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기판;상기 기판 상에 제공되는 소스 전극;상기 기판 상에 제공되고, 상기 소스 전극과 이격되어 배치되는 드레인 전극;상기 기판 상에 제공되고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 배치되며, 상하 방향을 따라 상호 적층된 다수의 채널을 포함하는 다중 채널층; 및상기 기판 상에 제공되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 절연되며, 상기 다중 채널층에 게이트 전압을 인가하도록 마련되는 게이트 전극을 포함하고,상기 다수의 채널은 서로 다른 불순물 농도로 도핑되고, 상기 다수의 채널의 채널 두께가 상이하게 제공되는, 다중 채널 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 다수의 채널은 적층 순으로 점진적으로 불순물 도핑 농도가 감소하고, 적층 순으로 점진적으로 두께가 감소하도록 구성되는, 다중 채널 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 다수의 채널은 적층 순으로 두께와 불순물 도핑 농도가 1/2씩 감소되는, 다중 채널 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 다중 채널층은 제1 채널; 상기 제1 채널 상에 적층되는 제2 채널; 상기 제2 채널 상에 적층되는 제3 채널; 및 상기 제3 채널 상에 적층되는 제4 채널을 포함하고,상기 제2 채널은 상기 제1 채널보다 낮은 불순물 농도로 도핑되고, 상기 제1 채널보다 얇은 두께로 제공되고,상기 제3 채널은 상기 제2 채널보다 낮은 불순물 농도로 도핑되고, 상기 제2 채널보다 얇은 두께로 제공되며,상기 제4 채널은 상기 제3 채널보다 낮은 불순물 농도로 도핑되고, 상기 제3 채널보다 얇은 두께로 제공되는, 다중 채널 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 다수의 채널은 상기 기판으로부터 적층되는 순으로 점진적으로 불순물 도핑 농도와 채널 두께, 채널 폭 및 채널 단면적이 감소하도록 구성되는, 다중 채널 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 다중 채널 트랜지스터는 최대 트랜스컨덕턴스의 90%에 도달하는 포화 게이트 전압으로부터 상기 포화 게이트 전압보다 3V 높은 게이트 전압까지 상기 최대 트랜스컨덕턴스의 90% 이상의 트랜스컨덕턴스 값을 유지하도록 상기 다수의 채널 간에 불순물 도핑 농도 및 채널 두께가 상이하게 설정되는, 다중 채널 트랜지스터
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