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펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131102
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다.본 발명에 따르는 펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 진공챔버의 내상측에 기판을 고정시키고, 진공챔버의 내하측에 배치된 크루서블의 내부에 있는 펜타센을 가열하는 단계(S1단계);상기 가열된 펜타센이 승화되어 상기 크루서블의 상부에 구비된 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계(S2단계); 및상기 기판은 상온으로 유지되는 동시에 그 하부에 상기 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계(S3단계);를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터빔 증착방법을 이용하여 피증착물을 가열하지 않고 또한, 별도의 추가적인 공정 없이 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 유전층의 표면에 결정도가 높은 유기박막이 균일하게 증착될 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0026(2013.01) H01L 51/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020060041736 (2006.05.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0824045-0000 (2008.04.15)
공개번호/일자 10-2007-0088226 (2007.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20080422) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060018016   |   2006.02.24
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.01)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종호 대한민국 서울 성북구
2 피. 스예드 아브타지르 인도 서울 성북구
3 정선화 대한민국 경남 진주시
4 서훈석 대한민국 충남 논산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0325562-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 출원심사청구서
Request for Examination		 2007.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0328300-30
4 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0104084-56
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공챔버의 내상측에 기판을 고정시키고, 진공챔버의 내하측에 배치된 크루서블의 내부에 있는 펜타센을 가열하는 단계(S1단계);상기 가열된 펜타센이 승화되어 상기 크루서블의 상부에 구비된 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계(S2단계); 및상기 기판은 상온으로 유지되는 동시에 그 하부에 상기 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계(S3단계);를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 클러스터는 상기 기판을 향한 방향으로의 운동에너지가 최대인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 클러스터는 균일한 운동에너지를 가지고 상기 기판으로 향하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기판을 가열하지 않는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판의 표면에 계면활성제를 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 계면활성제는 헥사메틸디실라제인(HMDS)인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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2 KR20070088355 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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