맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

관통 실리콘 비아 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036691
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV) 제조 방법에 관한 것으로, 특히 폴리머 진공 열압착 공정을 이용한 관통 실리콘 비아 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 관통 실리콘 비아 제조 방법은 실리콘 기판의 전면에 구멍을 뚫는 (a) 단계; 상기 실리콘 기판의 전면에 폴리머 필름을 놓는 (b) 단계; 진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 전면에 접합시키고 상기 구멍에 채워 넣는 (c) 단계; 상기 폴리머 필름으로 메워진 구멍을 처음 뚫을 때의 지름보다 작게 재차 뚫는 (d) 단계; 및 상기 재차 뚫린 구멍을 금속으로 메우는 (e) 단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC H01L 23/481(2013.01) H01L 23/481(2013.01) H01L 23/481(2013.01)
출원번호/일자 1020100006617 (2010.01.25)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1115526-0000 (2012.02.06)
공개번호/일자 10-2011-0087129 (2011.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.25)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박세훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김준철 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 박종철 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 유종인 대한민국 서울특별시 동작구
5 김동수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0050099-42
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0235224-84
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0371742-22
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0371741-87
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0776687-98
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판의 전면에 구멍을 뚫는 (a) 단계;상기 실리콘 기판의 전면에 폴리머 필름을 놓는 (b) 단계;진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 전면에 접합시키고 상기 구멍에 채워 넣는 (c) 단계;상기 폴리머 필름으로 메워진 구멍을 처음 뚫을 때의 지름보다 작게 재차 뚫는 (d) 단계; 및상기 재차 뚫린 구멍을 금속으로 메우는 (e) 단계를 포함하여 이루어진 관통 실리콘 비아 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는 실리콘 기판의 전면과 후면을 관통하도록 구멍을 뚫는 단계이고,상기 (e) 단계 후, 상기 실리콘 기판의 후면에 노출된 금속에 범프를 형성하는 (f) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관통 실리콘 비아 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 (e) 단계 후, 상기 실리콘 기판의 후면을 백그라인딩하여 상기 금속을 노출시키는 (f) 단계; 및상기 실리콘 기판의 후면에 노출된 금속에 범프를 형성하는 (g) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관통 실리콘 비아 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (e) 단계 후, 상기 실리콘 기판의 후면을 백그라인딩하여 상기 금속을 노출시키는 (f) 단계;상기 (f) 단계 후, 상기 실리콘 기판의 후면에 폴리머 필름을 놓는 (g) 단계;진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 실리콘 기판의 후면에 놓은 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 후면에 접합시키는 (h) 단계;상기 실리콘 기판의 후면에 접합된 폴리머 필름에 구멍을 뚫어 상기 금속을 노출시키는 (i) 단계; 및상기 (i) 단계에서 노출된 금속에 범프를 형성하는 (j) 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 관통 실리콘 비아 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는 실리콘 기판의 전면과 후면을 관통하도록 구멍을 뚫는 단계이고,상기 (e) 단계 후, 상기 실리콘 기판의 후면에 폴리머 필름을 놓는 (f) 단계;진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 실리콘 기판의 후면에 놓은 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 후면에 접합시키는 (g) 단계;상기 실리콘 기판의 후면에 접합된 폴리머 필름에 구멍을 뚫어 상기 금속을 노출시키는 (h) 단계; 및상기 (h) 단계에서 노출된 금속에 범프를 형성하는 (i) 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 관통 실리콘 비아 제조 방법
6 6
실리콘 기판의 전면에 구멍을 뚫는 (a) 단계;상기 실리콘 기판의 전면에 폴리머 필름을 놓는 (b) 단계;진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 전면에 접합시키고 상기 구멍에 채워 넣는 (c) 단계;상기 실리콘 기판의 후면을 백그라인딩하여 상기 구멍에 채워진 폴리머 필름을 노출시키는 (d) 단계;상기 (d) 단계 후, 상기 실리콘 기판의 후면에 폴리머 필름을 놓는 (e) 단계;진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 실리콘 기판의 후면에 놓은 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 후면에 접합시키는 (f) 단계;상기 (f) 단계 후, 상기 구멍을 처음 뚫을 때의 지름보다 작게 재차 뚫는 (g) 단계; 및상기 재차 뚫린 구멍을 금속으로 메우는 (h) 단계를 포함하여 이루어진 관통 실리콘 비아 제조 방법
7 7
실리콘 기판의 전면과 후면을 관통하도록 구멍을 뚫는 (a) 단계;상기 실리콘 기판의 전면에 폴리머 필름을 놓는 (b) 단계;진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 전면에 접합시키고 상기 구멍에 채워 넣는 (c) 단계;상기 (c) 단계 후, 상기 실리콘 기판의 후면에 폴리머 필름을 놓는 (d) 단계;진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 실리콘 기판의 후면에 놓은 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 후면에 접합시키는 (e) 단계;상기 (e) 단계 후, 상기 구멍을 처음 뚫을 때의 지름보다 작게 재차 뚫는 (f) 단계; 및상기 재차 뚫린 구멍을 금속으로 메우는 (g) 단계를 포함하여 이루어진 관통 실리콘 비아 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 시스템 패키징 센터 KAIST 정보통신 산업 원천 기술 개발 사업 웨이퍼 레벨 3차원 IC 설계 및 집적 기술