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금 나노입자-DNA 모노 콘쥬게이트를 이용한 VNTR 프로브 및 이를 이용한 VNTR 방법

  • 기술번호 : KST2015116653
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 VNTR 프로브로서, VNTR을 수행하고자 하는 주형에 혼성화되는 염기서열을 갖는 라이게이션 프로브; 상기 라이게이션 프로브에 컨쥬게이션된 링커 올리고뉴클레오티드; 및 상기 링커 올리고뉴클레오티드의 말단에 결합된 금 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 VNTR 프로브가 제공되며, 이로써 VNTR 프로브를 이용한 PCR-프리 VNTR 타이핑이 가능하다.
Int. CL C12Q 1/68 (2006.01) C12N 15/11 (2006.01)
CPC C12Q 1/6876(2013.01) C12Q 1/6876(2013.01) C12Q 1/6876(2013.01) C12Q 1/6876(2013.01)
출원번호/일자 1020130112819 (2013.09.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1549301-0000 (2015.08.26)
공개번호/일자 10-2015-0033172 (2015.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20150901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.23)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서태석 대한민국 대전광역시 유성구
2 최종영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0860277-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0021254-56
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0889400-33
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0203773-35
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0203772-90
10 등록결정서
Decision to grant
2015.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0501694-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
VNTR 타이핑용 프로브로서, VNTR 타이핑을 수행하고자 하는 주형의 VNTR 단위반복서열에 상보적인 염기서열을 지닌 라이게이션 프로브로써, 상기 주형에 혼성화된 이후 인접한 프로브의 일측면과 라이게이션되는 것을 특징으로 하는 라이게이션 프로브;상기 라이게이션 프로브에 컨쥬게이션된 링커 올리고뉴클레오티드; 및 상기 링커 올리고뉴클레오티드의 말단에 결합된 금 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브
2 2
제 1항에 있어서, 상기 링커 올리고뉴클레오티드는 상기 라이게이션 프로브와 T자 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브
3 3
제 2항에 있어서, 상기 링커 올리고뉴클레오티드와 상기 라이게이션 프로브의 컨쥬게이션은, 구리-촉매 아자이드-알킨 Huisgen-Meldal-Sharpless 고리 부가 클릭 반응에 의하여 수행된 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브
4 4
VNTR 타이핑용 프로브 제조방법으로, VNTR 타이핑을 수행하고자 하는 주형의 VNTR 단위반복서열에 상보적인 염기서열을 지닌 라이게이션 프로브로써, 상기 주형에 혼성화된 이후 인접한 프로브의 일측면과 라이게이션되는 것을 특징으로 하는 라이게이션 프로브에, 구리-촉매 아자이드-알킨 Huisgen-Meldal-Sharpless 고리 부가 클릭 반응을 이용, 말단에 티올기를 갖는 링커 올리고뉴클레오티드를 콘쥬게이트하는 단계; 및상기 링커 올리고뉴클레오티드의 티올기에 금을 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 VNTR 타이핑용 프로브 제조방법은, 상기 링커 올리고뉴클레오티드의 티올기에 금을 결합시키는 단계 후, 금 나노입자-DNA 모노 콘쥬게이트를 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 금 나노입자-DNA 모노 콘쥬게이트를 분리하는 단계는 액체 크로마토그래피 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브 제조방법
7 7
VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법으로, VNTR 타이핑을 수행하고자 하는 주형의 VNTR 단위반복서열에 상보적인 염기서열을 지닌 라이게이션 프로브로써, 상기 주형에 혼성화된 이후 인접한 프로브의 일측면과 라이게이션되는 것을 특징으로 하는 라이게이션 프로브, 상기 라이게이션 프로브에 컨쥬게이션된 링커 올리고뉴클레오티드 및 상기 링커 올리고뉴클레오티드의 말단에 결합된 금 나노입자를 포함하는 VNTR 타이핑용 프로브를, 상기 주형에 혼성화시키는 단계; 및 상기 VNTR 타이핑용 프로브의 금 나노입자를 계수하여 VNTR의 탠덤 반복 유닛의 수를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 VNTR 타이핑용 프로브의 금 나노입자는 광학 이미지로부터 계수되는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법은, 상기 VNTR 주형에 혼성화시키는 단계 후, 상기 주형에 혼성화된 인접한 VNTR 타이핑용 프로브간에 라이게이션하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법
10 10
제 8항에 있어서, 소정 거리 이내인 상기 금 나노입자의 수에 따라 상기 VNTR의 탠덤 반복 유닛의 수가 결정되는 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 VNTR 타이핑용 프로브는, 라이게이션 프로브 및 상기 라이게이션 프로브에 컨쥬게이션된 링커 올리고뉴클레오티드가 T자 형상을 이루며, 상기 금 나노입자는 상기 링커 올리고뉴클레오티드의 말단에 결합된 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 링커 올리고뉴클레오티드와 상기 라이게이션 프로브의 컨쥬게이션은, 구리-촉매 아자이드-알킨 Huisgen-Meldal-Sharpless 고리 부가 클릭 반응에 의하여 수행된 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법
13 13
제 8항에 있어서, 상기 광학 이미지는 TEM 이미지인 것을 특징으로 하는 VNTR 타이핑용 프로브를 이용한 VNTR 타이핑 방법
14 14
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