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티형 게이트를 이용한 반쪽 자기 정렬 방법에 의한 고주파트랜지스터 구조 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015159616
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트를 마스크로 한 자기 정렬 기술을 이용하되 소스와 게이트 만 자기 정렬되도록 하여 소스와 게이트 간의 거리를 최소화함으로써 소스와 게이트 간의 저항을 최소화한다. 소스 저항을 줄임으로써 트랜지스터의 전류밀도와 트랜스 컨덕턴스가 개선된다. 반면 드레인과 게이트 사이는 자기정렬이 되지 않도록 감광막(photo resist등)을 이용하여 그 거리는 늘린다. 이를 통해 자기정렬에 의해 드레인을 형성할 때 보다 게이트 드레인 간의 저항을 증가시킨다. 드레인에 적절한 저항 성분을 유지함으로써 드레인 출력 컨덕턴스(output conductance)를 작게 하고 드레인과 게이트 사이의 항복 전압(BVDG)을 증가시킨다.반쪽 자기 정렬, 고주파 트랜지스터, T-형 게이트, 감광막, 항복 전압
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/42376(2013.01) H01L 29/42376(2013.01) H01L 29/42376(2013.01) H01L 29/42376(2013.01)
출원번호/일자 1020070037664 (2007.04.18)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0873933-0000 (2008.12.08)
공개번호/일자 10-2008-0093659 (2008.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20081215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서광석 대한민국 서울특별시 강남구
2 장경철 대한민국 충북 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0292836-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014546-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0161813-15
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0350521-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0357383-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0357727-25
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0478634-84
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.10.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0046858-87
11 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0589832-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 소스, 드레인 및 T-형 게이트가 형성된 고주파용 트랜지스터에 있어서,상기 T-형 게이트 상부의 일측 단부는 소스의 끝단과 동일한 수직면 상에 있고,상기 T-형 게이트 상부의 타측 단부 수직면은 드레인 단부의 수직면과 이격되어 있으며,상기 T-형 게이트는 좌우 대칭이고, 게이트-소스 간의 간격보다 게이트-드레인 간의 간격이 더 길게 형성되는 고주파용 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 T-형 게이트 상부의 타측 단부 수직면과 상기 드레인 단부의 수직면 간의 거리는 1~1000 ㎛ 인 고주파용 트랜지스터
3 3
T-형 게이트가 형성된 기판 상에 보호층을 형성하는 단계;상기 T-형 게이트의 상면 일부와 드레인이 형성될 영역 사이에 감광막을 형성하는 단계;상기 감광막을 사용하여 상기 보호막을 제거하는 단계; 상기 기판 상에 금속층을 증착하여 소스 및 상기 드레인을 형성하는 단계; 및상기 감광막 및 상기 감광막 상의 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 고주파용 트랜지스터 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 감광막은 오버행 구조를 갖는 고주파용 트랜지스터 제조 방법
5 5
제3항 또는 제4항에 있어서,상기 감광막 및 상기 감광막 상의 금속층을 제거하는 단계 이후에상기 보호층을 선택적으로 식각하는 단계를 더 포함하는 고주파용 트랜지스터 제조 방법
6 6
제3항에 있어서,상기 감광막의 폭은 1~1000㎛ 인 고주파용 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.