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양극산화법에 의한 임플란트재료 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159859
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 양극산화법에 의한 임플란트재료 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르는 양극산화법에 의한 임플란트재료 및 그 제조방법은 임플란트모재의 표면에 양극산화될 수 있는 전자빔증착공정으로 임플란트표면재를 코팅하는 단계 및 상기 임플란트표면재를 전해액에 침지하여 양극산화시키는 단계를 포함하는데, 이에 의할 때 인체의 다양한 부위에 이식되어 우수한 생체 친화성(biocompatibility), 화학적 적합성(chemicalcompatibility) 및 기계적 적합성(mechanical compatibility)을 가지는 임플란트재료를 제공하는 효과가 있다. 임플란트, 전자빔증착
Int. CL A61F 2/28 (2006.01) A61C 8/00 (2006.01)
CPC A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01) A61F 2/28(2013.01)
출원번호/일자 1020070127774 (2007.12.10)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단, 주식회사 코렌텍
등록번호/일자 10-0953959-0000 (2010.04.13)
공개번호/일자 10-2009-0060833 (2009.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 주식회사 코렌텍 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현이 대한민국 서울 서초구
2 선두훈 대한민국 서울 용산구
3 김용식 대한민국 서울 서초구
4 한철민 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김현 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 오퓨런스)(법무법인 세창)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 주식회사 코렌텍 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0887014-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.07.21 수리 (Accepted) 4-1-2008-5117756-63
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0048404-88
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0355971-94
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0658162-01
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0733797-65
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0733777-52
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0111258-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-0001951-21
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
티타늄합금, 스테인리스 스틸 또는 코발트-크롬합금 중 어느 하나로 이루어진 임플란트모재의 표면에 전자빔증착공정으로 티타늄(Ti) 또는 니오비움(Nb)으로 이루어진 임플란트표면재를 코팅하는 단계; 및, 상기 임플란트표면재를 전해액에 침지하여 양극산화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 임플란트표면재는 상기 전자빔증착공정 시에 타켓으로 이용되어 증착되는 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 전자빔증착공정은 전자빔증착 전류가 100 내지 150㎃인 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료의 제조방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 전자빔증착공정은 전자빔증착 이온량이 1 내지 1
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 양극산화는 인가전압이 270V 내지 350V인 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 양극산화는 칼슘(Ca), 인(P)을 포함하는 전해액에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 전해액은 하이드록시 아파타이트 용액, 칼슘용액 및 인산용액으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 전해액은 그 온도가 25℃ 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료의 제조방법
11 11
제 1 항, 제 3 항, 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법에 의하여 제조되는 임플란트재료
12 12
티타늄합금, 스테인리스 스틸 또는 코발트-크롬합금 중 어느 하나로 이루어진 임플란트모재; 및, 상기 임플란트모재의 표면에 도포되며, 티타늄(Ti) 또는 니오비움(Nb)으로 이루어진 복수개의 기공을 가지는 임플란트표면재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 복수개의 기공에는 칼슘(Ca), 인(P)이 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제 12 항에 있어서, 상기 임플란트표면재의 두께는 3㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 양극산화법에 의한 임플란트재료
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.