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강유전체 박막을 게이트 산화막으로 이용하는 불휘발성 소자를 제조하는 방법에 있어서, 강유전체 박막을 산소 플라즈마로 600 - 700℃의 온도 범위에서 5 - 10분간 열처리하여 상기 강유전체 박막의 산소 농도를 증가시켜 강유전체 게이트 특성을 향상시키는 것을 특징으로 하는강유전체 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 산소 플라즈마 발생시 인가되는 전력은 30 - 50 W 인 강유전체 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 열처리시 압력은 10-1 - 10-2 Torr 인 강유전체 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 산소 플라즈마 열처리에 의하여 상기 강유전체 내에 산소 농도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 강유전체 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 산소 플라즈마 열처리에 의하여 강유전체 게이트의 잔류분극 값을 증가시키는 강유전체 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 산소 플라즈마 열처리에 의하여 상기 강유전체 게이트를 가진 트랜지스터의 메모리 윈도우를 증가시키는 강유전체 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 산소 플라즈마 열처리에 의하여 실리콘과 강유전체 사이에 원하지 않는 산화막의 성장을 억제시키는 강유전체 게이트 제조방법
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제1항에 있어서, 산소 플라즈마 열처리에 의하여 실리콘과 강유전체 사이에 원하지 않는 산화막의 성장을 억제시키는 강유전체 게이트 제조방법
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