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기판,상기 기판 상에 형성된, 상기 응집층,상기 응집층 상에 형성된 버퍼(buffer)층,상기 버퍼층의 일부 상에, 메사(mesa)구조로 형성된 미도핑(undoped)층,상기 미도핑층 상에 형성된 격납층,상기 격납층의 일부 영역 상에 형성된 게이트,상기 격납층의 상기 일부 영역을 제외한 영역과, 상기 격납층에 의하여 덮이지 않은 상기 미도핑층 표면 상에 각각 형성된 오믹 컨택트와,상기 격납층의 내부에 형성되어, 상면이 노출되는 불순물층을 포함하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 불순물층은 불소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 SiC, Si, 사파이어 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼층 및 상기 격납층은 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 미도핑층은 AlxGa1-xN을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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기판을 마련하는 단계,상기 기판 상에 응집층을 형성하는 단계,상기 응집층 상에 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층 상에 미도핑(undoped)층을 형성하는 단계,상기 미도핑 상에 격납층을 형성하는 단계,상기 격납층 상에 기설정된 패턴으로 패터닝된 포토레지스트막을 형성하는 단계,상기 포토레지스트막을 마스크로, 상기 미도핑층 및 상기 격납층을 식각하는 단계,상기 격납층의 일부 영역 상에 게이트를 형성하는 단계,상기 격납층의 상기 일부 영역을 제외한 영역과, 상기 격납층에 의하여 덮이지 않은 상기 미도핑층 표면 상에 각각 오믹 컨택트를 형성하는 단계,상기 격납층의 내부에, 상부가 노출되도록 불순물층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 불순물층은 불소 이온 플라즈마 처리에 의한 불소 이온 주입에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 기판은 SiC, Si, 사파이어 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 버퍼층 및 상기 격납층은 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 또는 MBE(molecular beam epitaxy)방법으로 GaN을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법
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10
제 6 항에 있어서,상기 미도핑층은 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 또는 MBE(molecular beam epitaxy)방법으로 AlxGa1-xN을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법
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