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높은 소자 수율을 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물

  • 기술번호 : KST2015123275
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 소자 수율을 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물에 관한 것으로서, 실리콘 기판과; 상기 기판 위에 형성되며, 백금 (Pt)을 포함하여 이루어진 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성된 페로브스카이트 산화물 박막과; 상기 페로브스카이트 산화물 박막 상에 형성되며, SRO (SrRuO3)를 포함하여 이루어진 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물을 제공한다. 저항 변화 기억 소자, 소자 수율, Pt, SRO
Int. CL H01L 27/105 (2006.01)
CPC H01L 45/147(2013.01) H01L 45/147(2013.01) H01L 45/147(2013.01)
출원번호/일자 1020070107462 (2007.10.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0912252-0000 (2009.08.07)
공개번호/일자 10-2009-0041792 (2009.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20090817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 양민규 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0762925-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0053380-98
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0045961-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0187219-90
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0187221-82
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0317161-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판과; 상기 기판 위에 형성되며, 백금 (Pt)을 포함하여 이루어진 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성된 페로브스카이트 산화물 박막과; 상기 페로브스카이트 산화물 박막 상에 형성되며, SRO (SrRuO3)를 포함하여 이루어진 상부 전극;을 포함하며, 상기 페로브스카이트 산화물 박막은 SZO (SrZrO3)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 높은 소자 수율을 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물
2 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 표면에 자연 산화막 (SiO2)이 형성되어 있으며, 상기 실리콘 기판과 상기 하부 전극 사이에 이 둘의 접착력을 강화하는 접착층 (adhesion layer)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 높은 소자 수율을 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 산화물 박막에는 금속 물질이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 높은 소자 수율을 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.