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식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체게이트 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121679
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판과 강유전체층 사이에 식각 선택비가 높은 버퍼층을 삽입한 적층구조를 형성하고, 이 적층구조에서 소오스 및 드레인이 형성되는 부분에 대하여 식각을 수행하다가 버퍼층에서 식각을 정지시킴으로써 실리콘 기판의 손상없이 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터를 제작하여 칩의 집적도를 높일 수 있는 식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 27/105 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030059188 (2003.08.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0543528-0000 (2006.01.09)
공개번호/일자 10-2005-0021095 (2005.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20060131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.08.26)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울특별시송파구
2 김성일 대한민국 서울특별시동대문구
3 김춘근 대한민국 서울특별시강남구
4 심선일 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2003-0316168-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.04.21 수리 (Accepted) 9-1-2005-0023944-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0311578-95
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0446550-03
6 의견서
Written Opinion		 2005.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0446547-65
7 등록결정서
Decision to grant		 2005.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0656941-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 강유전체층을 포함하는 강유전체 게이트 트랜지스터 제조 방법에 있어서,실리콘 기판에 강유전체층과의 식각 선택비가 4이상인 물질로 이루어진 버퍼층을 형성하는 단계와,상기 버퍼층에 강유전체층 및 상부전극을 형성하는 단계와,게이트에 해당하는 부분만 제외하고 상기 강유전체층 및 상부전극을 식각하는 단계와,상기 버퍼층에서 식각을 정지시키는 단계와,이온주입을 통해 식각이 수행된 부분에 소오스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 CeO2 또는 Y2O3 중 어느 하나의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터 제조방법
4 4
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5 5
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6 6
삭제
7 6
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