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반도체층;상기 반도체층 위에 형성된 전도성 질화물로 이루어진 사이층; 및상기 전도성 질화물 사이층 위에 형성되며, 상기 전도성 질화물 사이층을 통해 상기 반도체층에 스핀을 주입하는, 강자성 재료로 이루어진 스핀주입 전극층;을 포함하여 이루어지며,상기 반도체층과 상기 전도성 질화물 사이층의 계면은 옴 접합 (ohmic contact)을 이루는 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 질화물 사이층에 전이금속이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전도성 질화물은 TiN, TaN, NbN 및 ZrN으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조
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제 2 항에 있어서,상기 전이금속은 Cr, Mn, Fe, Co, Ni 및 Cu로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조
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제 1 항에 있어서,상기 강자성 재료는 Fe 및 그 합금, CoFe, CrO2, 이중 페로브스카이트(double perovskite)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조
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제 1 항에 있어서,상기 다층막 구조는 스핀 FET (spin field effect transistor), 스핀 주입기 (spin injector), 스핀 필터 (spin filter) 또는 고경도 자성 소자 (high hardness magnetic device)를 구성하는 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조
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반도체층 위에 전이금속이 첨가된 전도성 질화물 사이층을 형성하는 1단계와; 상기 전도성 질화물 사이층 위에, 상기 전도성 질화물 사이층을 통해 상기 반도체층에 스핀을 주입하는, 강자성 재료로 이루어진 스핀주입 전극층을 형성하는 2단계;를 포함하여 이루어지며,상기 반도체층과 상기 전도성 질화물 사이층의 계면은 옴 접합 (ohmic contact)을 이루는 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 1단계는, 반도체층 위에 전도성 질화물 박막을 형성한 후에, 이온 주입 방법을 이용하여 상기 전도성 질화물 박막에 전이금속원소를 도핑시키는 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 반도체층 위에 전도성 질화물 박막을 형성하는 방법은 반응성 스퍼터링법 또는 MOCVD법인 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입효율을 갖는 다층막 구조의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 1단계는, 반도체층 위에 전도성 질화물 박막을 형성함과 동시에 전이금속원소를 도핑시키는 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 전도성 질화물 박막의 형성과 전이금속원소의 도핑을 동시에 하는 방법은 반응성 스퍼터링에 전이금속 타겟(target)을 추가하는 방식 또는 분자빔성장법인 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 스핀주입 전극층의 형성은 스퍼터링법 또는 물리증착법에 의하는 것을 특징으로 하는 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조의 제조방법
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