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평평한 유전체층의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계;노즐을 구비한 도가니 내부에 펜타센 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 펜타센 화합물을 증기화하는 단계;상기 펜타센 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계;상기 유전체층의 상부에 상기 펜타센 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 실온에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도가니의 재질이 흑연인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도가니의 노즐 직경은 0
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제 1 항에 있어서,상기 도가니의 온도가 220 내지 250℃인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기막의 두께는 400 내지 600Å인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 펜타센의 증착속도는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 계면활성제는 헥사메틸디실라잔(Hexamethyldisilazane, HMDS) 또는 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane: OTS), 부틸트리클로로실란, 3-클로로프로필트리클로로실란, 3-브로모프로필트리클로로실란, 트리클로로(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 펜에틸트리클로로실란, 4-(클로로메틸)페닐트리클로로실란, 및 2-(4-클로로술포닐페닐)에틸트리클로로실란으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 계면활성제가 헥사메틸디실라잔(HMDS) 또는 옥타데실트리클로로실란(OTS)인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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기판; 상기 기판의 상부에 형성된 유전체층; 상기 유전체층의 상부에 형성되는 펜타센 화합물층; 및 상기 펜타센 화합물층의 상부에 적층된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 있어서,평평한 유전체층의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하고, 노즐을 구비한 도가니 내부에 펜타센 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 펜타센 화합물을 증기화하여, 상기 펜타센 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성한 다음 상기 유전체층의 상부에 상기 펜타센 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 실온에서 증착하여 유기막을 형성하고, 상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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