| 1 |
1
질화물 반도체 소자에 있어서,기판 상에 배치되며, GaN 층과 AlGaN 층이 교번적으로 적층된 소스 구조;상기 기판 상에서 상기 소스 구조와 거리를 두고 배치되며, GaN 층과 AlGaN 층이 교번적으로 적층된 드레인 구조;상기 소스 구조의 GaN 층과 상기 드레인 구조의 GaN 층을 연결하는 복수의 GaN 채널 구조; 및상기 복수 개의 GaN 채널 구조를 둘러싸는 게이트 전극;을 포함하며,상기 소스 구조 및 상기 드레인 구조는,제1 GaN 층, 제1 AlGaN 층 및 제2 GaN층이 순차적으로 적층된 구조를 포함하고,상기 복수의 GaN 채널 구조는,상기 소스 구조의 제1 GaN 층과 상기 드레인 구조의 제1 GaN층을 연결하는 복수 개의 제1 GaN 채널 구조와, 상기 소스 구조의 제2 GaN 층과 상기 드레인 구조의 제2 GaN층을 연결하는 복수 개의 제2 GaN 채널 구조를 포함하며, 상기 게이트 전극은, 상기 복수 개의 제2 GaN 채널 구조 각각의 노출된 4면의 기 설정된 영역 모두를 둘러싸도록 배치된 것인, 질화물 반도체 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은,상기 복수 개의 제1 GaN 채널 구조 및 상기 복수 개의 제2 GaN 채널 구조의 노출된 면 각각의 기 설정된 영역 모두를 둘러싸도록 배치된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 교번적으로 적층된 GaN 층과 AlGaN 층 중 적어도 하나는,n-타입 도펀트로 도핑된층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 기판과 '상기 소스 구조 및 상기 드레인 구조' 사이에 배치된 고저항성 질화물층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 복수의 GaN 채널 구조와 상기 게이트 전극 사이에 배치된 복수의 게이트 절연막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 8 |
8
질화물 반도체 소자의 제조방법에 있어서,기판상에 GaN층 및 AlGaN층을 교번적으로 적층하는 단계;기설정된 소스 구조, 드레인 구조 및 채널 구조를 갖도록, 상기 GaN층 및 상기 AlGaN층이 교번적으로 적층된 구조를 식각하는 단계;상기 채널 구조 내의 복수의 GaN층 사이에 배치된 AlGAN 층을 제거하는 단계;상기 채널 구조 내의 복수의 GaN층을 둘러싸는 형태로 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 AlGaN 층을 제거하는 단계는,AlGaN만을 선택적으로 산화시키는 온도로 가열하는 단계;산화된 상기 AlGaN 층을 에칭 용액을 이용하여 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 온도는 590℃ 내지 640℃ 사이인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 에칭 용액은 KOH(potassium hydroxide) 용액 또는 TMAH(tetramethyl armmonium hydroxide) 용액인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 기판상에 GaN층 및 AlGaN층을 교번적으로 적층하는 단계는,제1 GaN 층을 성장시키는 단계;상기 제1 GaN 층 상에 제1 AlGaN 층을 성장시키는 단계; 및상기 제1 AlGaN 층 상에 제2 GaN층을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
|
