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평평한 실리콘 기판을 타겟(target)으로 준비하여 공액 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물을 직경 0
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제 1 항에 있어서,상기 도가니의 온도가 220 내지 250℃인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 공액 방향족 탄화수소 화합물은 테트라센 또는 펜타센인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 테트라센 또는 펜타센의 두께는 400 내지 600Å인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 테트라센의 증착속도는 4
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제 3 항에 있어서, 상기 펜타센의 증착속도는 0
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평평한 실리콘 기판의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계;직경 0
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제 7 항에 있어서, 상기 계면활성제는 헥사메틸디실라잔(Hexamethyldisilazane, HMDS), 옥타데실트리클로로실란, 부틸트리클로로실란, 3-클로로프로필트리클로로실란, 3-브로모프로필트리클로로실란, 트리클로로(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 펜에틸트리클로로실란, 4-(클로로메틸)페닐트리클로로실란, 및 2-(4-클로로술포닐페닐)에틸트리클로로실란으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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기판; 상기 기판의 상부에 형성된 유전체층; 상기 유전체층의 상부에 형성되는 공액 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물층; 및 상기 공액 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물의 상부에 적층된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 있어서,평평한 실리콘 기판을 타겟(target)으로 준비하여 상기 공액 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물을 직경 0
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10
기판; 상기 기판의 상부에 형성된 유전체층; 상기 유전체층의 상부에 형성되는 공액 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물층; 및 상기 공액 방향족(aromatic) 탄화수소 화합물의 상부에 적층된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 있어서,평평한 실리콘 기판의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하고, 직경 0
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