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반도체 소자 및 이를 이용하는 물리 센서

  • 기술번호 : KST2015161782
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자가 개시된다. 본 반도체 소자는, n-타입 실리콘 기판, 및, 상기 기판의 003c#100003e# 결정 방향으로 p-타입 확산저항이 배치되어, 상기 기판의 온도 변화에 따라 저항값이 변환하는 온도 센싱 영역을 포함한다.
Int. CL H01L 41/02 (2006.01)
CPC H01L 41/1132(2013.01) H01L 41/1132(2013.01)
출원번호/일자 1020120023045 (2012.03.06)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1318260-0000 (2013.10.08)
공개번호/일자 10-2013-0101920 (2013.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20131016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최시영 대한민국 대구 동구
2 문영순 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0183176-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0033058-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0325336-02
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0633286-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0633288-42
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0612895-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자에 있어서, n-타입 실리콘 기판;상기 기판의 003c#100003e# 결정 방향으로 p-타입 확산저항을 생성하여, 상기 기판의 온도 변화에 따라 저항값이 변화하는 온도 센싱 영역;및상기 기판의 003c#110003e# 결정 방향으로 배치되어, 상기 기판의 변형 및 온도 변화에 따라 저항값이 변화하는 복수의 p-타입 압력 센싱 영역;을 포함하고,상기 온도 센싱 영역은, 상기 복수의 p-타입 압력 센싱 영역의 중앙에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 복수의 p-타입 압력 센싱 영역은, 상기 온도 센싱 영역의 촤측에 배치되는 제1 압력 센싱 영역 및 제2 압력 센싱 영역; 및상기 온도 센싱 영역의 우측에 배치되는 제3 압력 센싱 영역 및 제4 압력 센싱 영역;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 온도 센싱 영역 및 압력 센싱 영역 상부에 형성되는 전극부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7 7
물리 센서에 있어서, 힘에 의해 변형되는 탄성부; 및상기 탄성부가 변형되는 영역에 배치되며, 상기 탄성부의 변형 정도에 따라 저항값이 변화하는 반도체 기판;을 포함하고, 상기 반도체 기판은, n-타입 실리콘 기판; 상기 n-타입 실리콘 기판의 003c#100003e# 결정 방향으로 배치되어, 상기 실리콘 기판의 온도 변화에 따라 저항값이 변화하는 온도 센싱 영역; 및상기 n-타입 실리콘 기판의 003c#110003e# 결정 방향으로 배치되어, 상기 실리콘 기판의 변형 및 온도 변화에 따라 저항값이 변화하는 복수의 p-타입 압력 센싱 영역;을 포함하며,상기 온도 센싱 영역은, 상기 복수의 p-타입 압력 센싱 영역의 중앙에 배치되는 것을 특징으로 하는 물리 센서
8 8
삭제
9 9
삭제
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