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터널링 전계효과 트랜지스터 및 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015161698
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 터널링 전계효과 트랜지스터 및 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 터널링 전계효과 트랜지스터는 기판상에 형성되는 제1 전극, 기판을 기준으로 제1 전극의 상측에 위치하는 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극을 연결하는 채널층, 및 채널층의 측벽에 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하되, 복수의 제3 전극은 서로 다른 극성의 전압을 제공받는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7827(2013.01) H01L 29/7827(2013.01) H01L 29/7827(2013.01) H01L 29/7827(2013.01)
출원번호/일자 1020120147583 (2012.12.17)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0078326 (2014.06.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강인만 대한민국 대구광역시 수성구
2 이재성 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1049024-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0076996-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0815244-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0084753-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0084749-01
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0400802-05
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0869507-51
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성되는 제1 전극;상기 기판을 기준으로 상기 제1 전극의 상측에 위치하는 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결하는 채널층; 및상기 채널층의 측벽에 형성되는 복수의 제3 전극;을 포함하되,상기 채널층은 상기 기판을 기준으로 상기 제3 전극보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 제3 전극을 상기 제1 전극, 상기 채널층 및 상기 제2 전극과 절연시키는 절연막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 제3 전극은,서로 다른 극성의 전압을 제공받도록 형성되는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 고농도의 P형 도핑(P+)이 이루어지고,상기 채널층은 저농도의 P형 도핑(P-)이 이루어지며,상기 제2 전극은 고농도의 N형 도핑(N+)이 이루어지는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 제3 전극은 상기 채널층에서 서로 마주보며 형성되어 더블 게이트(double gate) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 채널층 및 상기 제2 전극은 상기 기판과 수직한 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터
7 7
기판상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 기판을 기준으로 상기 제1 전극의 상측에 위치하는 제2 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결하는 채널층을 형성하는 단계; 및상기 채널층의 측벽에 복수의 제3 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 채널층을 형성하는 단계는,상기 기판을 기준으로 상기 채널층을 상기 제3 전극보다 높게 형성하는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 복수의 제3 전극을 상기 제1 전극, 상기 채널층 및 상기 제2 전극과 절연시키는 절연막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 복수의 제3 전극은,서로 다른 극성의 전압을 제공받는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서,상기 제1 전극은 고농도의 P형 도핑(P+)이 이루어지고,상기 채널층은 저농도의 P형 도핑(P-)이 이루어지며,상기 제2 전극은 고농도의 N형 도핑(N+)이 이루어지는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제7항에 있어서,상기 복수의 제3 전극을 형성하는 단계는, 더블 게이트 구조를 갖도록 상기 채널층에서 상기 복수의 제3 전극을 서로 마주보게 형성하는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 채널층 및 상기 제2 전극은 상기 기판과 수직한 구조를 이루도록 형성하는 것을 특징으로 하는 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP26120777 JP 일본 FAMILY
2 US20140167146 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2014120777 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2014167146 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.