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동축 관통 실리콘 비아 구조체에 있어서,중심 폴(pole)의 측벽을 둘러싸는 캐버티(cavity)가 형성되어 있는 기판;상기 중심 폴의 측벽과 상면에 형성되어 있는 내부 도전체;상기 캐버티의 측벽과 상기 캐버티의 측벽 상부에서 외곽으로 연장되는 기판의 일부에 형성된 외부 도전체; 및상기 내부 도전체와 상기 외부 도전체를 전기적으로 절연시키도록 상기 캐버티를 포함하는 영역에 형성된 충전 절연층을 포함하고,상기 충전 절연층은 상기 외부 도전체의 두께와 실질적으로 동일한 두께를 가지며 상기 외부 도전체로부터 연장되어 상기 기판의 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체
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제1항에 있어서,상기 충전 절연층은 상기 내부 도전체와 상기 외부 도전체를 덮도록 상기 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체
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제2항에 있어서,상기 충전 절연층에는 상기 내부 도전체와 상기 외부 도전체를 외부와 전기적으로 연결하기 위한 배선용 도전 물질을 충전하기 위한 배선용 비아홀들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체
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제1항에 있어서,상기 충전 절연층, 상기 내부 도전체 및 상기 외부 도전체를 덮도록 형성된 제1 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 동축 실리콘 비아 구조체
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제5항에 있어서,상기 제1 절연층에는 상기 내부 도전체와 상기 외부 도전체를 외부와 전기적으로 연결하기 위한 배선용 도전 물질을 충전하기 위한 배선용 비아홀들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체
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동축 관통 실리콘 비아 구조체 제조방법에 있어서,기판의 일면을 식각하여 중심 폴(pole)과 상기 중심 폴의 측벽을 둘러싸는 캐버티(cavity)를 형성하는 기판 형성단계;상기 중심 폴과 상기 캐버티 및 상기 캐버티의 측벽 상부에서 연장되는 기판의 일부에 도전층을 형성하는 도전층 형성단계;상기 캐버티를 포함하는 영역에 충전 절연층을 형성하는 충전 절연층 형성단계; 및상기 캐버티의 하면에 형성되어 있는 도전층이 제거되도록 상기 기판의 타면을 연마하여 상기 도전층을 상기 중심 폴에 형성된 내부 도전체와 상기 캐버티의 측벽에 형성된 외부 도전체로 분리시키는 전극 분리단계를 포함하고,상기 충전 절연층 형성단계에서는, 오가닉 라미네이션(Organic Lamination) 공정을 이용하여 상기 충전 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체 제조방법
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제7항에 있어서,상기 오가닉 라미네이션 공정은 진공 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체 제조방법
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제7항에 있어서,상기 충전 절연층 형성단계에서는, 상기 도전층을 덮도록 상기 충전 절연층을 상기 기판 상에 형성하는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체 제조방법
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제10항에 있어서,상기 충전 절연층 형성단계 이후,상기 충전 절연층에 배선용 비아홀들을 형성하는 비아홀 형성단계; 및상기 배선용 비아홀들에 외부와의 전기적 연결을 위한 배선용 도전물질을 충진하여 전극 패드를 형성하는 전극 패드 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체 제조방법
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제10항에 있어서,상기 충전 절연층 형성단계 이후,상기 도전층이 노출되도록 상기 충전 절연층을 평탄화하는 평탄화 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체 제조방법
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제12항에 있어서,상기 평탄화 단계 이후, 상기 기판 상에는 상기 도전층의 두께와 실질적으로 동일한 두께를 갖는 충전 절연층이 잔류하는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체 제조방법
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제13항에 있어서,상기 충전 절연층 및 상기 도전층을 덮도록 제1 절연층을 형성하는 제1 절연층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 동축 실리콘 비아 구조체 제조방법
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제14항에 있어서,상기 제1 절연층 형성단계 이후,상기 제1 절연층에 배선용 비아홀들을 형성하는 비아홀 형성단계; 및상기 배선용 비아홀들에 외부와의 전기적 연결을 위한 배선용 도전물질을 충진하여 전극 패드를 형성하는 전극 패드 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 동축 관통 실리콘 비아 구조체 제조방법
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