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반도체 소자의 턴온 및 턴오프 상태에서 측정되는 상기 반도체 소자의 파라미터 값을 수신하는 인터페이스부;상기 턴오프 상태에서 측정된 파라미터 값을 이용하여 전압에 독립적인 저항값을 산출하고, 상기 턴온 상태에서 측정된 파라미터 값을 이용하여 상기 반도체 소자에 인가되는 전압에 종속적인 저항값을 산출하는 저항값 산출부; 및상기 수신된 파라미터 값을 이용하여 상기 독립적인 저항값 및 상기 종속적인 저항값을 각각 산출하도록 상기 저항값 산출부를 제어하는 제어부;를 포함하며,상기 반도체 소자의 파라미터 값은 상기 반도체 소자의 어드미턴스 값(Y 파라미터)과 임피던스 값(Z 파라미터) 중 적어도 하나로 하는 저항 추출 장치
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제1항에 있어서,상기 저항값 산출부는 상기 독립적인 저항값을 산출하기 위하여 상기 반도체 소자의 Y 파라미터 값을 이용하고, 상기 종속적인 저항값을 산출하기 위하여 상기 반도체 소자의 Z 파라미터 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 저항 추출 장치
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제2항에 있어서,상기 저항값 산출부는 상기 턴오프 상태에서 독립적인 저항값을 산출하고, 상기 산출한 독립적인 저항값을 상기 턴온 상태의 파라미터 값에서 디임베딩하며, 상기 디임베딩한 후의 Z 파라미터 값을 이용하여 상기 종속적인 저항값을 산출하는 것을 특징으로 하는 저항 추출 장치
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제1항에 있어서,상기 저항값 산출부는 주파수의 변화에 따른 각각의 저항값을 추출하는 것을 특징으로 하는 저항 추출 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 소스 및 드레인 전극 사이의 채널층에 형성되는 HDD(Heavily Doped Drain) 및 LDD(Lightly Doped Drain) 영역을 포함하며,상기 HDD 영역은 상기 소스 및 드레인 전극에 인접하여 각각 형성되고,상기 LDD 영역은 상기 HDD 영역에 인접하여 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 추출 장치
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제5항에 있어서,상기 HDD 영역은 상기 독립적인 저항값을 포함하며, 상기 LDD 영역은 상기 종속적인 저항값을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 추출 장치
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반도체 소자의 턴오프 상태에서 측정되는 파라미터 값을 수신하는 단계;상기 턴오프 상태에서 측정되는 파라미터 값을 이용하여 상기 반도체 소자에 인가되는 전압에 독립적인 저항값을 산출하는 단계;상기 반도체 소자의 턴온 상태에서 측정되는 파라미터 값을 수신하는 단계; 및상기 턴온 상태에서 측정되는 파라미터 값을 이용하여 상기 반도체 소자에 인가되는 전압에 종속적인 저항값을 산출하는 단계;를 포함하며,상기 반도체 소자의 파라미터 값은 상기 반도체 소자의 어드미턴스 값(Y 파라미터)과 임피던스 값(Z 파라미터) 중 적어도 하나로 하는 저항 추출 방법
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제7항에 있어서,상기 종속적인 저항값을 산출하는 단계는 상기 반도체 소자의 Z 파라미터 값을 이용하며,상기 독립적인 저항값을 산출하는 단계는 상기 반도체 소자의 Y 파라미터 값을 이용하는 것을 특징으로 하는 저항 추출 방법
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제8항에 있어서,상기 종속적인 저항값을 산출하는 단계는, 상기 턴오프 상태에서 측정되어 추출된 상기 독립적인 저항값을 상기 턴온 상태에서 측정된 Z 파라미터 값에서 디임베딩하여 상기 종속적인 저항값을 산출하는 것을 특징으로 하는 저항 추출 방법
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제7항에 있어서,상기 반도체 소자는 소스 및 드레인 전극 사이의 채널층에 형성되는 HDD(Heavily Doped Drain) 및 LDD(Lightly Doped Drain) 영역을 포함하며,상기 HDD 영역은 상기 소스 및 드레인 전극에 인접하여 각각 형성되고,상기 LDD 영역은 상기 HDD 영역에 인접하여 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 추출 방법
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제10항에 있어서,상기 독립적인 저항값을 산출하는 단계는 상기 HDD 영역의 저항값을 산출하며, 상기 종속적인 저항값을 산출하는 단계는 상기 LDD 영역의 저항값을 산출하는 것을 특징으로 하는 저항 추출 방법
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저항 추출 방법을 실행하기 위한 프로그램을 포함하는 컴퓨터 판독가능 기록매체에 있어서,상기 저항 추출 방법은, 반도체 소자의 턴오프 상태에서 측정되는 파라미터 값을 수신하는 단계;상기 턴오프 상태에서 측정되는 파라미터 값을 이용하여 상기 반도체 소자에 인가되는 전압에 독립적인 저항값을 산출하는 단계;상기 반도체 소자의 턴온 상태에서 측정되는 파라미터 값을 수신하는 단계; 및상기 턴온 상태에서 측정되는 파라미터 값을 이용하여 상기 반도체 소자에 인가되는 전압에 종속적인 저항값을 산출하는 단계;를 실행하며,상기 반도체 소자의 파라미터 값은 상기 반도체 소자의 어드미턴스 값(Y 파라미터)과 임피던스 값(Z 파라미터) 중 적어도 하나로 하는 컴퓨터 판독가능 기록매체
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