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인듐 나노와이어의 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015159863
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 공정이 간단하고, 에너지 소모량이 감소되며, 넓은 영역 및 특정 모양의 영역에서 나노와이어의 성장이 가능하고, 나노와이어의 길이, 직경, 나노와이어의 분포 밀도, 나노와이어의 성장 속도 등의 조절이 가능한 인듐 나노와이어의 성장 방법을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및 고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상의 소정의 위치에 집속 이온빔을 소정 시간 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법을 제공한다. 인듐 나노 와이어, GaN, InGaN, 이온빔
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01G 15/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01) C01G 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080002327 (2008.01.08)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0948193-0000 (2010.03.10)
공개번호/일자 10-2008-0065557 (2008.07.14) 문서열기
공고번호/일자 (20100316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070002669   |   2007.01.09
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오승수 대한민국 서울 관악구
2 김도현 대한민국 서울 관악구
3 문명운 대한민국 서울 관악구
4 오규환 대한민국 서울 서초구
5 윤의준 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0016017-74
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2008.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-5001715-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0040841-75
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0459104-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0006754-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0006753-28
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0067113-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및 고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상에 집속 이온빔을 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법으로써, 상기 InGaN 기판을 준비하는 단계(a)는 유기금속화학기상증착법을 이용하여 InGaN를 에피택시의 방법으로 증착하여 InGaN 기판을 준비하는데, GaN 기판을 이용하여 600℃ 이상의 고온의 조건에서, 갈륨과 인듐을 포함하는 기상의 원료 가스를 반응기에 불어넣어, 인듐의 함량이 많은 InGaN를 에피택시의 방법으로 GaN 기판 위에 박막의 형태로 증착 시키는 것으로, 상기 원료 가스는, 트리메틸갈륨(Trimethylgallium: TMGa)을 1sccm(standard cubic centimeter per minute) 내지 10sccm, 그리고 트리메틸인듐(Trimethylindium: TMIn)을 200sccm 내지 350sccm, 암모니아(NH3)를 1slm(standard liter per minute) 내지 10slm 범위로 포함하고, InGaN 기판에서 표면의 박막 중의 In의 조성 비율은 20
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InGaN 기판을 준비하는 단계(a); 및 고진공 조건 하에서 상기 InGaN 기판 상에 집속 이온빔을 조사하여 상기 InGaN 기판 상의 집속 이온빔이 조사된 위치에서 인듐 나노와이어를 성장시키는 단계(b)를 포함하는 인듐 나노와이어의 제조 방법으로써, 상기 InGaN 기판을 준비하는 단계(a)는 유기금속화학기상증착법을 이용하여 InGaN를 에피택시의 방법으로 증착하여 InGaN 기판을 준비하는데, GaN 기판을 이용하여 600℃ 이상의 고온의 조건에서, 갈륨과 인듐을 포함하는 기상의 원료 가스를 반응기에 불어넣어, 인듐의 함량이 많은 InGaN를 에피택시의 방법으로 GaN 기판 위에 박막의 형태로 증착 시키는 것으로, 상기 원료 가스는, 트리메틸갈륨(Trimethylgallium: TMGa)을 1sccm(standard cubic centimeter per minute) 내지 10sccm, 그리고 트리메틸인듐(Trimethylindium: TMIn)을 200sccm 내지 350sccm, 암모니아(NH3)를 1slm(standard liter per minute) 내지 10slm 범위로 포함하고, InGaN 기판에서 표면의 박막 중의 In의 조성 비율은 20
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