자빔 레지스트 및 제2전자빔 레지스트는 양성 전자빔 레지스트 인 T형 게이트 전극 형성방법
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제5항에 있어서,상기 양성 전자빔 레지스트는 ZEP인 T형 게이트 전극 형성방법
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제4항에 있어서,상기 PMGI층을 사이드 식각하는 단계에서의 식각은 수산화 테트라메틸암모늄 수용액의 식각용액을 사용한 습식 식각인 T형 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S2)에서의 식각은 SF6과 Ar의 혼합가스를 사용한 건식 식각인 HEMT소자의 T형 게이트 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 단계(S3)에서의 식각은 습식 식각인 T형 게이트 전극 형성방법
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제9항에 있어서,상기 습식 식각에서의 식각 용액을 시트르산(C6H8O7)과 과산화수소(H2O2)를 7:1로 혼합한 용액을 사용하여 캡층을 식각하는 T형 게이트 전극 형성방법
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제9항에 있어서, 상기 습식 식각에서의 식각 용액을 염산계열(HCl:H3PO4:H2O=1:1:1)의 용액을 사용하는 제1 식각 정지층을 식각하는 T형 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S5)에서의 식각은 인산(H3PO4)과 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)을 1:1:400의 비율로 혼합한 용액을 사용한 습식 식각인 T형 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S6)는,상기 게이트 마스크의 상부에 확산 방지층을 단일층 또는 다층으로 증착하는 단계; 및상기 확산 방지층의 상부에 게이트 헤드층을 증착하는 단계를 포함하는 T형 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 식각 정지층은 InP인 T형 게이트 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 캡층은 In0
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반도체 기판의 상부에 형성된 T형 게이트 전극의 하부 영역;상기 하부 영역의 상부에 형성되어 상기 하부 영역을 형성하기 위한 게이트 마스크;상기 게이트 마스크 및 게이트 전극 헤드의 확산을 방지하는 단일층 또는 다층의 확산 방지 금속층; 및상기 확산 방지 금속층의 상부에 형성된 게이트 헤드를 포함하는 T형 게이트 전극
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제16항에 있어서,상기 반도체 기판은 HEMT 소자를 형성하기 위한 것으로, GaAs계, InP계 기판 중 어느 하나인 T형 게이트 전극
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제16항에 있어서,상기 하부 영역은 비 도핑된 T형 게이트 전극
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제18항에 있어서,상기 하부 영역은 In0
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제16항에 있어서, 상기 게이트 마스크는 Ni/Pt인 T형 게이트 전극
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제16항에 있어서,상기 확산 방지 금속층은 Ti/Pt인 T형 게이트 전극
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제16항에 있어서,상기 게이트 헤드는 Au인 T형 게이트 전극
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